Adani SiC Bo Barrel Susceptor

Apejuwe kukuru:

Agbara VET jẹ olupilẹṣẹ alamọdaju ati olupese ti ifura agba ti SiC ti a bo ni Ilu China. A n ṣe idagbasoke awọn ilana ilọsiwaju nigbagbogbo lati pese awọn ohun elo to ti ni ilọsiwaju diẹ sii, ati pe a ti ṣiṣẹ imọ-ẹrọ itọsi iyasọtọ, eyiti o le jẹ ki isunmọ laarin ibora ati sobusitireti ṣinṣin ati ki o kere si itusilẹ. Kaabọ lati ṣabẹwo si ile-iṣẹ wa ati nireti lati jẹ alabaṣepọ igba pipẹ rẹ ni Ilu China.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 


Alaye ọja

ọja Tags

Agba ifaragbajẹ paati mojuto ni awọn ilana idagbasoke epitaxial semikondokito bii MOCVD, MBE, CVD. O jẹ lilo ni akọkọ lati gbe awọn wafers ni awọn iyẹwu ifa otutu-giga ati pese aṣọ-aṣọ kan ati agbegbe aaye igbona iduroṣinṣin lati rii daju fifisilẹ deede ti awọn fẹlẹfẹlẹ epitaxial (bii GaN, SiC, ati bẹbẹ lọ). Iṣe pataki rẹ ni lati ṣaṣeyọri iṣọkan giga ti iwọn otutu dada wafer nipasẹ iṣakoso aaye gbigbona deede, nitorinaa aridaju sisanra, ifọkansi doping, ati iṣọkan igbekalẹ gara ti awọn fiimu tinrin epitaxial.

A lo imọ-ẹrọ itọsi wa lati ṣe awọnagba ifaragbapẹlu mimọ ti o ga pupọ, aṣọ aṣọ ti o dara ati igbesi aye iṣẹ ti o dara julọ, bakanna bi resistance kemikali giga ati awọn ohun-ini iduroṣinṣin gbona.

Agbara VET lo lẹẹdi mimọ giga pẹlu awọ CVD-SiC lati jẹki iduroṣinṣin kemikali:

1. Ga ti nw lẹẹdi ohun elo
Iṣeduro igbona giga: iṣiṣẹ igbona ti graphite jẹ igba mẹta ti ohun alumọni, eyiti o le yara gbe ooru lati orisun alapapo si wafer ati kuru akoko alapapo.
Agbara ẹrọ: iwuwo lẹẹdi titẹ isostatic ≥ 1.85 g/cm ³, ti o lagbara lati duro awọn iwọn otutu giga ju 1200 ℃ laisi abuku.

2. CVD SiC ti a bo
A β-SiC Layer ti wa ni akoso lori dada ti graphite nipasẹ kemikali oru ifipamo (CVD), pẹlu kan ti nw ti ≥ 99.99995%, awọn uniformity aṣiṣe ti a bo sisanra jẹ kere ju ± 5%, ati awọn dada roughness jẹ kere ju Ra0.5um.

3. Imudara iṣẹ:
Idaabobo iparun: le koju awọn gaasi ipata giga gẹgẹbi Cl2, HCl, ati bẹbẹ lọ, le fa igbesi aye ti GaN epitaxy nipasẹ igba mẹta ni agbegbe NH3.
Iduro gbigbona: Olusọdipúpọ ti imugboroosi igbona (4.5 × 10-6/℃) ṣe ibaamu lẹẹdi lati yago fun wiwu ibora ti o fa nipasẹ awọn iwọn otutu.
Lile ati Yiya Resistance: Lile Vickers de 28 GPa, eyiti o jẹ awọn akoko 10 ti o ga ju graphite lọ ati pe o le dinku eewu ti awọn idọti wafer.

CVD SiC薄膜基本物理性能

Awọn ohun-ini ti ara ipilẹ ti CVD SiCti a bo

性质 / Ohun ini

典型数值 / Aṣoju Iye

晶体结构 / Crystal Be

FCC β ipele多晶,主要为(111)取向

密度 / iwuwo

3.21 g/cm³

硬度 / Lile

2500 维氏硬度 (ẹrù 500g)

晶粒大小 / Ọkà SiZe

2 ~ 10μm

纯度 / Kemikali ti nw

99.99995%

热容 / Ooru Agbara

640 · kg-1· K-1

升华温度 / Sublimation otutu

2700 ℃

抗弯强度 / Agbara Flexural

415 MPa RT 4-ojuami

杨氏模量 / Young's Modul

430 Gpa 4pt tẹ, 1300 ℃

导热系数 / ThermalIwa ihuwasi

300W·m-1· K-1

热膨胀系数 / Imugboroosi Gbona (CTE)

4.5×10-6K-1

1

2

Olufun agba (10)
SiC Barrel Susceptor
1
2

Ningbo VET Energy Technology Co., Ltd jẹ ile-iṣẹ imọ-ẹrọ giga ti o fojusi lori idagbasoke ati iṣelọpọ ti awọn ohun elo to ti ni ilọsiwaju giga, awọn ohun elo ati imọ-ẹrọ pẹlu lẹẹdi, ohun alumọni carbide, awọn ohun elo amọ, itọju dada bi ibora SiC, ibora TaC, ideri carbon glassy, ​​pyrolytic carbon bo, ati bẹbẹ lọ, awọn ọja wọnyi ni lilo pupọ ni photovoltaic, semikondokito, agbara tuntun, metallurgy.

Ẹgbẹ imọ-ẹrọ wa lati awọn ile-iṣẹ iwadii ile ti o ga julọ, ati pe o ti ni idagbasoke awọn imọ-ẹrọ itọsi pupọ lati rii daju iṣẹ ṣiṣe ati didara, tun le pese awọn alabara pẹlu awọn solusan ohun elo ọjọgbọn.

R&D egbe
Onibara

  • Ti tẹlẹ:
  • Itele:

  • WhatsApp Online iwiregbe!