Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaxial Epi Graphite Barrel SusceptorPiranti pendukung lan pemanas sing dirancang khusus kanggo nyekel lan manasi substrat semikonduktor sajrone proses manufaktur kaya proses Deposisi utawa Epitaksi.

Strukturé biasane bentuké silinder utawa rada kaya tong, permukaané duwé pirang-pirang kanthong utawa platform kanggo nempatake wafer, bisa uga desain sing padhet utawa kothong, gumantung saka cara pemanasané.

Fungsi utama susceptor laras epitaksial:

1. Wafer Carrier lan Kontrol Suhu
Permukaan susceptor dirancang nganggo pirang-pirang kanthong wafer (kayata susunan heksagonal utawa oktagonal), sing bisa ndhukung 6-15 wafer kanthi bebarengan. Konduktivitas termal sing dhuwur saka grafit kemurnian dhuwur (120-150W/mK) njamin transfer panas sing cepet, digabungake karo fungsi rotasi (5-20 RPM), sing nyebabake deviasi suhu permukaan wafer <± 1 ℃ lan keseragaman kekandelan lapisan epitaksial <1%.

2. Optimalisasi arah aliran gas reaktan
Mikrostruktur permukaan susceptor bisa ngrusak efek lapisan wates, saengga distribusi gas reaksi sing seragam (kayata SiH4, NH3) lan ningkatake konsistensi laju pengendapan.

3. Proteksi anti polusi lan anti korosi
Substrat grafit rentan dekomposisi lan ngeculake rereged logam (kayata Fe, Ni) ing suhu dhuwur, dene lapisan CVD SiC kandel 100μm bisa mbentuk alangan sing padhet kanggo nyegah penguapan grafit, sing nyebabake tingkat cacat wafer <0,1 cacat/cm².

Aplikasi:
-Utamane digunakake kanggo pertumbuhan epitaksial silikon
-Uga ditrapake kanggo epitaksi bahan semikonduktor liyane kaya GaAs, InP, lan liya-liyane.

VET Energy migunakaké grafit kemurnian dhuwur kanthi lapisan CVD-SiC kanggo nambah stabilitas kimia:

1. Bahan grafit kemurnian dhuwur
Konduktivitas termal sing dhuwur: konduktivitas termal grafit kaping telu saka silikon, sing bisa kanthi cepet nransfer panas saka sumber pemanas menyang wafer lan nyepetake wektu pemanasan.
Kekuwatan mekanik: Kapadhetan grafit tekanan isostatik ≥ 1,85 g/cm³, bisa tahan suhu dhuwur ing ndhuwur 1200 ℃ tanpa deformasi.

2. Lapisan SiC CVD
Lapisan β-SiC dibentuk ing permukaan grafit kanthi deposisi uap kimia (CVD), kanthi kemurnian ≥ 99,99995%, kesalahan keseragaman kekandelan lapisan kurang saka ± 5%, lan kekasaran permukaan kurang saka Ra0,5um.

3. Peningkatan kinerja:
Tahan korosi: bisa tahan gas korosif dhuwur kayata Cl2, HCl, lan liya-liyane, bisa ngluwihi umur epitaksi GaN nganti telu ing lingkungan NH3.
Stabilitas termal: Koefisien ekspansi termal (4,5 × 10-6/℃) cocog karo grafit kanggo nyegah retakan lapisan sing disebabake dening fluktuasi suhu.
Kekerasan lan Ketahanan Aus: Kekerasan Vickers tekan 28 GPa, sing 10 kali luwih dhuwur tinimbang grafit lan bisa nyuda risiko goresan wafer.