Эпитаксиалдык эпи графит баррель сусцептору

Эпитаксиалдык эпи графит баррель сусцептору

Эпитаксиалдык эпи графит баррель сусцепторубул чөкмө же эпитакси процесстери сыяктуу өндүрүш процесстеринде жарым өткөргүч субстраттарды кармоо жана жылытуу үчүн колдонулган атайын иштелип чыккан таяныч жана жылытуучу түзүлүш.

Анын түзүлүшү, адатта, цилиндр формасындагы же бир аз челек сымал, бетинде пластиналарды коюу үчүн бир нече чөнтөктөр же платформалар бар жана жылытуу ыкмасына жараша катуу же көңдөй конструкцияда болушу мүмкүн.

Эпитаксиалдык челек сусцепторунун негизги функциялары:

1. Вафли ташуучу жана температураны көзөмөлдөө
Сусцептордун бети бир эле учурда 6-15 пластинаны көтөрө ала турган бир нече пластина чөнтөктөрү (мисалы, алты бурчтуу же сегиз бурчтуу жайгашуу) менен иштелип чыккан. Жогорку тазалыктагы графиттин жогорку жылуулук өткөрүмдүүлүгү (120-150 Вт/мК) айлануу функциясы (5-20 RPM) менен айкалышып, жылуулуктун тез берилишин камсыздайт, натыйжада пластинанын бетинин температурасынын четтөөсү <± 1 ℃ жана эпитаксиалдык катмардын калыңдыгынын бирдейлиги <1% түзөт.

2. Реагенттердин газ агымынын багытын оптималдаштыруу
Сусцептор бетинин микроструктурасы чек ара катмарынын эффектин бузуп, реакция газдарынын (мисалы, SiH4, NH3) бирдей бөлүштүрүлүшүнө мүмкүндүк берет жана чөкмө ылдамдыгынын ырааттуулугун жакшыртат.

3. Булганууга жана коррозияга каршы коргоо
Графит субстраттары жогорку температурада ажыроого жакын жана металл кошулмаларын (мисалы, Fe, Ni) бөлүп чыгарат, ал эми 100 мкм калыңдыктагы CVD SiC каптамасы графиттин учуп кетишин басуу үчүн тыгыз тосмо түзүп, пластинанын кемчилик көрсөткүчү <0,1 кемчилик/см² түзөт.

Колдонмолор:
-Негизинен кремний эпитаксиалдык өсүшү үчүн колдонулат
-Ошондой эле GaAs, InP ж.б. сыяктуу башка жарым өткөргүч материалдардын эпитаксиясы үчүн да колдонулат.

VET Energy химиялык туруктуулукту жогорулатуу үчүн CVD-SiC каптамасы бар жогорку тазалыктагы графитти колдонот:

1. Жогорку тазалыктагы графит материалы
Жогорку жылуулук өткөрүмдүүлүгү: графиттин жылуулук өткөрүмдүүлүгү кремнийдикине караганда үч эсе жогору, ал жылуулукту жылытуу булагынан пластинага тез өткөрүп, жылытуу убактысын кыскартат.
Механикалык бекемдиги: Изостатикалык басымдагы графиттин тыгыздыгы ≥ 1,85 г/см³, деформациясыз 1200 ℃ жогору жогорку температурага туруштук бере алат.

2. CVD SiC каптоосу
Графиттин бетинде химиялык буу чөктүрүү (CVD) аркылуу β-SiC катмары пайда болот, анын тазалыгы ≥ 99.99995% түзөт, каптоо калыңдыгынын бирдейлик катасы ±5% дан аз, ал эми беттин оройлугу Ra0.5um дан аз.

3. Иштин натыйжалуулугун жогорулатуу:
Коррозияга туруктуулук: Cl2, HCl ж.б. сыяктуу жогорку коррозиялык газдарга туруштук бере алат, NH3 чөйрөсүндө GaN эпитаксиясынын иштөө мөөнөтүн үч эсеге узарта алат.
Жылуулук туруктуулугу: Температуранын өзгөрүшүнөн улам пайда болгон каптоо жаракаларын болтурбоо үчүн жылуулук кеңейүү коэффициенти (4,5 × 10-6/℃) графит менен дал келет.
Катуулук жана эскирүүгө туруктуулук: Виккерстин катуулугу 28 ГПага жетет, бул графитке караганда 10 эсе жогору жана пластинанын чийилип калуу коркунучун азайтат.