Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptorminangka piranti dhukungan lan pemanas sing dirancang khusus kanggo nahan lan panas substrat semikonduktor sajrone proses manufaktur kaya proses Deposition utawa Epitaxy.

Struktur kasebut kalebu biasane bentuke silinder utawa rada tong minyak, permukaan nduweni macem-macem kanthong utawa platform kanggo nempatake wafer, bisa dadi desain padhet utawa kothong, gumantung saka cara pemanasan.

Fungsi utama susceptor barel epitaxial:

1. Wafer Carrier lan Kontrol Suhu
Lumahing susceptor dirancang karo sawetara kanthong wafer (kayata susunan heksagonal utawa octagonal), kang bisa ndhukung 6-15 wafer bebarengan. Konduktivitas termal dhuwur saka grafit kemurnian dhuwur (120-150W / mK) njamin transfer panas kanthi cepet, digabungake karo fungsi rotasi (5-20 RPM), nyebabake panyimpangan suhu permukaan wafer <± 1 ℃ lan keseragaman ketebalan lapisan epitaxial <1%.

2. Optimization arah aliran gas reaktan
Struktur mikro permukaan susceptor bisa ngilangi efek lapisan wates, saéngga distribusi gas reaksi seragam (kayata SiH4, NH3) lan ningkatake konsistensi tingkat deposisi.

3. Anti polusi lan pangayoman anti-karat
Substrat grafit rentan kanggo dekomposisi lan ngeculake impurities logam (kayata Fe,Ni) ing suhu dhuwur, dene lapisan CVD SiC sing kandel 100μm bisa mbentuk penghalang sing padhet kanggo nyegah volatilisasi grafit, nyebabake tingkat cacat wafer <0,1 cacat / cm².

Aplikasi:
-Utamane digunakake kanggo wutah epitaxial silikon
-Uga ditrapake kanggo epitaksi bahan semikonduktor liyane kaya GaAs, InP, lsp.

VET Energy nggunakake grafit kemurnian dhuwur kanthi lapisan CVD-SiC kanggo nambah stabilitas kimia:

1. materi grafit kemurnian dhuwur
Konduktivitas termal sing dhuwur: konduktivitas termal grafit kaping telu luwih saka silikon, sing bisa cepet nransfer panas saka sumber panas menyang wafer lan nyepetake wektu pemanasan.
Kekuwatan mekanik: Kapadhetan grafit tekanan isostatik ≥ 1,85 g / cm ³, bisa tahan suhu dhuwur ing ndhuwur 1200 ℃ tanpa deformasi.

2. Lapisan CVD SiC
Lapisan β - SiC dibentuk ing permukaan grafit kanthi deposisi uap kimia (CVD), kanthi kemurnian ≥ 99.99995%, kesalahan keseragaman ketebalan lapisan kurang saka ± 5%, lan kekasaran permukaan kurang saka Ra0.5um.

3. Peningkatan kinerja:
Resistance korosi: bisa tahan gas korosif dhuwur kayata Cl2, HCl, etc, bisa ngluwihi umur epitaxy GaN kaping telu ing lingkungan NH3.
Stabilitas termal: Koefisien ekspansi termal (4,5 × 10-6 / ℃) cocog karo grafit supaya ora retak lapisan sing disebabake fluktuasi suhu.
Kekerasan lan Ketahanan Wear: Kekerasan Vickers tekan 28 GPa, yaiku 10 kaping luwih dhuwur tinimbang grafit lan bisa nyuda risiko goresan wafer.