ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ಎಪಿ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಬ್ಯಾರೆಲ್ ಸಸೆಪ್ಟರ್

ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ಎಪಿ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಬ್ಯಾರೆಲ್ ಸಸೆಪ್ಟರ್

ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ಎಪಿ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಬ್ಯಾರೆಲ್ ಸಸೆಪ್ಟರ್ಡಿಪಾಸಿಷನ್ ಅಥವಾ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳಂತಹ ಉತ್ಪಾದನಾ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳಲ್ಲಿ ಅರೆವಾಹಕ ತಲಾಧಾರಗಳನ್ನು ಹಿಡಿದಿಟ್ಟುಕೊಳ್ಳಲು ಮತ್ತು ಬಿಸಿಮಾಡಲು ಬಳಸಲಾಗುವ ವಿಶೇಷವಾಗಿ ವಿನ್ಯಾಸಗೊಳಿಸಲಾದ ಬೆಂಬಲ ಮತ್ತು ತಾಪನ ಸಾಧನವಾಗಿದೆ.

ಇದರ ರಚನೆಯು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಸಿಲಿಂಡರಾಕಾರದ ಅಥವಾ ಸ್ವಲ್ಪ ಬ್ಯಾರೆಲ್ ಆಕಾರವನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತದೆ, ಮೇಲ್ಮೈ ಬಹು ಪಾಕೆಟ್‌ಗಳು ಅಥವಾ ವೇಫರ್‌ಗಳನ್ನು ಇರಿಸಲು ವೇದಿಕೆಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತದೆ, ತಾಪನ ವಿಧಾನವನ್ನು ಅವಲಂಬಿಸಿ ಘನ ಅಥವಾ ಟೊಳ್ಳಾದ ವಿನ್ಯಾಸವಾಗಿರಬಹುದು.

ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ಬ್ಯಾರೆಲ್ ಸಸೆಪ್ಟರ್‌ನ ಮುಖ್ಯ ಕಾರ್ಯಗಳು:

1. ವೇಫರ್ ಕ್ಯಾರಿಯರ್ ಮತ್ತು ತಾಪಮಾನ ನಿಯಂತ್ರಣ
ಸಸೆಪ್ಟರ್ ಮೇಲ್ಮೈಯನ್ನು ಬಹು ವೇಫರ್ ಪಾಕೆಟ್‌ಗಳೊಂದಿಗೆ ವಿನ್ಯಾಸಗೊಳಿಸಲಾಗಿದೆ (ಉದಾಹರಣೆಗೆ ಷಡ್ಭುಜೀಯ ಅಥವಾ ಅಷ್ಟಭುಜಾಕೃತಿಯ ಜೋಡಣೆ), ಇದು ಏಕಕಾಲದಲ್ಲಿ 6-15 ವೇಫರ್‌ಗಳನ್ನು ಬೆಂಬಲಿಸುತ್ತದೆ. ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆಯ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್‌ನ (120-150W/mK) ಹೆಚ್ಚಿನ ಉಷ್ಣ ವಾಹಕತೆಯು ವೇಗದ ಶಾಖ ವರ್ಗಾವಣೆಯನ್ನು ಖಾತ್ರಿಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ, ತಿರುಗುವಿಕೆಯ ಕಾರ್ಯದೊಂದಿಗೆ (5-20 RPM) ಸಂಯೋಜಿಸಲ್ಪಟ್ಟಿದೆ, ಇದರ ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ <± 1 ℃ ನ ವೇಫರ್ ಮೇಲ್ಮೈ ತಾಪಮಾನ ವಿಚಲನ ಮತ್ತು <1% ನ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ಪದರದ ದಪ್ಪದ ಏಕರೂಪತೆ ಉಂಟಾಗುತ್ತದೆ.

2. ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯಾಕಾರಿ ಅನಿಲ ಹರಿವಿನ ದಿಕ್ಕಿನ ಆಪ್ಟಿಮೈಸೇಶನ್
ಸಸೆಪ್ಟರ್ ಮೇಲ್ಮೈಯ ಸೂಕ್ಷ್ಮ ರಚನೆಯು ಗಡಿ ಪದರದ ಪರಿಣಾಮವನ್ನು ಮುರಿಯಬಹುದು, ಇದು ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯಾ ಅನಿಲಗಳ ಏಕರೂಪದ ವಿತರಣೆಗೆ (ಉದಾಹರಣೆಗೆ SiH4, NH3) ಅವಕಾಶ ನೀಡುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಶೇಖರಣಾ ದರದ ಸ್ಥಿರತೆಯನ್ನು ಸುಧಾರಿಸುತ್ತದೆ.

