SiC Coated Barrel Susceptor sing disesuaikan

Suseptor barelminangka komponen inti ing proses pertumbuhan epitaxial semikonduktor kayata MOCVD, MBE, CVD. Utamane digunakake kanggo nindakake wafer ing kamar reaksi suhu dhuwur lan nyedhiyakake lingkungan lapangan termal sing seragam lan stabil kanggo njamin deposisi lapisan epitaxial sing tepat (kayata GaN, SiC, lan sapiturute). Fungsi inti yaiku kanggo nggayuh keseragaman suhu permukaan wafer kanthi kontrol lapangan termal sing tepat, saéngga njamin ketebalan, konsentrasi doping, lan keseragaman struktur kristal film tipis epitaxial.

Kita nggunakake teknologi paten kita kanggo nggawelaras susceptorkanthi kemurnian sing dhuwur banget, keseragaman lapisan sing apik lan umur layanan sing apik, uga tahan kimia lan sifat stabilitas termal.

VET Energy nggunakake grafit kemurnian dhuwur kanthi lapisan CVD-SiC kanggo nambah stabilitas kimia:

1. materi grafit kemurnian dhuwur
Konduktivitas termal sing dhuwur: konduktivitas termal grafit kaping telu luwih saka silikon, sing bisa cepet nransfer panas saka sumber panas menyang wafer lan nyepetake wektu pemanasan.
Kekuwatan mekanik: Kapadhetan grafit tekanan isostatik ≥ 1,85 g / cm ³, bisa tahan suhu dhuwur ing ndhuwur 1200 ℃ tanpa deformasi.

2. Lapisan CVD SiC
Lapisan β - SiC dibentuk ing permukaan grafit kanthi deposisi uap kimia (CVD), kanthi kemurnian ≥ 99.99995%, kesalahan keseragaman ketebalan lapisan kurang saka ± 5%, lan kekasaran permukaan kurang saka Ra0.5um.

3. Peningkatan kinerja:
Resistance korosi: bisa tahan gas korosif dhuwur kayata Cl2, HCl, etc, bisa ngluwihi umur epitaxy GaN kaping telu ing lingkungan NH3.
Stabilitas termal: Koefisien ekspansi termal (4,5 × 10-6 / ℃) cocog karo grafit supaya ora retak lapisan sing disebabake fluktuasi suhu.
Kekerasan lan Ketahanan Wear: Kekerasan Vickers tekan 28 GPa, yaiku 10 kaping luwih dhuwur tinimbang grafit lan bisa nyuda risiko goresan wafer.