D'Epitaxialwuesstem vu Wafer gëtt duerch d'Technologie vun der metallorganescher chemescher Vapordepositioun (MOCVD) erreecht, bei där ultrarein Gase an de Reaktor injizéiert a fein doséiert ginn, sou datt se sech bei erhéichten Temperaturen verbannen fir chemesch Interaktiounen ze verursaachen an a ganz dënnen Atomschichten op Hallefleederwaferen ofgesat ginn, fir eng Epitaxie vu Materialien a Verbindungshalbleeder ze bilden.
An CVD-Ausrüstung kann de Substrat net direkt op Metall oder einfach op eng Basis fir epitaktesch Oflagerung placéiert ginn, well e vu ville Faktoren beaflosst gëtt. Dofir ass e Susceptor oder e Schacht gebraucht fir de Substrat ze halen, an dann gëtt d'CVD-Technologie benotzt fir epitaktesch Oflagerung um Substrat duerchzeféieren. Dëse Susceptor ass en...MOCVD Graphit-Susceptor(och genanntMOCVD Grafittablett).
Seng Struktur gëtt an der Figur hei ënnendrënner gewisen:
Firwat brauch de Graphitsusceptor eng CVD-Beschichtung?
De Graphit-Susceptor ass ee vun den Haaptkomponenten an der MOCVD-Ausrüstung. Hie ass den Träger an den Heizelement vum Substrat. Seng Leeschtungsparameter wéi thermesch Stabilitéit an thermesch Uniformitéit spillen eng entscheedend Roll an der Qualitéit vum epitaktischen Materialwuesstum a bestëmmen direkt d'Uniformitéit an d'Rengheet vun den epitaktischen Dënnschichtmaterialien. Dofir beaflosst seng Qualitéit direkt d'Virbereedung vun epitaktischen Waferen. Gläichzäiteg, mat der Erhéijung vun der Zuel vun den Uwendungen an de Verännerungen vun den Aarbechtsbedingungen, ass e ganz einfach ze verschleissen an ass e Verbrauchsmaterial. Déi exzellent thermesch Konduktivitéit a Stabilitéit vum Graphit ginn him e grousse Virdeel als Basiskomponent vun der MOCVD-Ausrüstung.
Wann et awer nëmme pure Graphit ass, gëtt et e puer Problemer. Am Produktiounsprozess bleiwen korrosiv Gasen a metallesch organesch Matière iwwreg, an de Graphitsusceptor korrodéiert a fält of, wat d'Liewensdauer vum Graphitsusceptor staark reduzéiert. Gläichzäiteg wäert dat falend Graphitpulver och Verschmotzung vum Wafer verursaachen, dofir mussen dës Problemer am Virbereedungsprozess vun der Basis geléist ginn. D'Beschichtungstechnologie kann d'Uewerflächenpulverfixatioun garantéieren, d'Wärmeleitfäegkeet verbesseren an d'Wärmeverdeelung ausbalancéieren, an ass déi Haapttechnologie ginn, fir dëst Problem ze léisen.
Jee no der Uwendungsëmfeld an den Ufuerderunge vun der Graphitbasis soll d'Uewerflächenbeschichtung déi folgend Charakteristiken hunn:
1. Héich Dicht a voll Ofdeckung:D'Grafitbasis ass an enger héichtemperatureger a korrosiver Aarbechtsëmfeld. D'Uewerfläch muss komplett bedeckt sinn, an d'Beschichtung muss eng gutt Dicht hunn, fir eng gutt Schutzroll ze spillen.
2. Gud Uewerflächenflaachheet:Well d'Grafitbasis, déi fir d'Eenkristallwuesstum benotzt gëtt, eng ganz héich Uewerflächenflaachheet erfuerdert, muss déi ursprénglech Flaachheet vun der Basis no der Virbereedung vun der Beschichtung erhale bleiwen, dat heescht, d'Beschichtungsuewerfläch muss gläichméisseg sinn.
3. Gutt Bindungsstäerkt:D'Reduzéierung vum Ënnerscheed am thermeschen Ausdehnungskoeffizient tëscht der Graphitbasis an dem Beschichtungsmaterial kann d'Bindungsstäerkt tëscht deenen zwee effektiv verbesseren. No héijen an niddregen Temperaturen ass d'Beschichtung net einfach ze briechen.
4. Héich thermesch Konduktivitéit:Héichqualitativt Spanwuesstum erfuerdert datt d'Grafitbasis séier an eenheetlech Hëtzt liwwert, dofir soll d'Beschichtungsmaterial eng héich Wärmeleitfäegkeet hunn.
