I le faagasologa o le tuputupu aʻe o le tioata e tasi o le silicon carbide, o le felauaiga faaletino o le ausa o le metotia autu lea o le gaosiga o oloa i le taimi nei. Mo le metotia o le tuputupu aʻe o le PVT,pauta silicon carbidee iai sona aafiaga tele i le faagasologa o le tuputupu aʻe. O faʻatulagaga uma opauta silicon carbidee aʻafia saʻo ai le lelei o le tuputupu aʻe o le tioata e tasi ma meatotino eletise. I faʻaoga faʻapisinisi i aso nei, o le mea e masani ona faʻaaogainapauta silicon carbideO le fa'agasologa o le gaosiga o le metotia lea e fa'asolosolo lava e ia le gaosiga i le vevela maualuga.
O le metotia o le fa'aputuga vevela maualuga e fa'asalalau e ia lava e fa'aaogaina ai le vevela maualuga e tu'uina atu ai i le au tali e amata ai ni gaioiga fa'akemikolo, ona fa'aaoga lea o lona lava vevela o le tali e fa'ataga ai mea e le'i tali e fa'aauau pea ona fa'amae'a le gaioiga fa'akemikolo. Peita'i, talu ai o le gaioiga fa'akemikolo o le Si ma le C e itiiti ifo le vevela e fa'asa'olotoina, e tatau ona fa'aopoopo isi mea tali e fa'atumauina ai le gaioiga. O le mea lea, e to'atele tagata atamamai ua fautuaina se metotia fa'aputuga e fa'asalalau e ia lava e fa'atatau i lenei fa'avae, e fa'alauiloa ai se mea fa'agaoioi. O le metotia e fa'asalalau e ia lava e faigofie ona fa'atinoina, ma e faigofie ona pulea lelei le tele o fa'asologa o le fa'aputuga. O le fa'aputuga tele e fa'afetaui ai mana'oga o le fa'apisinisi.
I le amataga o le 1999, na faʻaaogaina ai e Bridgeport le metotia o le gaosiga o le vevela maualuga e faʻasalalauina e ia lava e faʻaputu aiPa'u SiC, ae na faʻaaogaina le ethoxysilane ma le phenol resin o ni mea mata, lea sa taugata. Na faʻaaogaina e Gao Pan ma isi le pauta Si mama maualuga ma le pauta C o ni mea mata e faʻaputu aiPa'u SiCe ala i le tali atu i le vevela maualuga i totonu o le ea argon. Na saunia e Ning Lina ni fasi lapopo'aPa'u SiCe ala i le fa'asologa lona lua.
O le ogaumu fa'avevela fa'a-feololo na atia'e e le Second Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation e fa'afefiloi tutusa le pauta silicon ma le pauta carbon i se fua fa'atatau stoichiometric ma tu'u i totonu o se ogaumu graphite.ogaumu karapitiua tuu i totonu o se ogaumu fa'avevela fa'ainitaneti feololo mo le fa'avevela, ma o le suiga o le vevela e fa'aaogaina e fa'aputu ma fa'aliliu ai le vaega maualalo-vevela ma le vaega maualuga-vevela silicon carbide. Talu ai o le vevela o le tali atu o le β-SiC i le vaega maualalo-vevela e maualalo ifo nai lo le vevela volatilization o le Si, o le fa'aputuina o le β-SiC i lalo o le vacuum maualuga e mafai ona fa'amautinoa lelei le fa'asalalauina o ia lava. O le metotia o le fa'aofiina o le argon, hydrogen ma le HCl gas i le fa'aputuina o le α-SiC e puipuia ai le pala oPa'u SiCi le tulaga maualuga o le vevela, ma e mafai ona faʻaitiitia lelei le aofaʻi o le naitokene i le paʻu α-SiC.
Na mamanuina e Shandong Tianyue se ogaumu fa'aputu, e fa'aaoga ai le kesi silane o se mea mata silicon ma le pauta kaponi o se mea mata kaponi. O le aofa'i o le kesi mata na fa'aofiina na fetu'una'i e ala i se metotia fa'aputu e lua-la'asaga, ma o le tele mulimuli o le fasi silicon carbide na fa'aputuina sa i le va o le 50 ma le 5 000 um.
