Fa'asusu o le paeloo se vaega autū i faiga fa'atupula'ia epitaxial semiconductor e pei o le MOCVD, MBE, CVD. E masani ona fa'aaogaina e ave ai wafers i totonu o potu tali atu i le vevela maualuga ma maua ai se siosiomaga fa'avevela tutusa ma mautu e fa'amautinoa ai le sa'o o le fa'aputuina o vaega epitaxial (e pei o le GaN, SiC, ma isi). O lona galuega autū o le ausia lea o le tutusa maualuga o le vevela o luga o le wafer e ala i le puleaina sa'o o le fa'avevela, ma fa'amautinoa ai le mafiafia, le fa'aputuina o le doping, ma le tutusa o le fausaga o le tioata o ata manifinifi epitaxial.
Matou te faʻaaogaina a matou tekinolosi ua pateniina e fai ai lemea e fa'aoso ai le paelofaatasi ai ma le mama maualuga tele, tutusa lelei o le ufiufi ma se olaga tautua sili ona lelei, faapea foi ma le tete'e maualuga i vailaau ma le mautu i le vevela.
E fa'aaogā e le VET Energy le graphite mama maualuga ma le ufiufi CVD-SiC e fa'aleleia atili ai le mautu o vaila'au:
1. Mea fa'akalafi mama maualuga
Maualuga le fa'avevela: o le fa'avevela o le graphite e fa'atolu le silicon, lea e mafai ona vave fa'aliliuina le vevela mai le puna fa'avevela i le wafer ma fa'apu'upu'u le taimi fa'avevela.
Malosi fa'amekanika: Isostatic pressure graphite density ≥ 1.85 g/cm³, e mafai ona tatalia le vevela maualuga e sili atu i le 1200 ℃ e aunoa ma le fa'aleagaina.
2. Ufiufi CVD SiC
O se vaega β-SiC e fausia i luga o le fogāeleele o le graphite e ala i le fa'aputuga o le ausa vaila'au (CVD), fa'atasi ai ma le mama o le ≥ 99.99995%, o le sese tutusa o le mafiafia o le ufiufi e itiiti ifo i le ±5%, ma o le ma'a'a o le fogāeleele e itiiti ifo i le Ra0.5um.
3. Faaleleia atili o le faatinoga:
Tete'e i le 'ele: e mafai ona tatalia kasa 'ele maualuga e pei o le Cl2, HCl, ma isi, e mafai ona fa'alauteleina le umi o le GaN epitaxy i le fa'atolu i le siosiomaga NH3.
Mausali o le vevela: O le fua fa'atatau o le fa'alauteleina o le vevela (4.5 × 10-6/℃) e fetaui ma le karapite e 'alofia ai le māvaevae o le ufiufi e mafua mai i le fesuisuia'i o le vevela.
Ma'a'a ma le Tete'e atu i le Ofu: O le ma'a'a o Vickers e o'o atu i le 28 GPa, lea e 10 taimi e maualuga atu nai lo le karapite ma e mafai ona fa'aitiitia ai le lamatiaga o maosi o le wafer.
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Uiga faaletino faavae o le CVD SiCufiufi | |
| 性质 / Meatotino | 典型数值 / Taua Masani |
| 晶体结构 / Fausaga o le Kilisitala | Vaega β o le FCC多晶,主要为(111)取向 |
| 密度 / Mafiafia | 3.21 kalama/cm³ |
| 硬度 / Faigata | 2500 维氏硬度(500g uta) |
| 晶粒大小 / Tele o le saito | 2~10μm |
| 纯度 / Mamā Fa'akemikolo | 99.99995% |
| 热容 / Malosiaga o le Vevela | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Vevela o le Sublimation | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Malosiaga Fa'alava | 415 MPa RT 4-point |
| 杨氏模量 / Modulus a Young | 430 Gpa 4pt pi'o, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermalAmioga | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Fa'alauteleina o le Vevela (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
O le Ningbo VET Energy Technology Co., Ltd o se pisinisi tekonolosi maualuga e taulaʻi i le atinaʻeina ma le gaosiga o mea maualuluga faʻaonaponei, o meafaitino ma tekonolosi e aofia ai le graphite, silicon carbide, keramika, togafitiga luga e pei o le ufiufi SiC, ufiufi TaC, ufiufi kaponi tioata, ufiufi kaponi pyrolytic, ma isi, o nei oloa e faʻaaogaina lautele i le photovoltaic, semiconductor, malosiaga fou, metallurgy, ma isi.
O la matou 'au fa'apitoa e sau mai fa'alapotopotoga su'esu'e sili ona lelei i totonu o le atunu'u, ma ua atia'e le tele o tekinolosi ua pateniina e fa'amautinoa ai le fa'atinoga ma le lelei o oloa, ma mafai fo'i ona tu'uina atu i tagata fa'atau ni fofo fa'apolofesa.
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