సిక్ కోటింగ్ అంటే ఏమిటి?

సిలికాన్ కార్బైడ్సిలికాన్ మరియు కార్బన్‌లను కలిగి ఉన్న ఒక గట్టి సమ్మేళనం, ఇది ప్రకృతిలో మోయిసనైట్ అనే అత్యంత అరుదైన ఖనిజంగా లభిస్తుంది. సిలికాన్ కార్బైడ్ కణాలను సింటరింగ్ ద్వారా బంధించి చాలా గట్టి సిరామిక్‌లను తయారు చేయవచ్చు, వీటిని అధిక మన్నిక అవసరమయ్యే అనువర్తనాలలో, ముఖ్యంగా సెమీకండక్టర్ తయారీలో విస్తృతంగా ఉపయోగిస్తారు.

SiC యొక్క భౌతిక నిర్మాణం

SiC కోటింగ్ అంటే ఏమిటి?

SiC కోటింగ్ అనేది అధిక తుప్పు నిరోధకత, ఉష్ణ నిరోధకత మరియు అద్భుతమైన ఉష్ణ వాహకత కలిగిన ఒక దట్టమైన, అరుగుదలను తట్టుకునే సిలికాన్ కార్బైడ్ కోటింగ్. ఈ అధిక స్వచ్ఛత గల SiC కోటింగ్‌ను ప్రధానంగా సెమీకండక్టర్ మరియు ఎలక్ట్రానిక్స్ పరిశ్రమలలో వేఫర్ క్యారియర్‌లు, బేస్‌లు మరియు హీటింగ్ ఎలిమెంట్‌లను తుప్పు పట్టించే మరియు చర్య జరిపే వాతావరణాల నుండి రక్షించడానికి ఉపయోగిస్తారు. SiC కోటింగ్ వాక్యూమ్ ఫర్నేస్‌లకు మరియు అధిక వాక్యూమ్, చర్య జరిపే మరియు ఆక్సిజన్ వాతావరణాలలో నమూనాలను వేడి చేయడానికి కూడా అనుకూలంగా ఉంటుంది.

అధిక స్వచ్ఛత గల SiC పూత ఉపరితలం

SiC పూత ప్రక్రియ అంటే ఏమిటి?

సబ్‌స్ట్రేట్ ఉపరితలంపై సిలికాన్ కార్బైడ్ యొక్క పలుచని పొరను ఉపయోగించి నిక్షేపించబడుతుందిసివిడి (కెమికల్ వేపర్ డిపోజిషన్)సాధారణంగా 1200-1300°C ఉష్ణోగ్రతల వద్ద పూత వేయబడుతుంది మరియు ఉష్ణ ఒత్తిడిని తగ్గించడానికి సబ్‌స్ట్రేట్ పదార్థం యొక్క ఉష్ణ వ్యాకోచ ప్రవర్తన SiC పూతకు అనుకూలంగా ఉండాలి.

సివిడి సిక్ ఫిల్మ్ క్రిస్టల్ నిర్మాణం

సివిడి ఎస్ఐసి పూత ఫిల్మ్ క్రిస్టల్ నిర్మాణం

SiC పూత యొక్క భౌతిక లక్షణాలు ప్రధానంగా దాని అధిక ఉష్ణోగ్రత నిరోధకత, కాఠిన్యం, తుప్పు నిరోధకత మరియు ఉష్ణ వాహకతలో ప్రతిబింబిస్తాయి.

సాధారణ భౌతిక పారామితులు సాధారణంగా ఈ క్రింది విధంగా ఉంటాయి:

కఠినత్వంSiC పూత సాధారణంగా 2000-2500 HV పరిధిలో వికర్స్ కాఠిన్యాన్ని కలిగి ఉంటుంది, ఇది పారిశ్రామిక అనువర్తనాలలో వాటికి అత్యంత అధిక అరుగుదల మరియు ప్రభావ నిరోధకతను ఇస్తుంది.

సాంద్రతSiC పూతలు సాధారణంగా 3.1-3.2 గ్రా/సెంమీ³ సాంద్రతను కలిగి ఉంటాయి. ఈ అధిక సాంద్రత పూత యొక్క యాంత్రిక బలానికి మరియు మన్నికకు దోహదపడుతుంది.

ఉష్ణ వాహకతSiC పూతలు అధిక ఉష్ణ వాహకతను కలిగి ఉంటాయి, సాధారణంగా 120-200 W/mK (20°C వద్ద) పరిధిలో ఉంటాయి. ఇది అధిక ఉష్ణోగ్రత వాతావరణాలలో మంచి ఉష్ణ వాహకతను ఇస్తుంది మరియు సెమీకండక్టర్ పరిశ్రమలోని ఉష్ణ చికిత్స పరికరాలకు దీనిని ప్రత్యేకంగా అనుకూలంగా చేస్తుంది.

