Вафер эпитаксиаль үсеш металл органик химик пар парламенты (MOCVD) технологиясе ярдәмендә ирешелә, анда ультра-саф газлар реакторга кертелә һәм нечкә итеп үлчәнә, алар югары температурада берләшеп химик тәэсиргә китерәләр һәм ярымүткәргеч вафаларга бик нечкә атом катламнарына керәләр, материаллар һәм катнаш ярымүткәргечләр.
CVD җиһазларында субстратны металлга яки эпитаксиаль чүпләү өчен нигезгә урнаштырып булмый, чөнки ул күп факторлар тәэсирендә булачак. Шуңа күрә, субстратны тоту өчен, сусептор яки поднос кирәк, аннары субстратта эпитаксиаль чүпләү өчен CVD технологиясен кулланыгыз. Бу сизүче аMOCVD графит сусепторы(шулай ук аталаMOCVD графит поднос).
Аның структурасы түбәндәге рәсемдә күрсәтелгән:
Ни өчен графит сусепторына CVD каплау кирәк?
Графит сусепторы - MOCVD җиһазларының төп компонентларының берсе. Бу субстратның йөртүче һәм җылыту элементы. Аның җылылык тотрыклылыгы һәм җылылык бердәмлеге кебек эш параметрлары эпитаксиаль материал үсешенең сыйфатында хәлиткеч роль уйный, һәм эпитаксиаль нечкә кино материалларының бердәмлеген һәм чисталыгын турыдан-туры билгели. Шуңа күрә аның сыйфаты эпитаксиаль ваферлар әзерләүгә турыдан-туры тәэсир итә. Шул ук вакытта, куллану саны арту һәм эш шартларының үзгәрүе белән, киенү һәм җимерү бик җиңел, ул куллану өчен. Графитның искиткеч җылылык үткәрүчәнлеге һәм тотрыклылыгы аңа MOCVD җиһазларының төп компоненты буларак зур өстенлек бирә.
Ләкин, ул чиста графит булса, кайбер проблемалар килеп чыгачак. Productionитештерү процессында калдыклы коррозив газлар һәм металл органик матдәләр булачак, һәм графит сусепторы коррупцияләнәчәк һәм егылып төшәчәк, бу графит сусепторының хезмәт итү вакытын сизелерлек киметә. Шул ук вакытта, төшкән графит порошогы ваферга пычрануга китерәчәк, шуңа күрә бу проблемаларны базны әзерләү процессында чишәргә кирәк. Каплау технологиясе җир өстендәге порошокны урнаштырырга, җылылык үткәрүчәнлеген арттырырга, җылылык таратуны балансларга мөмкин, һәм бу проблеманы чишү өчен төп технологиягә әйләнде.
Куллану мохите һәм графит базасы таләпләре буенча, өслек каплавы түбәндәге үзенчәлекләргә ия булырга тиеш:
1. Highгары тыгызлык һәм тулы каплау:Графит базасы югары температурада һәм коррозив эш шартларында. Surfaceир өсте тулысынча капланырга тиеш, һәм яхшы саклаучы роль уйнау өчен каплау яхшы тыгызлыкка ия булырга тиеш.
2. Яхшы өслек тигезлеге:Бер кристалл үсеше өчен кулланылган графит базасы бик югары өслек яссылыгын таләп иткәнгә, нигезнең оригиналь яссылыгы каплау әзерләнгәннән соң сакланырга тиеш, ягъни каплау өслеге бертөрле булырга тиеш.
3. Яхшы бәйләнеш көче:Графит базасы һәм каплау материалы арасындагы җылылык киңәю коэффициентындагы аерманы киметү икесе арасындагы бәйләнеш көчен эффектив яхшырта ала. Highгары һәм түбән температуралы җылылык циклын кичергәннән соң, каплау җиңел түгел.
4. Highгары җылылык үткәрүчәнлеге:Chгары сыйфатлы чип үсеше графит базасын тиз һәм бердәм җылылык белән тәэмин итүне таләп итә, шуңа күрә каплау материалы югары җылылык үткәрүчәнлегенә ия булырга тиеш.