1 Mea e pulea ai le faagasologa o le gaosia o le paʻu
1.1 Aafiaga o le tele o le vaega o le pauta i le tuputupu aʻe o le tioata
O le tele o le fasi vaega o le pauta silicon carbide e iai sona aafiaga taua tele i le tuputupu aʻe o le tioata e tasi. O le tuputupu aʻe o le SiC kristal e tasi e ala i le metotia PVT e ausia tele lava e ala i le suia o le fua faatatau o le molar o le silicon ma le carbon i le vaega o le kesi, ma o le fua faatatau o le molar o le silicon ma le carbon i le vaega o le kesi e fesoʻotaʻi ma le tele o le fasi vaega o le pauta silicon carbide. O le mamafa atoa ma le fua faatatau o le silicon-carbon o le faiga tuputupu aʻe e faʻateleina faʻatasi ai ma le faʻaitiitia o le tele o le fasi vaega. A faʻaitiitia le tele o le fasi vaega mai le 2-3 mm i le 0.06 mm, e faʻateleina le fua faatatau o le silicon-carbon mai le 1.3 i le 4.0. A laiti fasi vaega i se tulaga patino, e faʻateleina le mamafa faʻapitoa o le Si, ma e fausia ai se vaega o le ata tifaga Si i luga o le tioata tuputupu aʻe, e mafua ai le tuputupu aʻe o le kesi-vai-maʻa, lea e aʻafia ai le polymorphism, faʻaletonu o le tulaga ma faʻaletonu o laina i le tioata. O le mea lea, e tatau ona pulea lelei le tele o le fasi vaega o le pauta silicon carbide mama maualuga.
E le gata i lea, afai e laʻititi le lapoʻa o vaega o le pauta SiC, e vave ona pala le pauta, ma iu ai ina tele naua le tuputupu aʻe o tioata SiC taʻitasi. I le isi itu, i le siosiomaga vevela maualuga o le tuputupu aʻe o le tioata SiC taʻitasi, e faia faʻatasi faiga e lua o le faʻaputuga ma le pala. O le pauta silicon carbide o le a pala ma fausia ai le kaponi i le vaega kesi ma le vaega mautu e pei o le Si, Si2C, SiC2, ma iu ai ina matua tele le kaponi o le pauta polycrystalline ma le fausiaina o mea e aofia ai le kaponi i totonu o le tioata; i le isi itu, afai e vave tele le fua faatatau o le pala o le pauta, e faigofie ona suia le fausaga o le tioata SiC taʻitasi ua tupu, ma faigata ai ona pulea le lelei o le tioata SiC taʻitasi ua tupu.
1.2 Aafiaga o le foliga o le pauta tioata i le tuputupu aʻe o le tioata
O le tuputupu aʻe o le SiC crystal e tasi e ala i le metotia PVT o se faiga sublimation-recrystallization i le vevela maualuga. O le foliga tioata o le mea mata SiC e iai sona aafiaga taua i le tuputupu aʻe o le tioata. I le faagasologa o le gaosiga o le pauta, o le vaega gaosiga o le vevela maualalo (β-SiC) faʻatasi ai ma se fausaga kupita o le iunite cell ma le vaega gaosiga o le vevela maualuga (α-SiC) faʻatasi ai ma se fausaga hexagonal o le iunite cell o le a gaosia tele. E tele foliga tioata silicon carbide ma se vaega vaapiapi o le puleaina o le vevela. Mo se faʻataʻitaʻiga, o le 3C-SiC o le a liua i le hexagonal silicon carbide polymorph, e pei o le 4H/6H-SiC, i le vevela e sili atu i le 1900°C.
I le taimi o le faagasologa o le tuputupu aʻe o le tioata e tasi, pe a faʻaaogaina le pauta β-SiC e faʻatupu ai tioata, e sili atu le fua faatatau o le silicon-carbon molar i le 5.5, ae a faʻaaogaina le pauta α-SiC e faʻatupu ai tioata, e 1.2 le fua faatatau o le silicon-carbon molar. A siʻitia le vevela, e tupu ai se suiga o le vaega i totonu o le ogaumu. I le taimi lea, e tele atu le fua faatatau o le molar i le vaega kesi, lea e le fesoasoani i le tuputupu aʻe o le tioata. E le gata i lea, o isi mea leaga o le vaega kesi, e aofia ai le carbon, silicon, ma le silicon dioxide, e faigofie ona gaosia i le taimi o le faagasologa o le suiga o le vaega. O le iai o nei mea leaga e mafua ai ona faʻatupuina e le tioata ni microtubes ma ni voids. O le mea lea, e tatau ona pulea lelei le foliga o le tioata pauta.