ద్రవీభవన స్థానంసిలికాన్ కార్బైడ్ ద్రవీభవన స్థానం సుమారుగా 2730°C మరియు ఇది తీవ్రమైన ఉష్ణోగ్రతల వద్ద అద్భుతమైన ఉష్ణ స్థిరత్వాన్ని కలిగి ఉంటుంది.

ఉష్ణ వ్యాకోచ గుణకంSiC పూతలకు తక్కువ రేఖీయ ఉష్ణ వ్యాకోచ గుణకం (CTE) ఉంటుంది, ఇది సాధారణంగా 4.0-4.5 µm/mK పరిధిలో (25-1000℃ వద్ద) ఉంటుంది. దీని అర్థం, పెద్ద ఉష్ణోగ్రతా వ్యత్యాసాలలో కూడా దీని ఆకార స్థిరత్వం అద్భుతంగా ఉంటుంది.

తుప్పు నిరోధకతSiC పూతలు బలమైన ఆమ్ల, క్షార మరియు ఆక్సీకరణ వాతావరణాలలో తుప్పును అత్యంతగా నిరోధిస్తాయి, ముఖ్యంగా బలమైన ఆమ్లాలను (HF లేదా HCl వంటివి) ఉపయోగించినప్పుడు, వాటి తుప్పు నిరోధకత సాంప్రదాయ లోహ పదార్థాల కంటే చాలా ఎక్కువగా ఉంటుంది.

SiC పూత అప్లికేషన్ సబ్‌స్ట్రేట్

సబ్‌స్ట్రేట్ యొక్క తుప్పు నిరోధకత, అధిక ఉష్ణోగ్రత నిరోధకత మరియు ప్లాస్మా కోత నిరోధకతను మెరుగుపరచడానికి SiC పూతను తరచుగా ఉపయోగిస్తారు. సాధారణ అప్లికేషన్ సబ్‌స్ట్రేట్‌లు ఈ క్రింది వాటిని కలిగి ఉంటాయి:

సబ్‌స్ట్రేట్ రకం	దరఖాస్తు కారణం	సాధారణ ఉపయోగం
గ్రాఫైట్	తేలికైన నిర్మాణం, మంచి ఉష్ణ వాహకత కానీ ప్లాస్మా వలన సులభంగా క్షయం చెందుతుంది, SiC పూత రక్షణ అవసరం.	వాక్యూమ్ ఛాంబర్ భాగాలు, గ్రాఫైట్ బోట్లు, ప్లాస్మా ఎచింగ్ ట్రేలు మొదలైనవి.
క్వార్ట్జ్ (క్వార్ట్జ్/SiO₂)	అధిక స్వచ్ఛత కానీ సులభంగా తుప్పు పడుతుంది పూత ప్లాస్మా కోత నిరోధకతను పెంచుతుంది	CVD/PECVD ఛాంబర్ భాగాలు
సిరామిక్స్ (అల్యూమినా Al₂O₃ వంటివి)	- అధిక బలం మరియు స్థిరమైన నిర్మాణం - పూత ఉపరితల తుప్పు నిరోధకతను మెరుగుపరుస్తుంది	ఛాంబర్ లైనింగ్, ఫిక్చర్లు, మొదలైనవి.
లోహాలు (మాలిబ్డినం, టైటానియం మొదలైనవి)	- మంచి ఉష్ణ వాహకత కానీ తుప్పు నిరోధకత తక్కువ - పూత ఉపరితల స్థిరత్వాన్ని మెరుగుపరుస్తుంది	ప్రత్యేక ప్రక్రియ ప్రతిచర్య భాగాలు
సిలికాన్ కార్బైడ్ సింటెర్డ్ బాడీ (SiC బల్క్)	సంక్లిష్టమైన పని పరిస్థితుల కోసం అధిక అవసరాలున్న వాతావరణాలకు - పూత స్వచ్ఛతను మరియు తుప్పు నిరోధకతను మరింత మెరుగుపరుస్తుంది	ఉన్నత శ్రేణి CVD/ALD ఛాంబర్ భాగాలు

SiC పూత పూసిన ఉత్పత్తులను సాధారణంగా ఈ క్రింది సెమీకండక్టర్ రంగాలలో ఉపయోగిస్తారు.

