प्रगतSiC कॅन्टिलिव्हर पॅडलव्हेट-चायना द्वारे तयार केलेले फॉर वेफर प्रोसेसिंग हे सेमीकंडक्टर उत्पादनासाठी एक उत्कृष्ट उपाय प्रदान करते. हे कॅन्टिलिव्हर पॅडल SiC (सिलिकॉन कार्बाइड) मटेरियलपासून बनलेले आहे आणि त्याची उच्च कडकपणा आणि उष्णता प्रतिरोधकता उच्च तापमान आणि संक्षारक वातावरणात उत्कृष्ट कामगिरी राखण्यास सक्षम करते. कॅन्टिलिव्हर पॅडलची रचना प्रक्रियेदरम्यान वेफरला विश्वासार्हपणे आधार देण्यास अनुमती देते, ज्यामुळे विखंडन आणि नुकसान होण्याचा धोका कमी होतो.
SiC कॅन्टिलिव्हर पॅडलऑक्सिडेशन फर्नेस, डिफ्यूजन फर्नेस आणि अॅनिलिंग फर्नेस सारख्या सेमीकंडक्टर उत्पादन उपकरणांमध्ये वापरला जाणारा एक विशेष घटक आहे, मुख्य वापर वेफर लोडिंग आणि अनलोडिंगसाठी आहे, उच्च-तापमान प्रक्रियेदरम्यान वेफरला आधार देतो आणि वाहतूक करतो.
सामान्य रचनाच्याएसआयसीcअँटीलिव्हरpअडथळे आणणे: एका टोकाला स्थिर आणि दुसऱ्या टोकाला मोकळी असलेली कॅन्टिलिव्हर रचना, सामान्यतः सपाट आणि पॅडलसारखी डिझाइन असते.
गुणवत्तेची हमी देण्यासाठी व्हीईटी एनर्जी उच्च शुद्धतेचे रीक्रिस्टलाइज्ड सिलिकॉन कार्बाइड मटेरियल वापरते.
| रीक्रिस्टलाइज्ड सिलिकॉन कार्बाइडचे भौतिक गुणधर्म | |
| मालमत्ता | सामान्य मूल्य |
| कार्यरत तापमान (°C) | १६००°C (ऑक्सिजनसह), १७००°C (कमी करणारे वातावरण) |
| SiC सामग्री | > ९९.९६% |
| मोफत Si सामग्री | < ०.१% |
| मोठ्या प्रमाणात घनता | २.६०-२.७० ग्रॅम/सेमी3 |
| स्पष्ट सच्छिद्रता | < १६% |
| कॉम्प्रेशन ताकद | > ६००एमपीए |
| थंड वाकण्याची ताकद | ८०-९० एमपीए (२०°से) |
| गरम वाकण्याची ताकद | ९०-१०० एमपीए (१४००°से) |
| १५००°C तापमानात थर्मल एक्सपेंशन | ४.७० १०-6/°से. |
| १२००°C वर औष्णिक चालकता | २३प/मीटर•के |
| लवचिक मापांक | २४० जीपीए |
| थर्मल शॉक प्रतिरोधकता | खूप चांगले |
वेफर प्रक्रियेसाठी व्हीईटी एनर्जीच्या प्रगत एसआयसी कॅन्टिलिव्हर पॅडलचे फायदे आहेत:
-उच्च तापमान स्थिरता: १६००°C वरील वातावरणात वापरण्यायोग्य;
-कमी थर्मल एक्सपेंशन गुणांक: मितीय स्थिरता राखते, वेफर वॉरपेज धोका कमी करते;
-उच्च शुद्धता: धातू दूषित होण्याचा धोका कमी;
-रासायनिक जडत्व: गंज-प्रतिरोधक, विविध वायू वातावरणासाठी योग्य;
-उच्च शक्ती आणि कडकपणा: पोशाख-प्रतिरोधक, दीर्घ सेवा आयुष्य;
-उत्तम औष्णिक चालकता: वेफरला एकसमान गरम करण्यास मदत करते.