1.3 A'afiaga o mea leaga o le pauta i le tuputupu a'e o le tioata
O le aofaʻi o mea leaga i le pauta SiC e aʻafia ai le faʻaputuga faʻafuaseʻi i le taimi o le tuputupu aʻe o le tioata. O le maualuga o le aofaʻi o mea leaga, o le itiiti foʻi lea o le avanoa e faʻaputuga faʻafuaseʻi ai le tioata. Mo le SiC, o mea leaga autu o uʻamea e aofia ai le B, Al, V, ma le Ni, lea e ono faʻaofiina mai e meafaigaluega faʻagasolo i le taimi o le faʻagasologaina o le pauta silicon ma le pauta carbon. O le B ma le Al o mea leaga autu ia e taliaina ai le malosi i le SiC, ma mafua ai ona faʻaitiitia le teteʻe o le SiC. O isi mea leaga o uʻamea o le a faʻaofiina mai ai le tele o tulaga o le malosi, ma mafua ai ona le mautu meatotino eletise o tioata taʻitasi SiC i le vevela maualuga, ma e sili atu ona aʻafia ai meatotino eletise o mea e faʻapipiʻi ai le tioata taʻitasi e maualuga le mama, aemaise lava le teteʻe. O le mea lea, e tatau ona faʻapipiʻiina le pauta silicon carbide mama maualuga i le tele e mafai ai.
1.4 Aafiaga o le aofaʻi o le naitokene i le pauta i le tuputupu aʻe o le tioata
O le maualuga o le aofaʻi o le nitrogen e fuafua ai le teteʻe o le substrate tioata e tasi. E manaʻomia e kamupani gaosi oloa tetele ona fetuʻunaʻi le maualuga o le faʻaopoopoina o le nitrogen i mea faʻapitoa e tusa ai ma le faʻagasologa o le tuputupu aʻe o le tioata matua i le taimi o le faʻaputuga o le pauta. O substrates tioata e tasi e maualuga le mama o le silicon carbide semi-insulating o mea sili ona folafolaina mo vaega eletise autu a le militeri. Ina ia totoina substrates tioata e tasi e maualuga le mama ma le teteʻe maualuga ma meatotino eletise lelei, o le aofaʻi o le nitrogen eleelea autu i totonu o le substrate e tatau ona pulea i se tulaga maualalo. O substrates tioata e tasi e faʻafoe ai le eletise e manaʻomia le puleaina o le aofaʻi o le nitrogen i se tulaga maualuga.
2 Tekonolosi pulea autu mo le fa'aputuina o le pauta
Ona o le eseese o siosiomaga faʻaaogaina o mea e fai ai le silicon carbide, o le tekinolosi faʻapipiʻi mo pauta tuputupu aʻe e iai foʻi faiga eseese. Mo pauta tuputupu aʻe tioata e tasi le ituaiga N, e manaʻomia le maualuga o le mama ma le tasi le vaega; ae mo pauta tuputupu aʻe tioata e tasi e semi-insulating, e manaʻomia le pulea lelei o le aofaʻi o le nitrogen.
2.1 Puleaina o le tele o le vaega o le pauta
2.1.1 Vevela o le gaosiga
E ui ina lē suia isi tulaga o le faagasologa, ae o pauta SiC na gaosia i le vevela o le gaosiga o le 1900 ℃, 2000 ℃, 2100 ℃, ma le 2200 ℃ na faia ai ni faataitaiga ma auilii. E pei ona faaalia i le Ata 1, e mafai ona vaaia o le tele o le vaega e 250~600 μm i le 1900 ℃, ma e faateleina le tele o le vaega i le 600~850 μm i le 2000 ℃, ma e suia tele le tele o le vaega. A faaauau pea ona siitia le vevela i le 2100 ℃, o le tele o le vaega o le pauta SiC e 850~2360 μm, ma e foliga mai e le tele se faaopoopoga. O le tele o le vaega o le SiC i le 2200 ℃ e mautu i le tusa ma le 2360 μm. O le faateleina o le vevela o le gaosiga mai le 1900 ℃ e iai sona aafiaga lelei i le tele o le vaega o le SiC. A faaauau pea ona faateleina le vevela o le gaosiga mai le 2100 ℃, e le toe suia tele le tele o le vaega. O le mea lea, pe a setiina le vevela o le synthesis i le 2100 ℃, e mafai ona fa'apotopotoina se vaega tele i se fa'aaogaina maualalo o le malosi.
