এপিটাক্সিয়াল এপি গ্রাফাইট ব্যারেল সাসেপ্টর

এপিটাক্সিয়াল এপি গ্রাফাইট ব্যারেল সাসেপ্টর

এপিটাক্সিয়াল এপি গ্রাফাইট ব্যারেল সাসেপ্টরএটি একটি বিশেষভাবে ডিজাইন করা সাপোর্ট এবং হিটিং ডিভাইস যা ডিপোজিশন বা এপিট্যাক্সি প্রক্রিয়ার মতো উৎপাদন প্রক্রিয়ার সময় সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্রেটগুলিকে ধরে রাখতে এবং গরম করতে ব্যবহৃত হয়।

এর গঠন সাধারণত নলাকার বা সামান্য ব্যারেল আকৃতির, পৃষ্ঠে ওয়েফার স্থাপনের জন্য একাধিক পকেট বা প্ল্যাটফর্ম থাকে, গরম করার পদ্ধতির উপর নির্ভর করে এটি শক্ত বা ফাঁপা নকশা হতে পারে।

এপিট্যাক্সিয়াল ব্যারেল সাসসেপ্টরের প্রধান কাজ:

1. ওয়েফার ক্যারিয়ার এবং তাপমাত্রা নিয়ন্ত্রণ
সাসসেপ্টর পৃষ্ঠটি একাধিক ওয়েফার পকেট (যেমন ষড়ভুজাকার বা অষ্টভুজাকার বিন্যাস) দিয়ে ডিজাইন করা হয়েছে, যা একসাথে 6-15টি ওয়েফারকে সমর্থন করতে পারে। উচ্চ-বিশুদ্ধতা গ্রাফাইটের (120-150W/mK) উচ্চ তাপ পরিবাহিতা দ্রুত তাপ স্থানান্তর নিশ্চিত করে, ঘূর্ণন ফাংশন (5-20 RPM) এর সাথে মিলিত হয়, যার ফলে ওয়েফার পৃষ্ঠের তাপমাত্রা <± 1 ℃ বিচ্যুতি এবং এপিট্যাক্সিয়াল স্তরের পুরুত্ব <1% অভিন্নতা তৈরি হয়।

2. বিক্রিয়ক গ্যাস প্রবাহের দিকের অপ্টিমাইজেশন
সাসপেকটর পৃষ্ঠের মাইক্রোস্ট্রাকচার সীমানা স্তরের প্রভাব ভেঙে দিতে পারে, যার ফলে বিক্রিয়া গ্যাসের (যেমন SiH4, NH3) সমান বন্টন সম্ভব হয় এবং জমার হারের ধারাবাহিকতা উন্নত হয়।

৩. দূষণ বিরোধী এবং জারা বিরোধী সুরক্ষা
গ্রাফাইট সাবস্ট্রেটগুলি পচনের ঝুঁকিতে থাকে এবং উচ্চ তাপমাত্রায় ধাতব অমেধ্য (যেমন Fe, Ni) নির্গত করে, যেখানে 100μm পুরু CVD SiC আবরণ গ্রাফাইট উদ্বায়ীকরণ দমন করার জন্য একটি ঘন বাধা তৈরি করতে পারে, যার ফলে ওয়েফার ত্রুটির হার <0.1 ত্রুটি/সেমি ² হয়।

অ্যাপ্লিকেশন:
-প্রাথমিকভাবে সিলিকন এপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধির জন্য ব্যবহৃত হয়
- GaAs, InP, ইত্যাদির মতো অন্যান্য অর্ধপরিবাহী পদার্থের এপিট্যাক্সির জন্যও প্রযোজ্য।

রাসায়নিক স্থিতিশীলতা বাড়াতে VET এনার্জি CVD-SiC আবরণ সহ উচ্চ বিশুদ্ধতা গ্রাফাইট ব্যবহার করে:

1. উচ্চ বিশুদ্ধতা গ্রাফাইট উপাদান
উচ্চ তাপ পরিবাহিতা: গ্রাফাইটের তাপ পরিবাহিতা সিলিকনের তিনগুণ, যা দ্রুত তাপ উৎস থেকে ওয়েফারে তাপ স্থানান্তর করতে পারে এবং গরম করার সময় কমাতে পারে।
যান্ত্রিক শক্তি: আইসোস্ট্যাটিক চাপ গ্রাফাইট ঘনত্ব ≥ 1.85 গ্রাম/সেমি ³, বিকৃতি ছাড়াই 1200 ℃ এর উপরে উচ্চ তাপমাত্রা সহ্য করতে সক্ষম।

2. সিভিডি সিসি আবরণ
রাসায়নিক বাষ্প জমা (CVD) দ্বারা গ্রাফাইটের পৃষ্ঠে একটি β - SiC স্তর তৈরি হয়, যার বিশুদ্ধতা ≥ 99.99995%, আবরণের পুরুত্বের অভিন্নতা ত্রুটি ±5% এর কম এবং পৃষ্ঠের রুক্ষতা Ra0.5um এর কম।

৩. কর্মক্ষমতা উন্নতি:
ক্ষয় প্রতিরোধ ক্ষমতা: Cl2, HCl ইত্যাদির মতো উচ্চ ক্ষয়কারী গ্যাস সহ্য করতে পারে, NH3 পরিবেশে GaN এপিট্যাক্সির আয়ুষ্কাল তিনগুণ বাড়িয়ে দিতে পারে।
তাপীয় স্থিতিশীলতা: তাপমাত্রার ওঠানামার কারণে আবরণ ফাটল এড়াতে তাপীয় প্রসারণের সহগ (4.5 × 10-6/℃) গ্রাফাইটের সাথে মিলে যায়।
কঠোরতা এবং পরিধান প্রতিরোধ ক্ষমতা: ভিকার্সের কঠোরতা 28 GPa-তে পৌঁছায়, যা গ্রাফাইটের চেয়ে 10 গুণ বেশি এবং ওয়েফার স্ক্র্যাচের ঝুঁকি কমাতে পারে।