5. Highгары эретү ноктасы, югары температураның оксидлашу һәм коррозиягә каршы торуы:Катлам югары температурада һәм коррозив эш шартларында тотрыклы эшли белергә тиеш.
Rылылык тотрыклылыгы, җылылык бердәмлеге һәм башка эш параметрларыSiC капланган графит сусепторыэпитаксиаль материал үсешенең сыйфатында хәлиткеч роль уйный, шуңа күрә ул MOCVD җиһазларының төп компоненты булып тора.
β-SiC (3C-SiC) кристалл формасы каплау рәвешендә сайланган. Башка кристалл формалар белән чагыштырганда, бу кристалл форма яхшы термодинамик тотрыклылык, оксидлашуга һәм коррозиягә каршы тору кебек искиткеч сыйфатларга ия. Шул ук вакытта аның җылылык үткәрүчәнлеге бар, ул нигездә графитныкына туры килә, шулай итеп графит базасына махсус үзенчәлекләр бирә. Ул хезмәт вакытында югары температуралы оксидлашу, коррозия һәм порошок югалу аркасында килеп чыккан графит базасының уңышсызлыгын эффектив чишә ала, һәм графит базының өслеген тыгыз, күзәнәк булмаган, югары температурага чыдам, коррозиягә каршы, оксидлашуга һәм башка характеристикаларга китерә, шуның белән кристалл эпитаксиаль сыйфатын яхшырта һәм графит базасының хезмәт срогы үлчәнә.
Highгары температурага һәм коррозиягә каршы торучы MOCVD графит подносын / сенсорын ничек сайларга?
Сайлаганда аMOCVD өчен графит подшипник яки сусепторюгары температура коррозиясенә чыдам, түбәндәге төп факторларны исәпкә алырга кирәк:
1. Материаль чисталык:Purгары чисталыклы графит материаллары коррозиягә һәм югары температурада оксидлашуга яхшырак каршы тора ала һәм пычракларның чүпләү процессына тәэсирен киметә ала.
2. Тыгызлыгы һәм күзәнәклеге:Highгары тыгызлыклы һәм түбән күзәнәкле графит подшипниклар яхшырак механик көчкә һәм коррозиягә каршы торалар, һәм газ үтеп керүдән һәм материаль эрозиядән эффектив саклый алалар.
3. Rылылык үткәрүчәнлеге:Highгары җылылык үткәрүчәнлеге графит поднос җылылыкны тигез таратырга, җылылык стрессын киметергә, җиһазның тотрыклылыгын һәм хезмәт срогын яхшыртырга ярдәм итә.
4. faceир өстендә эшкәртү:Катлам яки каплау кебек махсус өслек эшкәртмәсе үткән графит паллетлар коррозиягә каршы торуны тагын да көчәйтә һәм киемгә каршы тора ала.
5. Размеры һәм формасы:MOCVD җиһазларының конкрет таләпләренә туры китереп, подносның җиһаз белән туры килүен һәм эшнең уңайлы булуын тәэмин итү өчен тиешле размерны һәм форманы сайлагыз.
6. Manufactитештерүче абруе:Яхшы абруе һәм бай тәҗрибәсе булган җитештерүчене сайлап алыгыз, продуктның сыйфатын һәм сатудан соң хезмәт күрсәтүне.
7. Чыгым-эффективлык:Техник таләпләрне үтәү шартларында, чыгымнарның эффективлыгын исәпкә алыгыз һәм чыгымнары югары булган продуктларны сайлагыз.
VET Energy - югары чисталыклы графитны сизүче тәэмин итүче, без төрле категорияләр тәкъдим итәбез, һәм төрле маркалар, модельләр һәм спецификацияләр MOCVD җиһазларында кулланырга мөмкин. .Әр сүзнеңSiC капланган графит сусепторыVET Energy җитештергән каплау контактлары һәм зәгыйфь сылтамалары юк. Хезмәт срокы ягыннан, алар төрле ихтыяҗлары булган клиентларның таләпләрен канәгатьләндерә алалар (шул исәптән хлорлы атмосфераны куллануны да кертеп), һәм клиентлар консультация һәм тикшерү өчен рәхим итәләр.
Пост вакыты: март-01-2025