2.1.2 Taimi o le fa'aputuga
O isi tulaga o le faagasologa e tumau pea e le suia, ma o le taimi o le gaosiga ua setiina i le 4 itula, 8 itula, ma le 12 itula. O le auiliiliga o le faʻataʻitaʻiga o le paʻu SiC ua gaosia o loʻo faʻaalia i le Ata 2. Ua maua ai o le taimi o le gaosiga e iai sona aafiaga tele i le tele o le vaega o le SiC. A oʻo le taimi o le gaosiga i le 4 itula, o le tele o le vaega e tufatufa atu i le 200 μm; a oʻo le taimi o le gaosiga i le 8 itula, o le tele o le vaega e gaosia e faʻateleina tele, e tufatufa atu i le tusa ma le 1 000 μm; a o faʻaauau pea ona faʻateleina le taimi o le gaosiga, o le tele o le vaega e faʻateleina atili, e tufatufa atu i le tusa ma le 2 000 μm.
2.1.3 Aafiaga o le tele o le fasi o mea mata
A o faasolosolo malie ona faaleleia le faasologa o le gaosiga o meafaitino silicon i totonu o le atunuu, ua faaleleia atili ai foi le mama o meafaitino silicon. I le taimi nei, o meafaitino silicon e faaaogaina i le gaosiga e vaevaeina tele i le silicon granular ma le silicon powdered, e pei ona faaalia i le Ata 3.
Sa fa'aaogaina mea mata eseese o le silicon e fa'atino ai fa'ata'ita'iga o le fa'aputuga o le silicon carbide. O le fa'atusatusaga o oloa fa'aputuga o lo'o fa'aalia i le Ata 4. O le au'ili'iliga e fa'aalia ai pe a fa'aaogaina mea mata poloka silicon, e tele naua elemene Si o lo'o i totonu o le oloa. A mae'a ona nutililii le poloka silicon mo le taimi lona lua, e matua'i fa'aitiitia le elemene Si i totonu o le oloa fa'aputuga, ae o lo'o i ai pea. Mulimuli ane, e fa'aaoga le pauta silicon mo le fa'aputuga, ma na'o le SiC o lo'o i totonu o le oloa. E mafua ona o le fa'agasologa o le gaosiga, e mana'omia muamua ona faia e le silicon granular tele le tali atu i le fa'aputuga o luga, ma e fa'aputuina le silicon carbide i luga o le luga, lea e taofia ai le pauta Si i totonu mai le toe fa'afefiloi ma le pauta C. O le mea lea, afai e fa'aaogaina le poloka silicon o se mea mata, e mana'omia ona nutililii ona faia lea o le fa'agasologa lona lua o le fa'aputuga e maua ai le pauta silicon carbide mo le tuputupu a'e o le tioata.
2.2 Puleaina o le foliga o le tioata pauta
2.2.1 Aafiaga o le vevela o le gaosiga
E ui ina lē suia isi tulaga o le faagasologa, ae o le vevela o le gaosiga e 1500℃, 1700℃, 1900℃, ma le 2100℃, ma o le pauta SiC ua gaosia e faʻataʻitaʻiina ma suʻesuʻeina. E pei ona faʻaalia i le Ata 5, o le β-SiC e samasama eleele, ma o le α-SiC e mama le lanu. I le matauina o le lanu ma le fausaga o le pauta ua faia, e mafai ona iloa ai o le oloa ua faia o le β-SiC i le vevela o le 1500℃ ma le 1700℃. I le 1900℃, e mama le lanu, ma e aliali mai ni vaega e ono, e faʻaalia ai a maeʻa ona siʻitia le vevela i le 1900℃, e tupu ai se suiga o le vaega, ma o se vaega o le β-SiC e liua i le α-SiC; a faʻaauau pea ona siʻitia le vevela i le 2100℃, e iloa ai o vaega ua faia e manino, ma ua liua le α-SiC.
2.2.2 Aafiaga o le taimi o le fa'asologa
O isi tulaga o le faagasologa e tumau pea e le suia, ma o le taimi o le gaosiga ua setiina i le 4 itula, 8 itula, ma le 12 itula, i le faasologa lava lea. O le pa'u SiC ua gaosia e fa'ata'ita'iina ma au'ili'iliina e le diffractometer (XRD). O lo'o fa'aalia i'uga i le Ata 6. O le taimi o le gaosiga e iai sona aafiaga patino i le oloa ua gaosia e le pa'u SiC. A o'o le taimi o le gaosiga e 4 itula ma le 8 itula, o le oloa gaosia e tele lava ina 6H-SiC; a o'o le taimi o le gaosiga e 12 itula, e aliali mai le 15R-SiC i le oloa.
