SiC 에피택시용 SiC 코팅 흑연 반달형 부품 및 어셈블리

SiC 코팅 흑연 반달형 부품반도체 제조 공정, 특히 SiC 에피택셜 장비에 사용되는 핵심 부품입니다. 구조 설계와 재료 특성은 에피택셜 웨이퍼의 품질과 생산 효율을 직접적으로 결정합니다.

반응 챔버 구조:
반달 모양 부분은 상부와 하부 두 부분으로 구성되어 있으며, 이 두 부분이 결합되어 밀폐된 성장 챔버를 형성합니다. 이 챔버는 탄화규소 기판(일반적으로 4H-SiC 또는 6H-SiC)을 수용하고, 가스 흐름장(예: SiH₄, C₃H₈ 및 H₂의 혼합물)을 정밀하게 제어하여 에피택셜 층 성장을 구현합니다.
온도장 조절:
고순도 흑연 기판과 유도 가열 코일의 조합은 1500~1700°C의 고온에서도 챔버 온도 균일성(±5°C 이내)을 유지하여 에피택셜 층 두께의 균일성을 보장합니다.
공기 흐름 안내:
수평로 본체의 측면 공기 흡입구와 상단 공기 배출구와 같은 공기 흡입구 및 배출구의 위치를 ​​설계함으로써 반응 가스의 층류 흐름이 기판 표면을 통과하도록 유도하여 난류로 인한 성장 결함을 줄일 수 있습니다.

기본 소재: 고순도 흑연
순도 요구 사항:고온에서 에피택셜 층을 오염시킬 불순물이 침전되지 않도록 탄소 함량 ≥99.99%, 회분 함량 ≤5ppm을 보장합니다.
성능상의 이점:
높은 열전도율:상온에서의 열전도율은 150W/(m・K)에 달하며, 이는 구리 수준에 근접하여 열을 빠르게 전달할 수 있습니다.
낮은 팽창 계수:5×10^-6/℃ (25-1000℃), 탄화규소 기판(4.2×10)과 일치^-6(섭씨/화씨 약 100도)로 인해 열응력으로 인한 코팅 균열이 줄어듭니다.
처리 정확도:CNC 가공을 통해 ±0.05mm의 치수 공차를 달성하여 챔버의 밀봉을 보장합니다.

CVD SiC와 CVD TaC의 차별화된 응용 분야