Advanced SiC Cantilever Paddle ສໍາລັບການປຸງແຕ່ງ Wafer

ລາຍລະອຽດສັ້ນ:

Advanced SiC Cantilever Paddle ສໍາລັບການປຸງແຕ່ງ wafer ທີ່ເປີດຕົວໂດຍ vet-china ໃຊ້ວັດສະດຸ SiC ເຕັກໂນໂລຢີສູງເພື່ອປັບປຸງປະສິດທິພາບແລະຄວາມແມ່ນຍໍາຂອງການປຸງແຕ່ງ wafer. paddle cantilever ຂອງ Vet-china ມີລັກສະນະການຕໍ່ຕ້ານຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດແລະການຕໍ່ຕ້ານ corrosion, ຮັບປະກັນການປະຕິບັດການຈັດການ wafer ທີ່ຫມັ້ນຄົງໃນສະພາບແວດລ້ອມການຜະລິດທີ່ຮຸນແຮງ, ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນທາງເລືອກທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບການປັບປຸງຜົນຜະລິດການຜະລິດ.

ສົ່ງອີເມວຫາພວກເຮົາ ດາວໂຫຼດເປັນ PDF

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ປ້າຍກຳກັບສິນຄ້າ

ຂັ້ນສູງSiC Cantilever Paddleສໍາລັບການປຸງແຕ່ງ Wafer ສ້າງໂດຍ vet-china ສະຫນອງການແກ້ໄຂທີ່ດີເລີດສໍາລັບການຜະລິດ semiconductor. paddle cantilever ນີ້ແມ່ນເຮັດຈາກວັດສະດຸ SiC (silicon carbide), ແລະຄວາມແຂງສູງແລະທົນທານຕໍ່ຄວາມຮ້ອນເຮັດໃຫ້ມັນສາມາດຮັກສາປະສິດທິພາບທີ່ດີເລີດໃນອຸນຫະພູມສູງແລະສະພາບແວດລ້ອມ corrosive. ການອອກແບບຂອງ Cantilever Paddle ອະນຸຍາດໃຫ້ wafer ໄດ້ຮັບການສະຫນັບສະຫນູນທີ່ຫນ້າເຊື່ອຖືໃນລະຫວ່າງການປຸງແຕ່ງ, ຫຼຸດຜ່ອນຄວາມສ່ຽງຕໍ່ການແຕກແຍກແລະຄວາມເສຍຫາຍ.

SiC Cantilever Paddleເປັນອົງປະກອບພິເສດທີ່ໃຊ້ໃນອຸປະກອນການຜະລິດ semiconductor ເຊັ່ນ furnace oxidation, furnace ການແຜ່ກະຈາຍ, ແລະ furnace annealing, ການນໍາໃຊ້ຕົ້ນຕໍແມ່ນສໍາລັບການໂຫຼດແລະ unloading wafer, ສະຫນັບສະຫນູນແລະການຂົນສົ່ງ wafers ໃນລະຫວ່າງການຂະບວນການອຸນຫະພູມສູງ.

ໂຄງສ້າງທົ່ວໄປຂອງSiCcຕ້ານລີເວີpaddle: ໂຄງສ້າງ cantilever, ສ້ອມແຊມຢູ່ສົ້ນໜຶ່ງ ແລະ ຫວ່າງຢູ່ອີກເບື້ອງໜຶ່ງ, ໂດຍປົກກະຕິມີການອອກແບບທີ່ຮາບພຽງ ແລະ ຄ້າຍ paddle.

ພະລັງງານ VET ໃຊ້ວັດສະດຸ silicon carbide recrystallized ຄວາມບໍລິສຸດສູງເພື່ອຮັບປະກັນຄຸນນະພາບ.

ຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບຂອງ Recrystallized Silicon Carbide
ຊັບສິນ	ຄ່າປົກກະຕິ
ອຸນຫະພູມເຮັດວຽກ (°C)	1600°C (ມີອົກຊີເຈນ), 1700°C (ສະພາບແວດລ້ອມການຫຼຸດຜ່ອນ)
ເນື້ອໃນ SiC	> 99.96%
ເນື້ອຫາ Si ຟຣີ	< 0.1%
ຄວາມຫນາແຫນ້ນຫຼາຍ	2.60-2.70 g/ຊມ³
porosity ປາກົດຂື້ນ	< 16%
ແຮງບີບອັດ	> 600MPa
ຄວາມແຂງຂອງໂຄ້ງເຢັນ	80-90 MPa (20°C)
ແຮງບິດຮ້ອນ	90-100 MPa (1400 ° C)
ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ @1500°C	4.70 10^-6/°C
ການນໍາໃຊ້ຄວາມຮ້ອນ @1200°C	23W/m•K
ໂມດູລສຕິກ	240 GPa
ຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນ	ດີຫຼາຍ