2.2.3 Aafiaga o le fua faatatau o meafaitino mata
E le suia isi faiga, e iloiloina le aofaʻi o mea silicon-carbon, ma o fua faatatau e 1.00, 1.05, 1.10 ma le 1.15 mo faʻataʻitaʻiga o le synthesis. O loʻo faʻaalia iʻuga i le Ata 7.
Mai le XRD spectrum, e mafai ona iloa ai afai e sili atu le silicon-carbon ratio i le 1.05, e aliali mai le Si tele i le oloa, ae afai e itiiti ifo le silicon-carbon ratio i le 1.05, e aliali mai le C tele. Afai e 1.05 le silicon-carbon ratio, e toetoe lava a aveesea le carbon saoloto i le oloa gaosia, ma e leai se silicon saoloto e aliali mai. O le mea lea, o le aofaʻi o le silicon-carbon ratio e tatau ona 1.05 e fausia ai le SiC mama maualuga.
2.3 Puleaina o le maualalo o le naitorosene i le pauta
2.3.1 Mea mata gaosi
O mea mata e faʻaaogaina i lenei faʻataʻitaʻiga o le pauta kaponi mama maualuga ma le pauta silicon mama maualuga ma le lautele ogatotonu e 20 μm. Ona o le laʻititi o latou fasi ma le tele o le lautele patino, e faigofie ona mitiia le N2 i le ea. A faia le pauta, o le a aumaia i le foliga tioata o le pauta. Mo le tuputupu aʻe o tioata ituaiga-N, o le le tutusa o le faʻaopoopoina o le N2 i le pauta e oʻo atu ai i le teteʻe le tutusa o le tioata ma e oʻo lava i suiga i le foliga tioata. O le aofaʻi o le nitrogen o le pauta ua faia pe a uma ona faʻaofi le hydrogen e matua maualalo lava. E mafua ona o le laʻititi o le aofaʻi o molekula hydrogen. A faʻavevela ma pala le N2 o loʻo pipii i le pauta kaponi ma le pauta silicon mai luga, e sosolo atoa le H2 i totonu o le va i le va o pauta ma lona laʻititi tele, e sui ai le tulaga o le N2, ma sola ese le N2 mai le ogaumu i le taimi o le faʻagasologa o le vacuum, ma ausia ai le faʻamoemoega o le aveeseina o le aofaʻi o le nitrogen.
2.3.2 Faiga o le tuufaatasia
I le taimi o le fa'agasologa o le pauta silicon carbide, talu ai e tutusa le radius o atomu kaponi ma atomu nitrogen, o le a suia e le nitrogen ni avanoa kaponi i le silicon carbide, ma fa'ateleina ai le aofa'i o le nitrogen. O lenei faiga fa'ata'ita'i e fa'aaogaina ai le metotia o le fa'aofiina o le H2, ma e tali atu le H2 ma elemene kaponi ma silicon i totonu o le ogaumu fa'agasologa e fa'atupu ai kasa C2H2, C2H, ma SiH. E fa'ateleina le aofa'i o elemene kaponi e ala i le fesiita'iga o le vaega kasa, ma fa'aitiitia ai avanoa kaponi. Ua ausia le fa'amoemoega o le aveeseina o le nitrogen.
2.3.3 Puleaina o le aofaʻi o le nitrogen i tua atu o le faagasologa
E mafai ona fa'aaogaina ipu graphite e tele le porosity o ni puna fa'aopoopo o le C e mitiia ai le ausa o le Si i vaega o le kesi, fa'aitiitia ai le Si i vaega o le kesi, ma fa'ateleina ai le C/Si. I le taimi lava e tasi, e mafai fo'i e ipu graphite ona tali atu i le ea Si e fa'atupu ai le Si2C, SiC2 ma le SiC, lea e tutusa ma le ea Si e aumaia ai le puna o le C mai le ipu graphite i le ea tuputupu a'e, fa'ateleina ai le fua fa'atatau o le C, ma fa'ateleina ai fo'i le fua fa'atatau o le carbon-silicon. O le mea lea, e mafai ona fa'ateleina le fua fa'atatau o le carbon-silicon e ala i le fa'aaogaina o ipu graphite e tele le porosity, fa'aitiitia ai avanoa o le carbon, ma ausia ai le fa'amoemoega o le ave'esea o le nitrogen.
