Apakah salutan sic?

Silikon Karbidaialah sebatian keras yang mengandungi silikon dan karbon, dan terdapat dalam alam semula jadi sebagai mineral moissanit yang sangat jarang ditemui. Zarah silikon karbida boleh diikat bersama melalui pensinteran untuk membentuk seramik yang sangat keras, yang digunakan secara meluas dalam aplikasi yang memerlukan ketahanan yang tinggi, terutamanya dalam prosesi semikonduktor.

Struktur fizikal SiC

Salutan SiC ialah salutan silikon karbida yang padat dan tahan haus dengan rintangan kakisan dan haba yang tinggi serta kekonduksian terma yang sangat baik. Salutan SiC berketulenan tinggi ini digunakan terutamanya dalam industri semikonduktor dan elektronik untuk melindungi pembawa wafer, tapak dan elemen pemanasan daripada persekitaran menghakis dan reaktif. Salutan SiC juga sesuai untuk relau vakum dan pemanasan sampel dalam persekitaran vakum, reaktif dan oksigen yang tinggi.

Permukaan salutan SiC ketulenan tinggi

Apakah proses salutan SiC?

Lapisan nipis silikon karbida dimendapkan pada permukaan substrat menggunakanCVD (Pemendapan Wap Kimia)Pemendapan biasanya dijalankan pada suhu 1200-1300°C dan sifat pengembangan haba bahan substrat hendaklah serasi dengan salutan SiC untuk meminimumkan tekanan haba.

STRUKTUR KRISTAL FILEM SIC CVD

STRUKTUR KRISTAL FILEM Salutan SIC CVD

Sifat fizikal salutan SiC terutamanya tercermin dalam rintangan suhu tinggi, kekerasan, rintangan kakisan dan kekonduksian terma.

Parameter fizikal biasa biasanya seperti berikut:

KekerasanSalutan SiC biasanya mempunyai Kekerasan Vickers dalam julat 2000-2500 HV, yang memberikannya rintangan haus dan hentaman yang sangat tinggi dalam aplikasi perindustrian.

KetumpatanSalutan SiC biasanya mempunyai ketumpatan 3.1-3.2 g/cm³. Ketumpatan yang tinggi menyumbang kepada kekuatan mekanikal dan ketahanan salutan.

Kekonduksian termaSalutan SiC mempunyai kekonduksian terma yang tinggi, biasanya dalam julat 120-200 W/mK (pada 20°C). Ini memberikan kekonduksian terma yang baik dalam persekitaran suhu tinggi dan menjadikannya amat sesuai untuk peralatan rawatan haba dalam industri semikonduktor.

Takat lebursilikon karbida mempunyai takat lebur kira-kira 2730°C dan mempunyai kestabilan terma yang sangat baik pada suhu yang melampau.

Pekali Pengembangan TermaSalutan SiC mempunyai pekali pengembangan haba linear (CTE) yang rendah, biasanya dalam julat 4.0-4.5 µm/mK (dalam suhu 25-1000℃). Ini bermakna kestabilan dimensinya sangat baik terhadap perbezaan suhu yang besar.

Rintangan kakisanSalutan SiC sangat tahan terhadap kakisan dalam persekitaran asid kuat, alkali dan pengoksidaan, terutamanya apabila menggunakan asid kuat (seperti HF atau HCl), rintangan kakisannya jauh melebihi bahan logam konvensional.

Substrat aplikasi salutan SiC

Salutan SiC sering digunakan untuk meningkatkan rintangan kakisan, rintangan suhu tinggi dan rintangan hakisan plasma pada substrat. Substrat aplikasi biasa termasuk yang berikut:

Jenis substrat	Sebab permohonan	Penggunaan biasa
Grafit	- Struktur ringan, kekonduksian terma yang baik - Tetapi mudah terhakis oleh plasma, memerlukan perlindungan salutan SiC	Bahagian ruang vakum, bot grafit, dulang ukiran plasma, dsb.
Kuarza (Kuarza/SiO₂)	- Ketulenan tinggi tetapi mudah berkarat - Salutan meningkatkan rintangan hakisan plasma	Bahagian ruang CVD/PECVD
Seramik (seperti alumina Al₂O₃)	- Kekuatan tinggi dan struktur yang stabil - Salutan meningkatkan rintangan kakisan permukaan	Lapisan ruang, lekapan, dsb.
Logam (seperti molibdenum, titanium, dll.)	- Kekonduksian terma yang baik tetapi rintangan kakisan yang lemah - Salutan meningkatkan kestabilan permukaan	Komponen tindak balas proses khas
Badan sinter silikon karbida (pukal SiC)	- Untuk persekitaran dengan keperluan tinggi untuk keadaan kerja yang kompleks - Salutan meningkatkan lagi ketulenan dan rintangan kakisan	Komponen ruang CVD/ALD mewah

Produk bersalut SiC biasanya digunakan dalam bidang semikonduktor berikut

Produk salutan SiC digunakan secara meluas dalam pemprosesan semikonduktor, terutamanya dalam suhu tinggi, kakisan tinggi dan persekitaran plasma yang kuat. Berikut adalah beberapa proses atau medan aplikasi utama dan penerangan ringkas:

Proses/bidang permohonan	Penerangan ringkas	Fungsi Salutan Silikon Karbida
Pengukiran plasma (Pengukiran)	Gunakan gas berasaskan fluorin atau klorin untuk pemindahan corak	Tahan hakisan plasma dan cegah pencemaran zarah dan logam
Pemendapan wap kimia (CVD/PECVD)	Pemendapan oksida, nitrida dan filem nipis lain	Tahan gas pelopor yang menghakis dan tingkatkan jangka hayat komponen
Kebuk pemendapan wap fizikal (PVD)	Pengeboman zarah bertenaga tinggi semasa proses salutan	Meningkatkan rintangan hakisan dan rintangan haba ruang tindak balas
Proses MOCVD (seperti pertumbuhan epitaksi SiC)	Tindak balas jangka panjang di bawah suhu tinggi dan atmosfera menghakis hidrogen tinggi	Mengekalkan kestabilan peralatan dan mencegah pencemaran kristal yang sedang berkembang
Proses rawatan haba (LPCVD, resapan, penyepuhlindapan, dll.)	Biasanya dijalankan pada suhu tinggi dan vakum/atmosfera	Lindungi bot dan dulang grafit daripada pengoksidaan atau kakisan
Pembawa/chuck wafer (Pengendalian wafer)	Tapak grafit untuk pemindahan atau sokongan wafer	Kurangkan penumpahan zarah dan elakkan pencemaran sentuhan
Komponen ruang ALD	Mengawal pemendapan lapisan atom secara berulang kali dan tepat	Salutan ini memastikan ruang bersih dan mempunyai rintangan kakisan yang tinggi terhadap prekursor

Mengapa memilih VET Energy?

VET Energy ialah pengeluar, inovator dan peneraju produk salutan SiC terkemuka di China, produk salutan SiC utama termasukpembawa wafer dengan salutan SiC, bersalut SiCsusseptor epitaksial, Cincin grafit bersalut SiC, Bahagian separuh bulan dengan salutan SiC, Komposit karbon-karbon bersalut SiC, Bot wafer bersalut SiC, Pemanas bersalut SiC, dll. VET Energy komited untuk menyediakan industri semikonduktor dengan penyelesaian teknologi dan produk terunggul, dan menyokong perkhidmatan penyesuaian. Kami amat berharap dapat menjadi rakan kongsi jangka panjang anda di China.