Chì ghjè un vassoio di grafite MOCVD?

A crescita epitassiale di e cialde hè ottenuta per mezu di a tecnulugia di deposizione chimica da vapore metallo-organicu (MOCVD), in a quale i gas ultra-puri sò iniettati in u reattore è finamente dosati, in modu chì si combinanu à temperature elevate per causà interazioni chimiche è sò depositati nantu à e cialde semiconduttori in strati atomichi assai fini per furmà epitassie di materiali è semiconduttori cumposti.

In l'equipaggiu CVD, u sustratu ùn pò esse piazzatu direttamente nantu à u metallu o semplicemente nantu à una basa per a deposizione epitassiale, perchè serà affettatu da parechji fattori. Dunque, hè necessariu un suscettore o un vassoio per tene u sustratu, è dopu aduprà a tecnulugia CVD per realizà a deposizione epitassiale nantu à u sustratu. Stu suscettore hè unSuscettore di grafite MOCVD(chjamatu ancuVassoio di grafite MOCVD).

A so struttura hè mostrata in a figura quì sottu:

Perchè u suscettore di grafite hà bisognu di un rivestimentu CVD?

U suscettore di grafite hè unu di i cumpunenti principali di l'equipaggiu MOCVD. Hè l'elementu purtatore è riscaldante di u sustratu. I so parametri di prestazione cum'è a stabilità termica è l'uniformità termica ghjocanu un rolu decisivu in a qualità di a crescita di u materiale epitassiale, è determinanu direttamente l'uniformità è a purità di i materiali di film sottile epitassiali. Dunque, a so qualità influenza direttamente a preparazione di wafer epitassiali. À u listessu tempu, cù l'aumentu di u numeru d'usi è i cambiamenti in e cundizioni di travagliu, hè assai faciule da usà è strappà, hè un consumabile. L'eccellente conducibilità termica è a stabilità di a grafite li danu un grande vantaghju cum'è cumpunente di basa di l'equipaggiu MOCVD.

Tuttavia, s'ellu si tratta solu di grafite pura, ci saranu qualchi prublemi. In u prucessu di pruduzzione, ci saranu gasi currusivi residuali è materia urganica metallica, è u suscettore di grafite si corroderà è cascherà, ciò chì riduce assai a vita di serviziu di u suscettore di grafite. À u listessu tempu, a polvere di grafite chì cade causerà ancu inquinamentu à u wafer, dunque questi prublemi devenu esse risolti in u prucessu di preparazione di a basa. A tecnulugia di rivestimentu pò furnisce una fissazione di a polvere superficiale, migliurà a cunduttività termica è equilibrà a distribuzione di u calore, è hè diventata a tecnulugia principale per risolve stu prublema.

Sicondu l'ambiente d'applicazione è i requisiti d'usu di a basa di grafite, u rivestimentu superficiale deve avè e seguenti caratteristiche:

1. Alta densità è cupertura cumpleta:A basa di grafite hè in un ambiente di travagliu à alta temperatura è corrosivu. A superficia deve esse cumpletamente cuperta, è u rivestimentu deve avè una bona densità per ghjucà un bon rolu protettivu.

2. Bona planarità di a superficia:Siccomu a basa di grafite aduprata per a crescita di monocristalli richiede una planarità superficiale assai alta, a planarità originale di a basa deve esse mantenuta dopu a preparazione di u rivestimentu, vale à dì, a superficia di u rivestimentu deve esse uniforme.

3. Bona forza di legame:Riducendu a diffarenza di u coefficientu di dilatazione termica trà a basa di grafite è u materiale di rivestimentu pò migliurà efficacemente a forza di legame trà i dui. Dopu avè sperimentatu cicli termichi à alta è bassa temperatura, u rivestimentu ùn hè micca faciule da crepà.

4. Alta conducibilità termica:A crescita di chip d'alta qualità richiede a basa di grafite per furnisce un calore rapidu è uniforme, dunque u materiale di rivestimentu deve avè una alta conducibilità termica.