3 Su'esu'ega ma le mamanu o le faiga o le faia o le pauta tioata e tasi
3.1 Mataupu faavae ma le mamanu o le faagasologa o le tuufaatasia
E ala i le suʻesuʻega atoatoa ua taʻua i luga i le puleaina o le tele o le vaega, le foliga o le tioata ma le aofaʻi o le naitorosene i le gaosiga o le pauta, ua fautuaina ai se faiga o le gaosiga. Ua filifilia le pauta C ma le pauta Si e maualuga le mama, ma ua palu tutusa ma ua utaina i totonu o se ogaumu graphite e tusa ai ma le fua faatatau o le silicon-carbon o le 1.05. O laʻasaga o le faiga e vaevaeina i ni vaega e fa:
1) Faiga o le denitrification i le vevela maualalo, fa'amamāina i le masini e fa'amamā ai le ea i le 5×10-4 Pa, ona fa'aopoopo lea o le hydrogen, ma faia ai le mamafa o le potu e tusa ma le 80 kPa, fa'atumauina mo le 15 minute, ma toe fai fa'afa. O lenei faiga e mafai ona aveese ai elemene nitrogen i luga o le pa'u kaponi ma le pa'u silicon.
2) Fa'agasologa o le denitrification i le vevela maualuga, fa'amamāina i le masini e aunoa ma le ea (vacuum) i le 5 × 10-4 Pa, ona fa'avevela lea i le 950 ℃, ona fa'aopoopo lea o le hydrogen, ma faia ai le mamafa o le potu e tusa ma le 80 kPa, fa'atumauina mo le 15 minute, ma toe fai fa'afa. O lenei faiga e mafai ona aveese ai elemene nitrogen i luga o le pa'u kaponi ma le pa'u silicon, ma fa'aoso le nitrogen i le fanua vevela.
3) Fa'agasologa o le fa'agasologa o le vevela maualalo, fa'amamā i le 5 × 10-4 Pa, ona fa'avevela lea i le 1350 ℃, taofi mo le 12 itula, ona fa'aopoopo lea o le haitorosene e fa'atupu ai le mamafa o le potu e tusa ma le 80 kPa, taofi mo le 1 itula. O lenei fa'agasologa e mafai ona aveese ai le naitorosene ua fa'apuna i le taimi o le fa'agasologa o le fa'agasologa.
4) Fa'agasologa o le fa'agasologa o le vevela maualuga, fa'atumu i se fua fa'atatau o le tafe o le kesi o le hydrogen mama maualuga ma le argon fefiloi, fa'atulaga le mamafa o le potu e tusa ma le 80 kPa, fa'ateleina le vevela i le 2100 ℃, taofi mo le 10 itula. O lenei fa'agasologa e fa'amae'a ai le suiga o le pauta silicon carbide mai le β-SiC i le α-SiC ma fa'amae'a ai le tuputupu a'e o vaega tioata.
I le iuga, faatali se'i maalili le vevela o le potu i le vevela o le potu, faatumu i le mamafa o le ea, ona aveese lea o le pauta.
3.2 Fa'agasologa o le fa'agasologaina o le pauta
A maeʻa ona faia le pauta e ala i le faiga o loʻo i luga, e tatau ona faʻagasolo muamua e aveese ai le kaponi saoloto, silicon ma isi mea leaga o uʻamea ma siaki le tele o le fasi. Muamua, o le pauta ua faia e tuʻu i totonu o se masini olo polo mo le tuʻimomomoina, ma o le pauta silicon carbide ua tuʻimomomoina e tuʻu i totonu o se ogaumu muffle ma faʻavevela i le 450°C i le okesene. O le kaponi saoloto i totonu o le pauta e faʻaʻoksizenina i le vevela e faʻatupu ai le kasa kaponi taiokisaite e alu ese mai le potu, ma maua ai le aveeseina o le kaponi saoloto. Mulimuli ane, o se vai faʻamama acidic e saunia ma tuʻu i totonu o se masini faʻamama fasi silicon carbide mo le faʻamamāina e aveese ai le kaponi, silicon ma mea leaga o uʻamea e totoe i le taimi o le faiga o le tuʻufaʻatasiga. A maeʻa lena, o le acid o totoe e fufuluina i le vai mama ma faʻamago. O le pauta mago e siaki i totonu o se lau tetete mo le filifilia o le tele o le fasi mo le tuputupu aʻe o le tioata.
Taimi na lafoina ai: Aokuso-08-2024