Բարելի ընկալիչկիսահաղորդչային էպիտաքսիալ աճի գործընթացներում, ինչպիսիք են MOCVD-ն, MBE-ն, CVD-ն, հիմնական բաղադրիչ է: Այն հիմնականում օգտագործվում է բարձր ջերմաստիճանի ռեակցիայի խցիկներում վաֆլիներ տեղափոխելու և միատարր ու կայուն ջերմային դաշտի միջավայր ապահովելու համար՝ էպիտաքսիալ շերտերի (օրինակ՝ GaN, SiC և այլն) ճշգրիտ նստեցումն ապահովելու համար: Դրա հիմնական գործառույթը վաֆլիի մակերևույթի ջերմաստիճանի բարձր միատարրության հասնելն է՝ ճշգրիտ ջերմային դաշտի կառավարման միջոցով, այդպիսով ապահովելով էպիտաքսիալ բարակ թաղանթների հաստությունը, խառնուրդի կոնցենտրացիան և բյուրեղային կառուցվածքի միատարրությունը:
Մենք օգտագործում ենք մեր արտոնագրված տեխնոլոգիան՝ ստեղծելու համարփողային ընկալիչչափազանց բարձր մաքրությամբ, լավ ծածկույթի միատարրությամբ և գերազանց ծառայության ժամկետով, ինչպես նաև բարձր քիմիական դիմադրողականությամբ և ջերմային կայունության հատկություններով։
VET Energy-ն օգտագործում է բարձր մաքրության գրաֆիտ՝ CVD-SiC ծածկույթով՝ քիմիական կայունությունը բարձրացնելու համար։
1. Բարձր մաքրության գրաֆիտային նյութ
Բարձր ջերմահաղորդականություն. գրաֆիտի ջերմահաղորդականությունը երեք անգամ ավելի է, քան սիլիցիումինը, ինչը կարող է արագորեն ջերմությունը փոխանցել ջեռուցման աղբյուրից վաֆլի և կրճատել ջեռուցման ժամանակը։
Մեխանիկական ամրություն՝ իզոստատիկ ճնշման գրաֆիտի խտություն ≥ 1.85 գ/սմ³, կարող է դիմակայել 1200 ℃-ից բարձր բարձր ջերմաստիճաններին առանց դեֆորմացիայի։
2. CVD SiC ծածկույթ
Գրաֆիտի մակերեսին քիմիական գոլորշու նստեցման (ՔԳՆ) միջոցով առաջանում է β-SiC շերտ՝ ≥ 99.99995% մաքրությամբ, ծածկույթի հաստության միատարրության սխալը պակաս է ±5%-ից, իսկ մակերեսի կոպտությունը՝ պակաս է Ra0.5um-ից։
3. Արդյունավետության բարելավում.
Կոռոզիայի դիմադրություն. կարող է դիմակայել բարձր կոռոզիոն գազերին, ինչպիսիք են Cl2-ը, HCl-ը և այլն, կարող է երեք անգամ երկարացնել GaN էպիտաքսիայի կյանքի տևողությունը NH3 միջավայրում:
Ջերմային կայունություն. Ջերմային ընդարձակման գործակիցը (4.5 × 10-6/℃) համապատասխանում է գրաֆիտին՝ ջերմաստիճանի տատանումներից առաջացող ծածկույթի ճաքերը կանխելու համար։
Կարծրություն և մաշվածության դիմադրություն. Վիկերսի կարծրությունը հասնում է 28 ԳՊա-ի, որը 10 անգամ ավելի բարձր է, քան գրաֆիտինը և կարող է նվազեցնել վաֆլիի քերծվածքների ռիսկը։
| Սրտանոթային հիվանդություն SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC-ի հիմնական ֆիզիկական հատկություններըծածկույթ | |
| 性质 / Գույք | 典型数值 / Տիպիկ արժեք |
| 晶体结构 / Բյուրեղային կառուցվածք | FCC β փուլ多晶,主要为(111): |
| 密度 / Խտություն | 3.21 գ/սմ³ |
| 硬度 / Կարծրություն | 2500 գրամ (500 գ բեռ) |
| 晶粒大小 / Հացահատիկի չափս | 2~10 մկմ |
| 纯度 / Քիմիական մաքրություն | 99.99995% |
| 热容 / Ջերմային հզորություն | 640 Ջ·կգ-1·Կ-1 |
| 升华温度 / Սուբլիմացիայի ջերմաստիճան | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Ճկման ամրություն | 415 ՄՊա RT 4-կետանոց |
| 杨氏模量 / Յանգի մոդուլը | 430 Gpa 4pt ծռում, 1300℃ |
| 导热系数 / ԹերմալՀաղորդականություն | 300 Վտ·մ-1·Կ-1 |
| 热膨胀系数 / Ջերմային ընդարձակում (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
«Նինգբո ՎԵՏ Էներջի Թեքնոլոջի Քո.» ՍՊԸ-ն բարձր տեխնոլոգիական ձեռնարկություն է, որը կենտրոնանում է բարձրակարգ առաջադեմ նյութերի մշակման և արտադրության վրա, նյութեր և տեխնոլոգիաներ, ներառյալ գրաֆիտը, սիլիցիումի կարբիդը, կերամիկան, մակերեսային մշակումը, ինչպիսիք են SiC ծածկույթը, TaC ծածկույթը, ապակեածխածնային ծածկույթը, պիրոլիտիկ ածխածնային ծածկույթը և այլն, այս արտադրանքը լայնորեն կիրառվում է ֆոտովոլտային, կիսահաղորդչային, նոր էներգիայի, մետալուրգիայի և այլն ոլորտներում:
Մեր տեխնիկական թիմը գալիս է առաջատար տեղական հետազոտական հաստատություններից և մշակել է բազմաթիվ արտոնագրված տեխնոլոգիաներ՝ արտադրանքի կատարողականությունն ու որակը ապահովելու համար, ինչպես նաև կարող է հաճախորդներին տրամադրել մասնագիտական նյութական լուծումներ:
-
Կիսալուսնի մաս՝ տանտալի կարբիդի ծածկույթով
-
5 կՎտ նոր տեխնոլոգիա լավ կատարողականությամբ SOFC հզորություն ...
-
Ածխածնային-ածխածնային կոմպոզիտային թիթեղ SiC ծածկույթով
-
Բարձր մաքրության, բարձր ջերմաստիճանի դիմացկուն գրաֆիտ...
-
Ջերմային ճկուն գրաֆիտային թուղթը հաղորդում է էլեկտրական հոսանք...
-
125 կՎտ հզորությամբ տրանսպորտային միջոցի պրոտոնափոխանակման թաղանթային ջրածնային...




