Silikoni Kabọidijẹ́ àdàpọ̀ líle tí ó ní silicon àti erogba, a sì rí i nínú ìṣẹ̀dá gẹ́gẹ́ bí moissanite ohun alumọ́ni tí ó ṣọ̀wọ́n gidigidi. A lè so àwọn èròjà silikoni carbide pọ̀ nípa síntering láti ṣẹ̀dá àwọn seramiki líle gan-an, èyí tí a ń lò fún àwọn ohun èlò tí ó nílò agbára gíga, pàápàá jùlọ nínú ìtòlẹ́sẹẹsẹ semiconductor.
Ìṣètò ara ti SiC
Kí ni ìbòrí SiC?
Ìbòrí SiC jẹ́ ìbòrí carbide silikoni tó lágbára, tó sì lè wọ́ ara rẹ̀ pẹ̀lú ìpalára gíga àti ìdènà ooru àti agbára ìgbóná tó dára. A ń lo ìbòrí SiC tó mọ́ tónítóní yìí ní àwọn ilé iṣẹ́ semiconductor àti ẹ̀rọ itanna láti dáàbò bo àwọn ohun èlò ìgbóná wafer, àwọn ìpìlẹ̀ àti àwọn èròjà ìgbóná kúrò nínú àyíká ìbàjẹ́ àti ìfàsẹ́yìn. Ìbòrí SiC tún dára fún àwọn ilé ìgbóná àti ìgbóná àpẹẹrẹ ní àyíká ìgbóná gíga, ìfàsẹ́yìn àti atẹ́gùn.
Dada ti a bo SiC ti o ga julọ
Kí ni ilana ti a bo SiC?
A fi fẹlẹfẹlẹ tinrin ti silikoni carbide sori oju ilẹ naa nipa liloCVD (Ìfipamọ́ afẹ́fẹ́ kẹ́míkà)A maa n se ifisilẹ ni iwọn otutu ti 1200-1300°C ati pe ihuwasi imugboro ooru ti ohun elo substrate yẹ ki o baamu pẹlu ibora SiC lati dinku wahala ooru.

Ẹ̀ka Kírísítà FÍÌMÙ CVD SIC
Àwọn ohun ìní ara ti ìbòrí SiC ni a fi hàn ní pàtàkì nínú resistance otutu giga rẹ̀, líle rẹ̀, resistance ipata àti agbara ooru rẹ̀.
Awọn ipilẹ ti ara deede jẹ nigbagbogbo bi atẹle:
LíleÀwọ̀ SiC sábà máa ń ní Vickers Hardness tó wà láàárín 2000-2500 HV, èyí tó máa ń fún wọn ní agbára gíga láti wọ aṣọ àti láti kojú ìṣòro nínú àwọn ohun èlò ilé iṣẹ́.
Ìwọ̀n: Àwọn ìbòrí SiC sábà máa ń ní ìwọ̀n 3.1-3.2 g/cm³. Ìwọ̀n gíga náà ń mú kí agbára ẹ̀rọ àti agbára ìbòrí náà lágbára.
Agbara itusilẹ ooru: Àwọn ìbòrí SiC ní agbára ìgbóná gíga, tí ó sábà máa ń wà láàárín 120-200 W/mK (ní 20°C). Èyí fún un ní agbára ìgbóná tó dára ní àyíká igbóná gíga, ó sì mú kí ó dára fún àwọn ohun èlò ìtọ́jú ooru ní ilé iṣẹ́ semiconductor.
Oju iwọn yo: silikoni carbide ní ojú ìgbóná tó tó nǹkan bí 2730°C ó sì ní ìdúróṣinṣin ooru tó dára ní àwọn igbóná tó le gan-an.
Isodipupo ti Imugboroosi Ooru: Àwọn ìbòrí SiC ní ìwọ̀n ìfàsẹ́yìn ooru tí ó kéré (CTE), tí ó sábà máa ń wà láàárín 4.0-4.5 µm/mK (ní 25-1000℃). Èyí túmọ̀ sí wípé ìdúróṣinṣin ìwọ̀n rẹ̀ dára ju àwọn ìyàtọ̀ ìwọ̀n otútù ńlá lọ.
Àìfaradà ìbàjẹ́Àwọn ìbòrí SiC jẹ́ alágbára gidigidi láti pa ìbàjẹ́ ní àwọn àyíká tó lágbára bíi acid, alkali àti oxidizing, pàápàá jùlọ nígbà tí a bá ń lo àwọn acids tó lágbára (bíi HF tàbí HCl), agbára ìbàjẹ́ wọn ju ti àwọn ohun èlò irin ìbílẹ̀ lọ.