3. ಮಾಲಿನ್ಯ ವಿರೋಧಿ ಮತ್ತು ತುಕ್ಕು ನಿರೋಧಕ ರಕ್ಷಣೆ
ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ತಲಾಧಾರಗಳು ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ಕೊಳೆಯುವ ಮತ್ತು ಲೋಹದ ಕಲ್ಮಶಗಳನ್ನು (ಉದಾಹರಣೆಗೆ Fe,Ni) ಬಿಡುಗಡೆ ಮಾಡುವ ಸಾಧ್ಯತೆ ಹೆಚ್ಚು, ಆದರೆ 100μm ದಪ್ಪದ CVD SiC ಲೇಪನವು ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಬಾಷ್ಪೀಕರಣವನ್ನು ನಿಗ್ರಹಿಸಲು ದಟ್ಟವಾದ ತಡೆಗೋಡೆಯನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತದೆ, ಇದರ ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ <0.1 ದೋಷಗಳು/ಸೆಂ ² ವೇಫರ್ ದೋಷದ ದರ ಉಂಟಾಗುತ್ತದೆ.

ಅರ್ಜಿಗಳನ್ನು:
- ಪ್ರಾಥಮಿಕವಾಗಿ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ಬೆಳವಣಿಗೆಗೆ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ
-GaAs, InP, ಇತ್ಯಾದಿ ಇತರ ಅರೆವಾಹಕ ವಸ್ತುಗಳ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಗೂ ಸಹ ಅನ್ವಯಿಸುತ್ತದೆ.

ರಾಸಾಯನಿಕ ಸ್ಥಿರತೆಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸಲು VET ಎನರ್ಜಿಯು CVD-SiC ಲೇಪನದೊಂದಿಗೆ ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆಯ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಅನ್ನು ಬಳಸುತ್ತದೆ:

1. ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆಯ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ವಸ್ತು
ಹೆಚ್ಚಿನ ಉಷ್ಣ ವಾಹಕತೆ: ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್‌ನ ಉಷ್ಣ ವಾಹಕತೆ ಸಿಲಿಕಾನ್‌ಗಿಂತ ಮೂರು ಪಟ್ಟು ಹೆಚ್ಚು, ಇದು ತಾಪನ ಮೂಲದಿಂದ ವೇಫರ್‌ಗೆ ಶಾಖವನ್ನು ತ್ವರಿತವಾಗಿ ವರ್ಗಾಯಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ತಾಪನ ಸಮಯವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ.
ಯಾಂತ್ರಿಕ ಶಕ್ತಿ: ಐಸೊಸ್ಟಾಟಿಕ್ ಒತ್ತಡದ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಸಾಂದ್ರತೆ ≥ 1.85 g/cm ³, ವಿರೂಪಗೊಳ್ಳದೆ 1200 ℃ ಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನವನ್ನು ತಡೆದುಕೊಳ್ಳುವ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ.

2. CVD SiC ಲೇಪನ
ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್‌ನ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ರಾಸಾಯನಿಕ ಆವಿ ಶೇಖರಣೆ (CVD) ಮೂಲಕ β - SiC ಪದರವು ರೂಪುಗೊಳ್ಳುತ್ತದೆ, ಇದರ ಶುದ್ಧತೆಯು ≥ 99.99995% ಆಗಿದೆ, ಲೇಪನ ದಪ್ಪದ ಏಕರೂಪತೆಯ ದೋಷವು ±5% ಕ್ಕಿಂತ ಕಡಿಮೆಯಿದೆ ಮತ್ತು ಮೇಲ್ಮೈ ಒರಟುತನವು Ra0.5um ಗಿಂತ ಕಡಿಮೆಯಿದೆ.

3. ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆ ಸುಧಾರಣೆ:
ತುಕ್ಕು ನಿರೋಧಕತೆ: Cl2, HCl, ಇತ್ಯಾದಿಗಳಂತಹ ಹೆಚ್ಚಿನ ನಾಶಕಾರಿ ಅನಿಲಗಳನ್ನು ತಡೆದುಕೊಳ್ಳಬಲ್ಲದು, NH3 ಪರಿಸರದಲ್ಲಿ GaN ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯ ಜೀವಿತಾವಧಿಯನ್ನು ಮೂರು ಪಟ್ಟು ವಿಸ್ತರಿಸಬಹುದು.
ಉಷ್ಣ ಸ್ಥಿರತೆ: ತಾಪಮಾನದ ಏರಿಳಿತಗಳಿಂದ ಉಂಟಾಗುವ ಲೇಪನ ಬಿರುಕುಗಳನ್ನು ತಪ್ಪಿಸಲು ಉಷ್ಣ ವಿಸ್ತರಣಾ ಗುಣಾಂಕ (4.5 × 10-6/℃) ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್‌ಗೆ ಹೊಂದಿಕೆಯಾಗುತ್ತದೆ.
ಗಡಸುತನ ಮತ್ತು ಉಡುಗೆ ಪ್ರತಿರೋಧ: ವಿಕರ್ಸ್ ಗಡಸುತನವು 28 GPa ತಲುಪುತ್ತದೆ, ಇದು ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್‌ಗಿಂತ 10 ಪಟ್ಟು ಹೆಚ್ಚಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ವೇಫರ್ ಗೀರುಗಳ ಅಪಾಯವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ.