কাস্টমাইজড SiC লেপা ব্যারেল সাসসেপ্টর

ব্যারেল সাসপেকটরMOCVD, MBE, CVD এর মতো সেমিকন্ডাক্টর এপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধি প্রক্রিয়ার একটি মূল উপাদান। এটি মূলত উচ্চ-তাপমাত্রা বিক্রিয়া চেম্বারে ওয়েফার বহন করতে ব্যবহৃত হয় এবং এপিট্যাক্সিয়াল স্তরগুলির (যেমন GaN, SiC, ইত্যাদি) সুনির্দিষ্ট জমা নিশ্চিত করার জন্য একটি অভিন্ন এবং স্থিতিশীল তাপীয় ক্ষেত্র পরিবেশ প্রদান করে। এর মূল কাজ হল সুনির্দিষ্ট তাপীয় ক্ষেত্র নিয়ন্ত্রণের মাধ্যমে ওয়েফার পৃষ্ঠের তাপমাত্রার উচ্চ অভিন্নতা অর্জন করা, যার ফলে এপিট্যাক্সিয়াল পাতলা ফিল্মগুলির পুরুত্ব, ডোপিং ঘনত্ব এবং স্ফটিক কাঠামোর অভিন্নতা নিশ্চিত করা।

আমরা আমাদের পেটেন্ট প্রযুক্তি ব্যবহার করে তৈরি করিব্যারেল সাসপেকটরঅত্যন্ত উচ্চ বিশুদ্ধতা, ভালো আবরণের অভিন্নতা এবং চমৎকার পরিষেবা জীবন, সেইসাথে উচ্চ রাসায়নিক প্রতিরোধ ক্ষমতা এবং তাপীয় স্থিতিশীলতা বৈশিষ্ট্য সহ।

রাসায়নিক স্থিতিশীলতা বাড়াতে VET এনার্জি CVD-SiC আবরণ সহ উচ্চ বিশুদ্ধতা গ্রাফাইট ব্যবহার করে:

1. উচ্চ বিশুদ্ধতা গ্রাফাইট উপাদান
উচ্চ তাপ পরিবাহিতা: গ্রাফাইটের তাপ পরিবাহিতা সিলিকনের তিনগুণ, যা দ্রুত তাপ উৎস থেকে ওয়েফারে তাপ স্থানান্তর করতে পারে এবং গরম করার সময় কমাতে পারে।
যান্ত্রিক শক্তি: আইসোস্ট্যাটিক চাপ গ্রাফাইট ঘনত্ব ≥ 1.85 গ্রাম/সেমি ³, বিকৃতি ছাড়াই 1200 ℃ এর উপরে উচ্চ তাপমাত্রা সহ্য করতে সক্ষম।

2. সিভিডি সিসি আবরণ
রাসায়নিক বাষ্প জমা (CVD) দ্বারা গ্রাফাইটের পৃষ্ঠে একটি β - SiC স্তর তৈরি হয়, যার বিশুদ্ধতা ≥ 99.99995%, আবরণের পুরুত্বের অভিন্নতা ত্রুটি ±5% এর কম এবং পৃষ্ঠের রুক্ষতা Ra0.5um এর কম।

৩. কর্মক্ষমতা উন্নতি:
ক্ষয় প্রতিরোধ ক্ষমতা: Cl2, HCl ইত্যাদির মতো উচ্চ ক্ষয়কারী গ্যাস সহ্য করতে পারে, NH3 পরিবেশে GaN এপিট্যাক্সির আয়ুষ্কাল তিনগুণ বাড়িয়ে দিতে পারে।
তাপীয় স্থিতিশীলতা: তাপমাত্রার ওঠানামার কারণে আবরণ ফাটল এড়াতে তাপীয় প্রসারণের সহগ (4.5 × 10-6/℃) গ্রাফাইটের সাথে মিলে যায়।
কঠোরতা এবং পরিধান প্রতিরোধ ক্ষমতা: ভিকার্সের কঠোরতা 28 GPa-তে পৌঁছায়, যা গ্রাফাইটের চেয়ে 10 গুণ বেশি এবং ওয়েফার স্ক্র্যাচের ঝুঁকি কমাতে পারে।