કસ્ટમાઇઝ્ડ SiC કોટેડ બેરલ સસેપ્ટર

બેરલ સસેપ્ટરMOCVD, MBE, CVD જેવી સેમિકન્ડક્ટર એપિટેક્સિયલ વૃદ્ધિ પ્રક્રિયાઓમાં મુખ્ય ઘટક છે. તેનો ઉપયોગ મુખ્યત્વે ઉચ્ચ-તાપમાન પ્રતિક્રિયા ચેમ્બરમાં વેફર વહન કરવા અને એપિટેક્સિયલ સ્તરો (જેમ કે GaN, SiC, વગેરે) ના ચોક્કસ નિક્ષેપણને સુનિશ્ચિત કરવા માટે એક સમાન અને સ્થિર થર્મલ ક્ષેત્ર વાતાવરણ પૂરું પાડવા માટે થાય છે. તેનું મુખ્ય કાર્ય ચોક્કસ થર્મલ ક્ષેત્ર નિયંત્રણ દ્વારા વેફર સપાટીના તાપમાનની ઉચ્ચ એકરૂપતા પ્રાપ્ત કરવાનું છે, જેનાથી એપિટેક્સિયલ પાતળા ફિલ્મોની જાડાઈ, ડોપિંગ સાંદ્રતા અને સ્ફટિક રચના એકરૂપતા સુનિશ્ચિત થાય છે.

અમે અમારી પેટન્ટ ટેકનોલોજીનો ઉપયોગ કરીને બનાવીએ છીએબેરલ સસેપ્ટરઅત્યંત ઉચ્ચ શુદ્ધતા, સારી કોટિંગ એકરૂપતા અને ઉત્તમ સેવા જીવન, તેમજ ઉચ્ચ રાસાયણિક પ્રતિકાર અને થર્મલ સ્થિરતા ગુણધર્મો સાથે.

રાસાયણિક સ્થિરતા વધારવા માટે VET એનર્જી CVD-SiC કોટિંગ સાથે ઉચ્ચ શુદ્ધતાવાળા ગ્રેફાઇટનો ઉપયોગ કરે છે:

1. ઉચ્ચ શુદ્ધતા ગ્રેફાઇટ સામગ્રી
ઉચ્ચ થર્મલ વાહકતા: ગ્રેફાઇટની થર્મલ વાહકતા સિલિકોન કરતા ત્રણ ગણી છે, જે ગરમીના સ્ત્રોતમાંથી વેફરમાં ગરમી ઝડપથી ટ્રાન્સફર કરી શકે છે અને ગરમીનો સમય ઓછો કરી શકે છે.
યાંત્રિક શક્તિ: આઇસોસ્ટેટિક દબાણ ગ્રેફાઇટ ઘનતા ≥ 1.85 ગ્રામ/સેમી ³, 1200 ℃ થી વધુ ઊંચા તાપમાને વિકૃતિ વિના ટકી રહેવા સક્ષમ.

2. CVD SiC કોટિંગ
ગ્રેફાઇટની સપાટી પર રાસાયણિક વરાળ નિક્ષેપ (CVD) દ્વારા β - SiC સ્તર રચાય છે, જેની શુદ્ધતા ≥ 99.99995% છે, કોટિંગની જાડાઈની એકરૂપતા ભૂલ ±5% કરતા ઓછી છે, અને સપાટીની ખરબચડી Ra0.5um કરતા ઓછી છે.

3. કામગીરી સુધારણા:
કાટ પ્રતિકાર: Cl2, HCl, વગેરે જેવા ઉચ્ચ કાટ લાગતા વાયુઓનો સામનો કરી શકે છે, NH3 વાતાવરણમાં GaN એપિટાક્સીનું આયુષ્ય ત્રણ ગણું વધારી શકે છે.
થર્મલ સ્થિરતા: તાપમાનના વધઘટને કારણે કોટિંગ ક્રેકીંગ ટાળવા માટે થર્મલ વિસ્તરણનો ગુણાંક (4.5 × 10-6/℃) ગ્રેફાઇટ સાથે મેળ ખાય છે.
કઠિનતા અને ઘસારો પ્રતિકાર: વિકર્સ કઠિનતા 28 GPa સુધી પહોંચે છે, જે ગ્રેફાઇટ કરતા 10 ગણી વધારે છે અને વેફર સ્ક્રેચનું જોખમ ઘટાડી શકે છે.