सानुकूलित एसआयसी लेपित बॅरल ससेप्टर

बॅरल ससेप्टरMOCVD, MBE, CVD सारख्या सेमीकंडक्टर एपिटॅक्सियल वाढ प्रक्रियांमध्ये हा एक मुख्य घटक आहे. याचा उपयोग प्रामुख्याने उच्च-तापमान प्रतिक्रिया कक्षांमध्ये वेफर्स वाहून नेण्यासाठी आणि एपिटॅक्सियल थरांचे (जसे की GaN, SiC, इत्यादी) अचूक निक्षेपण सुनिश्चित करण्यासाठी एकसमान आणि स्थिर औष्णिक क्षेत्र वातावरण प्रदान करण्यासाठी केला जातो. अचूक औष्णिक क्षेत्र नियंत्रणाद्वारे वेफरच्या पृष्ठभागाच्या तापमानात उच्च एकसमानता साधणे हे त्याचे मुख्य कार्य आहे, ज्यामुळे एपिटॅक्सियल पातळ थरांची जाडी, डोपिंग सांद्रता आणि स्फटिक संरचनेची एकसमानता सुनिश्चित होते.

आम्ही आमचे पेटंट केलेले तंत्रज्ञान वापरून बनवतोबॅरल ससेप्टरअत्यंत उच्च शुद्धता, उत्तम कोटिंग एकसमानता आणि उत्कृष्ट सेवा आयुष्य, तसेच उच्च रासायनिक प्रतिकारशक्ती आणि औष्णिक स्थिरता या गुणधर्मांसह.

VET एनर्जी रासायनिक स्थिरता वाढवण्यासाठी CVD-SiC कोटिंग असलेल्या उच्च शुद्धतेच्या ग्रॅफाइटचा वापर करते:

१. उच्च शुद्धतेचे ग्रॅफाइट साहित्य
उच्च औष्णिक वाहकता: ग्रॅफाइटची औष्णिक वाहकता सिलिकॉनपेक्षा तिप्पट असते, ज्यामुळे उष्णता स्रोतापासून वेफरपर्यंत उष्णता वेगाने हस्तांतरित होते आणि तापवण्याचा वेळ कमी होतो.
यांत्रिक शक्ती: आयसोस्टॅटिक प्रेशर ग्रॅफाइटची घनता ≥ 1.85 g/cm³, 1200 ℃ पेक्षा जास्त उच्च तापमान विकृतीशिवाय सहन करण्यास सक्षम.

२. सीव्हीडी एसआयसी कोटिंग
केमिकल व्हेपर डिपॉझिशन (CVD) द्वारे ग्रॅफाइटच्या पृष्ठभागावर β - SiC चा थर तयार केला जातो, ज्याची शुद्धता ≥ 99.99995% असते, कोटिंगच्या जाडीतील एकसमानतेची त्रुटी ±5% पेक्षा कमी असते आणि पृष्ठभागाची खडबड Ra0.5um पेक्षा कमी असते.

३. कार्यक्षमतेत सुधारणा:
क्षरण प्रतिरोध: Cl2, HCl, इत्यादींसारख्या उच्च क्षरणकारी वायूंचा सामना करू शकते, NH3 वातावरणात GaN एपिटॅक्सीचे आयुष्य तीन पटीने वाढवू शकते.
औष्णिक स्थिरता: औष्णिक प्रसरण गुणांक (4.5 × 10-6/℃) ग्रॅफाइटशी जुळतो, ज्यामुळे तापमानातील चढउतारामुळे होणारे कोटिंगचे तडे टाळता येतात.
कठोरता आणि झीज प्रतिरोध: विकर्स कठोरता २८ GPa पर्यंत पोहोचते, जी ग्रॅफाइटपेक्षा १० पट जास्त आहे आणि त्यामुळे वेफरवर ओरखडे पडण्याचा धोका कमी होऊ शकतो.