SiC పూత ఉత్పత్తులు సెమీకండక్టర్ ప్రాసెసింగ్‌లో, ప్రధానంగా అధిక ఉష్ణోగ్రత, అధిక తుప్పు మరియు బలమైన ప్లాస్మా వాతావరణాలలో విస్తృతంగా ఉపయోగించబడతాయి. కొన్ని ప్రధాన అప్లికేషన్ ప్రక్రియలు లేదా రంగాలు మరియు వాటి సంక్షిప్త వివరణలు క్రింద ఇవ్వబడ్డాయి:

దరఖాస్తు ప్రక్రియ/రంగం	సంక్షిప్త వివరణ	సిలికాన్ కార్బైడ్ పూత పనితీరు
ప్లాస్మా ఎచింగ్ (ఎచింగ్)	నమూనా బదిలీ కోసం ఫ్లోరిన్ లేదా క్లోరిన్ ఆధారిత వాయువులను ఉపయోగించండి	ప్లాస్మా కోతను నిరోధించి, కణ మరియు లోహ కాలుష్యాన్ని నివారిస్తుంది
రసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ (CVD/PECVD)	ఆక్సైడ్, నైట్రైడ్ మరియు ఇతర పలుచని పొరల నిక్షేపణ	క్షయకారక పూర్వగామి వాయువులను నిరోధించి, భాగాల జీవితకాలాన్ని పెంచండి
భౌతిక ఆవిరి నిక్షేపణ (PVD) చాంబర్	పూత ప్రక్రియ సమయంలో అధిక శక్తి కణాల తాకిడి	రియాక్షన్ ఛాంబర్ యొక్క కోత నిరోధకత మరియు ఉష్ణ నిరోధకతను మెరుగుపరచండి
MOCVD ప్రక్రియ (SiC ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదల వంటివి)	అధిక ఉష్ణోగ్రత మరియు అధిక హైడ్రోజన్ క్షయకారక వాతావరణంలో దీర్ఘకాలిక ప్రతిచర్య	పరికరాల స్థిరత్వాన్ని కాపాడుకోండి మరియు పెరుగుతున్న స్ఫటికాల కాలుష్యాన్ని నివారించండి
ఉష్ణ చికిత్స ప్రక్రియ (LPCVD, డిఫ్యూజన్, అనీలింగ్, మొదలైనవి)	సాధారణంగా అధిక ఉష్ణోగ్రత మరియు శూన్యం/వాతావరణంలో నిర్వహిస్తారు	గ్రాఫైట్ పడవలు మరియు ట్రేలను ఆక్సీకరణ లేదా తుప్పు నుండి రక్షించండి
వేఫర్ క్యారియర్/చక్ (వేఫర్ హ్యాండ్లింగ్)	వేఫర్ బదిలీ లేదా మద్దతు కోసం గ్రాఫైట్ ఆధారం	కణాల రాలడాన్ని తగ్గించండి మరియు స్పర్శ ద్వారా కలుషితం కాకుండా నివారించండి
ALD ఛాంబర్ భాగాలు	అటామిక్ లేయర్ డిపోజిషన్‌ను పదేపదే మరియు ఖచ్చితంగా నియంత్రించండి	ఈ పూత చాంబర్‌ను శుభ్రంగా ఉంచుతుంది మరియు పూర్వగాములకు అధిక తుప్పు నిరోధకతను కలిగి ఉంటుంది.

VET ఎనర్జీని ఎందుకు ఎంచుకోవాలి?

VET ఎనర్జీ చైనాలో SiC కోటింగ్ ఉత్పత్తుల యొక్క ప్రముఖ తయారీదారు, ఆవిష్కర్త మరియు నాయకుడు, ప్రధాన SiC కోటింగ్ ఉత్పత్తులలో ఇవి ఉన్నాయిSiC పూతతో వేఫర్ క్యారియర్SiC పూత పూయబడిందిఎపిటాక్సియల్ ససెప్టర్, SiC పూత పూసిన గ్రాఫైట్ రింగ్, SiC పూతతో కూడిన అర్ధచంద్రాకార భాగాలు, SiC పూత పూసిన కార్బన్-కార్బన్ మిశ్రమం, SiC పూత పూసిన వేఫర్ బోట్, SiC పూత పూసిన హీటర్వET ఎనర్జీ సెమీకండక్టర్ పరిశ్రమకు అత్యుత్తమ సాంకేతిక మరియు ఉత్పత్తి పరిష్కారాలను అందించడానికి, అలాగే అనుకూలీకరణ సేవలకు మద్దతు ఇవ్వడానికి కట్టుబడి ఉంది. చైనాలో మీ దీర్ఘకాలిక భాగస్వామిగా ఉండటానికి మేము మనస్ఫూర్తిగా ఎదురుచూస్తున్నాము.