Епітаксіальний Epi Graphite Barrel Susceptor

Епітаксіальний Epi Graphite Barrel Susceptor

Епітаксіальний Epi Graphite Barrel Susceptorце спеціально розроблений опорний та нагрівальний пристрій, який використовується для утримання та нагрівання напівпровідникових підкладок під час виробничих процесів, таких як процеси осадження або епітаксії.

Його структура зазвичай має циліндричну або злегка бочкоподібну форму, поверхня має численні кишені або платформи для розміщення пластин, може бути суцільною або порожнистою конструкцією, залежно від методу нагрівання.

Основні функції епітаксіального бочкоподібного сусцептора:

1. Носій для пластин та контроль температури
Поверхня токоприймача має кілька кишень для пластин (наприклад, шестикутної або восьмикутної форми), які можуть одночасно підтримувати 6-15 пластин. Висока теплопровідність високочистого графіту (120-150 Вт/мК) забезпечує швидку передачу тепла, що в поєднанні з функцією обертання (5-20 об/хв) призводить до відхилення температури поверхні пластини <± 1 ℃ та однорідності товщини епітаксіального шару <1%.

2. Оптимізація напрямку потоку реагентного газу
Мікроструктура поверхні токоприймача може порушити ефект пограничного шару, забезпечуючи рівномірний розподіл реакційних газів (таких як SiH4, NH3) та покращуючи стабільність швидкості осадження.

3. Захист від забруднення та корозії
Графітові підкладки схильні до розкладання та виділення металевих домішок (таких як Fe, Ni) за високих температур, тоді як покриття SiC, отримане методом CVD, товщиною 100 мкм може утворювати щільний бар'єр для пригнічення випаровування графіту, що призводить до рівня дефектів пластин <0,1 дефектів/см².

Застосування:
-В основному використовується для епітаксіального вирощування кремнію
-Також застосовний для епітаксії інших напівпровідникових матеріалів, таких як GaAs, InP тощо.

VET Energy використовує високочистий графіт з покриттям CVD-SiC для підвищення хімічної стабільності:

1. Графітовий матеріал високої чистоти
Висока теплопровідність: теплопровідність графіту втричі перевищує теплопровідність кремнію, що дозволяє швидко передавати тепло від джерела нагрівання до пластини та скорочувати час нагрівання.
Механічна міцність: щільність графіту при ізостатичному тиску ≥ 1,85 г/см³, здатний витримувати високі температури понад 1200 ℃ без деформації.

2. Покриття SiC методом CVD
Шар β-SiC утворюється на поверхні графіту методом хімічного осадження з парової фази (CVD) з чистотою ≥ 99,99995%, похибка однорідності товщини покриття менше ±5%, а шорсткість поверхні менше Ra0,5 мкм.

3. Покращення продуктивності:
Корозійна стійкість: може витримувати вплив високоагресивних газів, таких як Cl2, HCl тощо, що може подовжити термін служби епітаксії GaN утричі в середовищі NH3.
Термічна стабільність: коефіцієнт теплового розширення (4,5 × 10-6/℃) відповідає графіту, що запобігає розтріскуванню покриття, спричиненому коливаннями температури.
Твердість та зносостійкість: твердість за Віккерсом досягає 28 ГПа, що в 10 разів вище, ніж у графіту, і може зменшити ризик подряпин на пластині.