Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptorبۇ، ياپما ياكى ئېپىتاكسىيە جەريانلىرىغا ئوخشاش ئىشلەپچىقىرىش جەريانلىرىدا يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئاساسلارنى تۇتۇپ قىزىتىش ئۈچۈن ئىشلىتىلىدىغان ئالاھىدە لايىھەلەنگەن تىرەك ۋە قىزىتىش ئۈسكۈنىسى.

ئۇنىڭ قۇرۇلمىسى ئادەتتە سىلىندىر شەكىللىك ياكى ئازراق تۇڭ شەكىللىك بولۇپ، يۈزىدە كۆپ خىل خالتا ياكى ۋافلىلارنى قويۇش ئۈچۈن سۇپا بار، قىزىتىش ئۇسۇلىغا ئاساسەن قاتتىق ياكى بوش لايىھەلەنگەن بولۇشى مۇمكىن.

ئېپىتاكسىيال تۇڭلۇق سېپتورنىڭ ئاساسلىق فۇنكسىيەلىرى:

1. ۋافېر توشۇغۇچ ۋە تېمپېراتۇرا كونترول قىلىش
سۇسېپتور يۈزى كۆپ خىل ۋافېر خالتىلىرى (مەسىلەن، ئالتە تەرەپلىك ياكى سەككىز تەرەپلىك ئورۇنلاشتۇرۇش) بىلەن لايىھەلەنگەن بولۇپ، بىرلا ۋاقىتتا 6-15 ۋافېرنى كۆتۈرەلەيدۇ. يۇقىرى ساپلىقتىكى گرافىتنىڭ يۇقىرى ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى (120-150W/mK) ئايلىنىش ئىقتىدارى (5-20 RPM) بىلەن بىرلەشتۈرۈلگەندە تېز ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشنى كاپالەتلەندۈرىدۇ، بۇنىڭ نەتىجىسىدە ۋافېر يۈزى تېمپېراتۇرىسىنىڭ ئۆزگىرىشى <± 1 ℃ ۋە ئېپىتاكسىيال قەۋەت قېلىنلىقىنىڭ بىردەكلىكى <1% بولىدۇ.

2. رېئاكسىيە قىلغۇچى گاز ئېقىمىنىڭ يۆنىلىشىنى ئەلالاشتۇرۇش
سۇسسېپتور يۈزىنىڭ مىكرو قۇرۇلمىسى چېگرا قەۋىتى ئۈنۈمىنى بۇزۇپ، رېئاكسىيە گازلىرىنىڭ (مەسىلەن، SiH4، NH3) تەكشى تارقىلىشىغا شارائىت يارىتىپ بېرىدۇ ۋە چۆكمە سۈرئىتىنىڭ مۇقىملىقىنى ياخشىلايدۇ.

3. بۇلغىنىشقا قارشى تۇرۇش ۋە چىرىشكە قارشى تۇرۇش
گرافىت ئاساسىي قەۋىتى يۇقىرى تېمپېراتۇرىدا پارچىلىنىشقا مايىل بولۇپ، مېتال قوشۇلمىلىرىنى (مەسىلەن، Fe، Ni) قويۇپ بېرىدۇ، 100μm قېلىنلىقتىكى CVD SiC قاپلىمىسى گرافىتنىڭ ئۇچۇپ كېتىشىنى توسۇش ئۈچۈن زىچ توساق ھاسىل قىلىپ، ۋافېر كەمتۈكلۈك نىسبىتىنى <0.1 كەمتۈكلۈك/cm² كەلتۈرۈپ چىقىرىدۇ.

قوللىنىشچان پروگراممىلار:
- ئاساسلىقى كرېمنىي ئېپىتاكسىيال ئۆسۈشى ئۈچۈن ئىشلىتىلىدۇ
-GaAs، InP قاتارلىق باشقا يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللارنىڭ ئېپىتاكسىيەسىگىمۇ ماس كېلىدۇ.

VET Energy شىركىتى خىمىيىلىك مۇقىملىقىنى ئاشۇرۇش ئۈچۈن CVD-SiC قاپلىمىلىق يۇقىرى ساپلىقتىكى گرافىت ئىشلىتىدۇ:

1. يۇقىرى ساپلىقتىكى گرافىت ماتېرىيالى
يۇقىرى ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى: گرافىتنىڭ ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى كرېمنىينىڭكىدىن ئۈچ ھەسسە يۇقىرى بولۇپ، ئىسسىقلىقنى قىزىتىش مەنبەسىدىن ۋافېرغا تېز سۈرئەتتە يەتكۈزۈپ، قىزىتىش ۋاقتىنى قىسقارتالايدۇ.
مېخانىكىلىق كۈچى: ئىزوستاتىك بېسىملىق گرافىت زىچلىقى ≥ 1.85 گرام/كۋادرات سانتىمېتىر³، 1200 سېلسىيە گرادۇستىن يۇقىرى تېمپېراتۇرىغا بەرداشلىق بېرەلەيدۇ، شەكلى ئۆزگەرمەيدۇ.

2. CVD SiC قاپلىمى
گرافىتنىڭ يۈزىدە خىمىيىلىك پارغا چۆكۈش (CVD) ئارقىلىق β-SiC قەۋىتى ھاسىل بولىدۇ، ساپلىقى ≥ %99.99995، قاپلاش قېلىنلىقىنىڭ بىردەكلىك خاتالىقى ± %5 تىن تۆۋەن، يۈزەكى پۇراقلىقى Ra0.5um دىن تۆۋەن.

3. ئىقتىدارنى ياخشىلاش:
چىرىشكە چىداملىق: Cl2، HCl قاتارلىق يۇقىرى چىرىشچان گازلارغا بەرداشلىق بېرەلەيدۇ، NH3 مۇھىتىدا GaN ئېپىتاكسىيەسىنىڭ ئۆمرىنى ئۈچ ھەسسە ئۇزارتالايدۇ.
ئىسسىقلىق مۇقىملىقى: ئىسسىقلىق كېڭىيىش كوئېففىتسېنتى (4.5 × 10-6/℃) تېمپېراتۇرا ئۆزگىرىشى سەۋەبىدىن يۈز بېرىدىغان قاپلاش يېرىلىشىنىڭ ئالدىنى ئېلىش ئۈچۈن گرافىت بىلەن ماس كېلىدۇ.
قاتتىقلىق ۋە ئۇپراشقا چىداملىقلىق: ۋىكېرس قاتتىقلىقى 28 GPa غا يېتىدۇ، بۇ گرافىتتىن 10 ھەسسە يۇقىرى بولۇپ، ۋافېرنىڭ چىزىلىش خەۋپىنى ئازايتالايدۇ.