Prilagođeni susceptor cijevi s SiC premazom

Bačvasti susceptorje ključna komponenta u procesima epitaksijalnog rasta poluvodiča kao što su MOCVD, MBE, CVD. Uglavnom se koristi za nošenje pločica u reakcijskim komorama visoke temperature i osiguravanje ujednačenog i stabilnog okruženja toplinskog polja kako bi se osiguralo precizno taloženje epitaksijalnih slojeva (kao što su GaN, SiC itd.). Njegova glavna funkcija je postizanje visoke ujednačenosti temperature površine pločice preciznom kontrolom toplinskog polja, čime se osigurava ujednačenost debljine, koncentracije dopiranja i kristalne strukture epitaksijalnih tankih filmova.

Koristimo našu patentiranu tehnologiju za izradususceptor cijevis izuzetno visokom čistoćom, dobrom ujednačenošću premaza i izvrsnim vijekom trajanja, kao i visokom kemijskom otpornošću i toplinskom stabilnošću.

VET Energy koristi grafit visoke čistoće s CVD-SiC premazom za poboljšanje kemijske stabilnosti:

1. Grafitni materijal visoke čistoće
Visoka toplinska vodljivost: toplinska vodljivost grafita je tri puta veća od toplinske vodljivosti silicija, što može brzo prenijeti toplinu s izvora topline na pločicu i skratiti vrijeme zagrijavanja.
Mehanička čvrstoća: Gustoća grafita pri izostatičkom tlaku ≥ 1,85 g/cm³, sposoban izdržati visoke temperature iznad 1200 ℃ bez deformacije.

2. CVD SiC premaz
Sloj β-SiC nastaje na površini grafita kemijskim taloženjem iz pare (CVD), s čistoćom od ≥ 99,99995%, pogreškom ujednačenosti debljine premaza manjom od ± 5%, a hrapavošću površine manjom od Ra0,5um.

3. Poboljšanje performansi:
Otpornost na koroziju: može izdržati visoke korozivne plinove poput Cl2, HCl itd., može produžiti vijek trajanja GaN epitaksije za tri puta u NH3 okruženju.
Toplinska stabilnost: Koeficijent toplinskog širenja (4,5 × 10-6/℃) odgovara grafitu kako bi se izbjeglo pucanje premaza uzrokovano temperaturnim fluktuacijama.
Tvrdoća i otpornost na habanje: Vickersova tvrdoća doseže 28 GPa, što je 10 puta više od grafita i može smanjiti rizik od ogrebotina na pločici.