Pa'u susceptoro se vaega autu i semiconductor epitaxial tuputupu aʻe faagasologa e pei ole MOCVD, MBE, CVD. E masani lava ona faʻaaogaina e ave ai faʻamaʻi i totonu o potu faʻafefe maualuga ma tuʻuina atu se toniga ma faʻamautu le siosiomaga faʻamafanafana e faʻamautinoa ai le tuʻuina saʻo o le epitaxial layers (e pei o GaN, SiC, ma isi). O lana galuega autu o le ausia lea o le tutusa maualuga o le vevela o le eleele e ala i le pulea lelei o le fanua vevela, ma faʻamautinoa ai le mafiafia, faʻaogaina o le doping, ma le tutusa o le fausaga tioata o ata manifinifi epitaxial.
Matou te fa'aogaina a matou tekonolosi pateni e fai ai lepa'u susceptorfaʻatasi ai ma le maualuga maualuga o le mama, faʻapipiʻi lelei le faʻapipiʻiina ma se olaga sili ona lelei, faʻapea foʻi ma le maualuga o vailaʻau faʻamaʻi ma mea faʻamautu vevela.
VET Energy fa'aaoga le kalafi maualuga mama ma le CVD-SiC coating e fa'aleleia ai le mautu o vaila'au:
1. Mea graphite mama maualuga
O le maualuga o le vevela: o le faʻafefe o le graphite e tolu taimi o le silicon, lea e mafai ona vave faʻafeiloaʻi le vevela mai le mea faʻavevela i le wafer ma faʻapuupuu le taimi faʻamafanafana.
Malosiaga faʻainisinia: Isostatic pressure graphite density ≥ 1.85 g / cm ³, mafai ona faʻasaga i le maualuga o le vevela i luga ole 1200 ℃ e aunoa ma se faʻaleagaina.
2. CVD SiC ufiufi
O le β - SiC layer ua faia i luga o le graphite e ala ile vailaʻau vaʻaia (CVD), faʻatasi ai ma le mama o ≥ 99.99995%, o le mea sese tutusa o le mafiafia o le ufiufi e itiiti ifo i le ± 5%, ma o le roughness luga e itiiti ifo i le Ra0.5um.
3. Fa'aleleia galuega:
Tete'e fa'afefe: e mafai ona tatalia kasa maualuga e pei o le Cl2, HCl, ma isi, e mafai ona fa'alautele le ola ole GaN epitaxy ile tolu taimi ile siosiomaga NH3.
Fa'amautu fa'avela: O le aofa'i o le fa'alauteleina o le vevela (4.5 × 10-6/℃) e fetaui ma le kalafi e 'alofia ai le ta'e o le fa'afuifu e mafua mai i fesuiaiga o le vevela.
Malosi ma La'ei Fa'asagatau: O le Vickers ma'a'a e o'o atu i le 28 GPa, lea e 10 taimi e maualuga atu ai nai lo le kalafi ma e mafai ona fa'aitiitia ai le fa'aletonu o le masaesae.
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Meatino fa'aletino autu o le CVD SiCufiufi | |
| 性质 / Meatotino | 典型数值 / Taua masani |
| 晶体结构 / Fa'a tioata | FCC β vaega多晶,主要为(111)取向 |
| 密度 / Malosi | 3.21 g/cm³ |
| 硬度 / Maaa | 2500 维氏硬度(500g uta) |
| 晶粒大小 / Saito Tele | 2~10μm |
| 纯度 / Vailaau Mama | 99.99995% |
| 热容 / Malosiaga vevela | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Sulimation Temperature | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Malosi Fa'alilolilo | 415 MPa RT 4-point |
| 杨氏模量 / Young's Modulus | 430 Gpa 4pt pi'o, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ThermalConductivity | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Fa'alauteleina o le vevela(CTE) | 4.5×10-6K-1 |
Ningbo VET Malosiaga Tekonolosi Co., Ltd o se atinaʻe tekonolosi maualuga e taulaʻi i le atinaʻeina ma le gaosiga o mea maualuga maualuga, o mea ma tekinolosi e aofia ai graphite, silicon carbide, ceramics, togafitiga luga e pei o le SiC coating, TaC coating, glassy carbon coating, pyrolytic carbon coating, ma isi, o nei oloa e faʻaaogaina lautele i le photovoltaic, semiconductor, malosi fou, malosi fou.
O la matou 'au fa'atekinisi e sau mai fa'alapotopotoga su'esu'e i totonu o le atunu'u, ma ua fa'atupuina le tele o tekonolosi pateni e fa'amautinoa ai le fa'atinoga o oloa ma le lelei, e mafai fo'i ona tu'uina atu i tagata fa'atau ni fofo fa'apolofesa.
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