Epitaxial Epi Graphite बैरल ससेप्टर

Epitaxial Epi Graphite बैरल ससेप्टर

Epitaxial Epi Graphite बैरल ससेप्टरनिक्षेपण वा एपिटाक्सी प्रक्रियाहरू जस्ता उत्पादन प्रक्रियाहरूमा अर्धचालक सब्सट्रेटहरू समात्न र तताउन प्रयोग गरिने विशेष रूपमा डिजाइन गरिएको समर्थन र तताउने उपकरण हो।

यसको संरचनामा सामान्यतया बेलनाकार वा थोरै ब्यारेल आकारको हुन्छ, सतहमा वेफरहरू राख्नको लागि धेरै पकेटहरू वा प्लेटफर्महरू हुन्छन्, तताउने विधिमा निर्भर गर्दै ठोस वा खोक्रो डिजाइन हुन सक्छ।

एपिटेक्सियल ब्यारेल ससेप्टरको मुख्य कार्यहरू:

१. वेफर क्यारियर र तापक्रम नियन्त्रण
ससेप्टर सतह धेरै वेफर पकेटहरू (जस्तै हेक्सागोनल वा अष्टकोणीय व्यवस्था) संग डिजाइन गरिएको छ, जसले एकै साथ ६-१५ वेफरहरूलाई समर्थन गर्न सक्छ। उच्च-शुद्धता ग्रेफाइट (१२०-१५०W/mK) को उच्च थर्मल चालकताले रोटेशन प्रकार्य (५-२० RPM) सँग मिलाएर द्रुत ताप स्थानान्तरण सुनिश्चित गर्दछ, जसको परिणामस्वरूप वेफर सतहको तापक्रम विचलन <± १ ℃ र एपिटेक्सियल तह मोटाई एकरूपता <१% हुन्छ।

२. प्रतिक्रियाशील ग्यास प्रवाह दिशाको अनुकूलन
ससेप्टर सतहको सूक्ष्म संरचनाले सीमा तह प्रभावलाई तोड्न सक्छ, जसले गर्दा प्रतिक्रिया ग्यासहरू (जस्तै SiH4, NH3) को समान वितरण र निक्षेप दरको स्थिरतामा सुधार हुन्छ।

३. प्रदूषण विरोधी र जंग विरोधी सुरक्षा
ग्रेफाइट सब्सट्रेटहरू उच्च तापक्रममा विघटन हुने र धातुको अशुद्धता (जस्तै Fe,Ni) छोड्ने सम्भावना हुन्छ, जबकि १००μm बाक्लो CVD SiC कोटिंगले ग्रेफाइट वाष्पीकरणलाई दबाउन बाक्लो अवरोध बनाउन सक्छ, जसको परिणामस्वरूप वेफर दोष दर <०.१ दोष/सेमी ² हुन्छ।

अनुप्रयोगहरू:
- मुख्यतया सिलिकन एपिटेक्सियल वृद्धिको लागि प्रयोग गरिन्छ।
- GaAs, InP, आदि जस्ता अन्य अर्धचालक सामग्रीहरूको एपिटाक्सीको लागि पनि लागू हुन्छ।

रासायनिक स्थिरता बढाउन VET ऊर्जाले CVD-SiC कोटिंगको साथ उच्च शुद्धता ग्रेफाइट प्रयोग गर्दछ:

१. उच्च शुद्धता ग्रेफाइट सामग्री
उच्च तापीय चालकता: ग्रेफाइटको तापीय चालकता सिलिकनको भन्दा तीन गुणा बढी हुन्छ, जसले ताप स्रोतबाट वेफरमा द्रुत रूपमा ताप स्थानान्तरण गर्न सक्छ र ताप समय घटाउन सक्छ।
यान्त्रिक शक्ति: आइसोस्टेटिक दबाव ग्रेफाइट घनत्व ≥ १.८५ ग्राम/सेमी ³, विकृति बिना १२०० ℃ भन्दा माथिको उच्च तापक्रम सहन सक्षम।

२. CVD SiC कोटिंग
रासायनिक वाष्प निक्षेपण (CVD) द्वारा ग्रेफाइटको सतहमा β - SiC तह बनाइन्छ, जसको शुद्धता ≥ 99.99995% हुन्छ, कोटिंग मोटाईको एकरूपता त्रुटि ±5% भन्दा कम हुन्छ, र सतहको खुरदरापन Ra0.5um भन्दा कम हुन्छ।

३. कार्यसम्पादन सुधार:
क्षरण प्रतिरोध: Cl2, HCl, आदि जस्ता उच्च संक्षारक ग्याँसहरूको सामना गर्न सक्छ, NH3 वातावरणमा GaN एपिटाक्सीको आयु तीन गुणा बढाउन सक्छ।
तापीय स्थिरता: तापीय विस्तारको गुणांक (४.५ × १०-६/℃) तापमान उतारचढावका कारण हुने कोटिंग क्र्याक हुनबाट जोगाउन ग्रेफाइटसँग मेल खान्छ।
कठोरता र पहिरन प्रतिरोध: विकर्सको कठोरता २८ GPa पुग्छ, जुन ग्रेफाइट भन्दा १० गुणा बढी हो र यसले वेफर स्क्र्याचको जोखिम कम गर्न सक्छ।