5. Altu puntu di fusione, resistenza à l'ossidazione à alta temperatura è resistenza à a corrosione:U rivestimentu deve esse capace di travaglià stabilmente in un ambiente di travagliu à alta temperatura è corrosivu.

A stabilità termica, l'uniformità termica è altri parametri di prestazione di uSuscettore di grafite rivestitu di SiCghjucà un rolu decisivu in a qualità di a crescita di u materiale epitassiale, dunque hè u cumpunente chjave principale di l'equipaggiu MOCVD.

A forma cristallina β-SiC (3C-SiC) hè scelta cum'è rivestimentu. In paragone cù altre forme cristalline, sta forma cristallina hà una seria di proprietà eccellenti cum'è una bona stabilità termodinamica, resistenza à l'ossidazione è resistenza à a corrosione. À u listessu tempu, hà una cunduttività termica chì hè basicamente coerente cù quella di a grafite, dendu cusì à a basa di grafite proprietà speciali. Pò risolve efficacemente u fallimentu di a basa di grafite causatu da l'ossidazione è a corrosione à alta temperatura è a perdita di polvere durante u serviziu, è rende a superficia di a basa di grafite densa, non porosa, resistente à alta temperatura, anticorrosione, antiossidazione è altre caratteristiche, migliurendu cusì a qualità epitassiale cristallina è a durata di vita di a basa di grafite (a durata di vita di a basa di grafite rivestita di SiC hè misurata in forni).

Cumu sceglie un vassoio/suscettore di grafite MOCVD resistente à alte temperature è à a corrosione?

Quandu si sceglie unvassoio di grafite o susceptor per MOCVDchì hè resistente à a corrosione à alta temperatura, i seguenti fattori chjave devenu esse cunsiderati:

1. Purità di u materiale:I materiali di grafite di alta purezza ponu resiste megliu à a currusione è à l'ossidazione à alte temperature è riduce l'impattu di l'impurità nantu à u prucessu di deposizione.

2. Densità è porosità:I vassoi di grafite cù alta densità è bassa porosità anu una migliore resistenza meccanica è resistenza à a corrosione, è ponu impedisce efficacemente a penetrazione di gas è l'erosione di u materiale.

3. Cunduttività termica:U vassoio di grafite à alta conducibilità termica aiuta à distribuisce uniformemente u calore, riduce u stress termicu è migliurà a stabilità è a durata di l'attrezzatura.

4. Trattamentu di superficia:I pallets di grafite chì anu subitu un trattamentu superficiale speciale, cum'è u rivestimentu o a placcatura, ponu migliurà ulteriormente a so resistenza à a corrosione è a resistenza à l'usura.

5. Dimensione è forma:Sicondu i requisiti specifichi di l'equipaggiu MOCVD, selezziunate a dimensione è a forma adatte per assicurà a cumpatibilità di u vassoio cù l'equipaggiu è a cunvenienza di funziunamentu.

6. Reputazione di u fabricatore:Sceglite un fabricatore cù una bona reputazione è una ricca sperienza per assicurà l'affidabilità di a qualità di u produttu è u serviziu post-vendita.

7. Efficacia in termini di costi:Nantu à a premessa di risponde à i requisiti tecnichi, cunsiderate l'efficacia in termini di costi è sceglite prudutti cù prestazioni di costu più elevate.

VET Energy hè un fornitore di suscettori di grafite di alta purezza, offremu una larga gamma di categurie, è ponu esse aduprati in apparecchiature MOCVD di diverse marche, mudelli è specifiche. USuscettore di grafite rivestitu di SiCI prudutti da VET Energy ùn anu micca punti di cuntattu di rivestimentu è nisun ligame debule. In termini di durata di vita, ponu risponde à i requisiti di i clienti cù diverse esigenze (cumprese l'usu di atmosfere chì cuntenenu cloru), è i clienti sò benvenuti à cunsultà è dumandà.