5. Héije Schmelzpunkt, Oxidatiounsbeständegkeet bei héijen Temperaturen a Korrosiounsbeständegkeet:D'Beschichtung soll stabil an enger héijer Temperatur an engem korrosiven Aarbechtsëmfeld funktionéiere kënnen.
D'thermesch Stabilitéit, d'thermesch Uniformitéit an aner Leeschtungsparameter vun derSiC-beschichtete Graphit-Susceptorspillen eng entscheedend Roll an der Qualitéit vum epitaktischen Materialwuesstum, dofir ass et de Kärkomponent vun der MOCVD-Ausrüstung.
Als Beschichtung gëtt β-SiC (3C-SiC) Kristallform ausgewielt. Am Verglach mat anere Kristallformen huet dës Kristallform eng Rei vun exzellenten Eegeschaften, wéi eng gutt thermodynamesch Stabilitéit, Oxidatiounsbeständegkeet a Korrosiounsbeständegkeet. Gläichzäiteg huet se eng Wärmeleitfäegkeet, déi grondsätzlech mat där vum Graphit iwwereneestëmmt, wat der Graphitbasis speziell Eegeschafte gëtt. Si kann effektiv de Feeler vun der Graphitbasis léisen, deen duerch Héichtemperatur-Oxidatioun a Korrosioun a Pulververloscht während dem Gebrauch verursaacht gëtt, an d'Uewerfläch vun der Graphitbasis dicht, net poréis, héichtemperaturbeständeg, korrosiounsbeständeg, antioxidativ an aner Eegeschafte mécht, wouduerch d'epitaxial Qualitéit vum Kristall an d'Liewensdauer vun der Graphitbasis verbessert ginn (d'Liewensdauer vun der SiC-beschichteter Graphitbasis gëtt an Uewen gemooss).
Wéi wielt een e MOCVD-Grafittablett/Susceptor, deen resistent géint héich Temperaturen a Korrosioun ass?
Wann Dir e wieltgraphite Schacht oder susceptor fir MOCVDdéi resistent géint Héichtemperaturkorrosioun ass, sollten déi folgend Schlësselfaktoren berécksiichtegt ginn:
1. Materialreinheet:Héichreine Graphitmaterialien kënne Korrosioun an Oxidatioun bei héijen Temperaturen besser widderstoen an den Impakt vun Ongereinheeten um Oflagerungsprozess reduzéieren.
2. Dicht a Porositéit:Grafittabletten mat héijer Dicht a gerénger Porositéit hunn eng besser mechanesch Stäerkt a Korrosiounsbeständegkeet a kënnen effektiv Gaspenetratioun a Materialerosioun verhënneren.
3. Wärmeleitfäegkeet:De Grafittablett mat héijer thermescher Leetfäegkeet hëlleft d'Hëtzt gläichméisseg ze verdeelen, den thermesche Stress ze reduzéieren an d'Stabilitéit an d'Liewensdauer vun der Ausrüstung ze verbesseren.
4. Uewerflächenbehandlung:Grafitpaletten, déi eng speziell Uewerflächenbehandlung, wéi Beschichtung oder Beschichtung, ënnergaange sinn, kënnen hir Korrosiounsbeständegkeet a Verschleißbeständegkeet weider verbesseren.
5. Gréisst a Form:Geméiss de spezifesche Viraussetzunge vun der MOCVD-Ausrüstung, wielt déi entspriechend Gréisst a Form fir d'Kompatibilitéit vum Tablett mat der Ausrüstung an de Komfort vun der Operatioun ze garantéieren.
6. Ruff vum Hiersteller:Wielt e Produzent mat engem gudde Ruff a räicher Erfahrung, fir d'Zouverlässegkeet vun der Produktqualitéit an dem After-Sales-Service ze garantéieren.
7. Käschteeffizienz:Ënner der Viraussetzung vun der Erfëllung vun den techneschen Ufuerderungen, berécksiichtegt d'Käschteeffizienz a wielt Produkter mat enger méi héijer Käschteleistung.
VET Energy ass e Liwwerant vu Graphit-Susceptoren mat héijer Rengheet, mir bidden eng breet Palette vu Kategorien un, a kënnen a MOCVD-Ausrüstung vu verschiddene Marken, Modeller a Spezifikatioune benotzt ginn.SiC-beschichtete Graphit-SusceptorDéi vu VET Energy produzéiert Produkter hunn keng Beschichtungskontaktpunkten a keng schwaach Verbindungen. Wat d'Liewensdauer ugeet, kënne se den Ufuerderunge vu Clienten mat ënnerschiddleche Bedierfnesser erfëllen (inklusiv d'Benotzung vu chlorhaltegen Atmosphären), a Clienten si wëllkomm fir ze konsultéieren an ze froen.
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 01. Mäerz 2025