Ohun elo ohun elo ti a bo SiC
A sábà máa ń lo ìbòrí SiC láti mú kí resistance ipata, resistance otutu gíga, àti resistance iparun plasma ti substrate náà sunwọn síi. Àwọn substrate tí a sábà máa ń lò ní àwọn wọ̀nyí:
| Irú àpò ìsàlẹ̀ | Idi ohun elo | Lilo deede |
| Gráfítì | - Eto ina, imudara ooru to dara - Ṣugbọn ti o ba jẹ ki plasma jẹ ki o bajẹ ni irọrun, o nilo aabo ti a bo SiC | Àwọn ẹ̀yà yàrá ìfọṣọ, àwọn ọkọ̀ ojú omi graphite, àwọn àwo ìfọṣọ plasma, àti bẹ́ẹ̀ bẹ́ẹ̀ lọ. |
| Kúátísì (Kúátísì/SiO₂) | - Iwa mimọ giga ṣugbọn o rọrun lati bajẹ - Ibora mu resistance iparun pilasima pọ si | Awọn ẹya iyẹwu CVD/PECVD |
| Àwọn ohun èlò amọ̀ (bíi alumina Al₂O₃) | - Agbara giga ati eto iduroṣinṣin - Ibora mu resistance ipata dada dara si | Ìbòrí yàrá, àwọn ohun èlò ìbòrí, àti bẹ́ẹ̀ bẹ́ẹ̀ lọ. |
| Àwọn irin (bíi molybdenum, titanium, àti bẹ́ẹ̀ bẹ́ẹ̀ lọ) | - Agbara igbona to dara sugbon resistance ipata ti ko dara - Ibora mu iduroṣinṣin dada dara si | Awọn eroja iṣe ilana pataki |
| Ara silikoni carbide tí a fi simenti ṣe (SiC olopobobo) | - Fun awọn agbegbe pẹlu awọn ibeere giga fun awọn ipo iṣẹ ti o nira - Ibora siwaju sii mu mimọ ati resistance ipata dara si | Awọn ẹya iyẹwu CVD/ALD giga-opin |
Awọn ọja ti a bo SiC ni a maa n lo ni awọn agbegbe semikondokito wọnyi
Àwọn ọjà ìbòrí SiC ni a ń lò fún ìṣiṣẹ́ semikondokito, pàápàá jùlọ ní ibi tí ooru bá pọ̀ sí i, ìbàjẹ́ gíga àti àyíká plasma tó lágbára. Àwọn wọ̀nyí ni ọ̀pọ̀lọpọ̀ ìlànà tàbí pápá ìlò pàtàkì àti àwọn àpèjúwe kúkúrú:
| Ilana/aaye ohun elo | Àpèjúwe kúkúrú | Iṣẹ́ ìbòmọ́lẹ̀ Silikoni Carbide |
| Ìfọ́nrán Plasma (Ìfọ́nrán) | Lo awọn gaasi ti o da lori fluorine tabi chlorine fun gbigbe apẹẹrẹ | Dídúró fún ìfọ́ omi inú plasma kí o sì dènà ìbàjẹ́ pátákó àti irin |
| Ifipamọ́ ooru kẹ́míkà (CVD/PECVD) | Ìtújáde oxide, nitride àti àwọn fíìmù tín-tín mìíràn | Kọju awọn gaasi ti o ni ipata ki o mu igbesi aye paati pọ si |
| Yàrá ìfipamọ́ ooru ti ara (PVD) | Bọ́m̀bù patiku agbara giga lakoko ilana ti a fi bo | Mu resistance iparun ati resistance ooru ti iyẹwu iṣe dara si |
| Ilana MOCVD (bii idagbasoke epitaxial SiC) | Ìhùwàsí ìgbà pípẹ́ lábẹ́ igbóná gíga àti afẹ́fẹ́ hydrogen gíga | Ṣetọju iduroṣinṣin ẹrọ ki o si ṣe idiwọ idoti awọn kirisita ti ndagba |
| Ilana itọju ooru (LPCVD, itankale, annealing, ati bẹbẹ lọ) | A maa n ṣe é ni iwọn otutu giga ati afẹfẹ/afefe. | Dáàbò bo àwọn ọkọ̀ ojú omi graphite àti àwọn àwo láti inú ìfọ́ tàbí ìbàjẹ́ |
| Ẹni tí ó gbé wafer/chuck (tí a fi ń mú wafer) | Ipìlẹ̀ graphite fún ìgbésẹ̀ tàbí àtìlẹ́yìn fún wafer | Dín ìtújáde àwọn ohun èlò ìpalára kù kí o sì yẹra fún ìbàjẹ́ ìfọwọ́kàn |
| Awọn ẹya iyẹwu ALD | Lẹ́ẹ̀kọ̀ọ̀kan àti ní ọ̀nà tó péye láti ṣàkóso ìfìdíkalẹ̀ ìpele atomiki | Àwọ̀ náà ń jẹ́ kí yàrá náà mọ́ tónítóní, ó sì ní agbára gíga láti kojú àwọn ohun tó ń ṣáájú |
Kí ló dé tí o fi yan VET Energy?
VET Energy jẹ́ olùpèsè, olùdásílẹ̀ àti olórí àwọn ọjà ìbòrí SiC ní China, àwọn ọjà ìbòrí SiC pàtàkì niohun èlò ìfọṣọ pẹ̀lú ìbòrí SiC, Ti a fi SiC boohun tí ó lè fa àrùn epitaxial, Oruka graphite ti a bo SiC, Awọn ẹya idaji-oṣupa pẹlu ibora SiC, Àpapọ̀ erogba-erogba ti a fi SiC bo, Ọkọ̀ ojú omi wafer tí a fi SiC bo, SiC ti a bo ẹrọ igbonaàti bẹ́ẹ̀ bẹ́ẹ̀ lọ. VET Energy ti pinnu láti fún ilé iṣẹ́ semiconductor ní ìmọ̀ ẹ̀rọ àti àwọn ọ̀nà ìpèsè ọjà tó ga jùlọ, ó sì ń ṣe àtìlẹ́yìn fún àwọn iṣẹ́ àtúnṣe. A ń retí láti jẹ́ alábàáṣiṣẹ́pọ̀ rẹ fún ìgbà pípẹ́ ní China.
Tí o bá ní ìbéèrè tàbí o nílò àlàyé síi, jọ̀wọ́ má ṣe ṣiyèméjì láti kàn sí wa.
Whatsapp&Wechat:+86-18069021720
Email: steven@china-vet.com
Àkókò ìfìwéránṣẹ́: Oṣù Kẹ̀wàá-18-2024
