SiC लेपित ग्रेफाइट हाफ मुन पार्ट र SiC एपिटाक्सीको लागि एसेम्बली

SiC लेपित ग्रेफाइट हाफमुन पार्टयो अर्धचालक उत्पादन प्रक्रियाहरूमा प्रयोग हुने एक प्रमुख घटक हो, विशेष गरी SiC एपिटेक्सियल उपकरणहरूको लागि। यसको संरचनात्मक डिजाइन र सामग्री गुणहरूले एपिटेक्सियल वेफरहरूको गुणस्तर र उत्पादन दक्षतालाई प्रत्यक्ष रूपमा निर्धारण गर्दछ।

प्रतिक्रिया कक्ष निर्माण:
अर्धचन्द्र भाग दुई भागहरू मिलेर बनेको हुन्छ, माथिल्लो र तल्लो भागहरू, जुन एकसाथ जोडिएको हुन्छ र बन्द वृद्धि कक्ष बनाउँछ, जसले सिलिकन कार्बाइड सब्सट्रेट (सामान्यतया 4H-SiC वा 6H-SiC) लाई समायोजन गर्दछ र ग्यास प्रवाह क्षेत्र (जस्तै SiH₄, C₃H₈, र H₂ को मिश्रण) लाई ठीकसँग नियन्त्रण गरेर एपिटेक्सियल तह वृद्धि प्राप्त गर्दछ।
तापक्रम क्षेत्र नियमन:
उच्च-शुद्धता ग्रेफाइट आधारले इन्डक्सन तताउने कोइलसँग मिलाएर एपिटेक्सियल तह मोटाईको स्थिरता सुनिश्चित गर्न १५००-१७०० डिग्री सेल्सियसको उच्च तापक्रममा चेम्बरको तापक्रम एकरूपता (±५ डिग्री सेल्सियस भित्र) कायम राख्न सक्छ।
वायुप्रवाह निर्देशन:
हावाको इनलेट र आउटलेट (जस्तै तेर्सो फर्नेस बडीको साइड एयर इनलेट र माथिल्लो हावा आउटलेट) को स्थिति डिजाइन गरेर, प्रतिक्रिया ग्यास ल्यामिनार प्रवाहलाई अशान्तिको कारणले हुने वृद्धि दोषहरू कम गर्न सब्सट्रेट सतह मार्फत निर्देशित गरिन्छ।

आधार सामग्री: उच्च शुद्धता ग्रेफाइट
शुद्धता आवश्यकताहरू:उच्च तापक्रममा एपिटेक्सियल तहलाई दूषित गर्न कुनै पनि अशुद्धता नपुगोस् भनेर सुनिश्चित गर्न कार्बनको मात्रा ≥९९.९९%, खरानीको मात्रा ≤५ppm।
प्रदर्शन फाइदाहरू:
उच्च तापीय चालकता:कोठाको तापक्रममा तापीय चालकता १५०W/(m・K) पुग्छ, जुन तामाको स्तरको नजिक हुन्छ र द्रुत रूपमा ताप स्थानान्तरण गर्न सक्छ।
कम विस्तार गुणांक:५×१०^-6/℃ (२५-१०००℃), सिलिकन कार्बाइड सब्सट्रेट (४.२×१०) सँग मिल्दोजुल्दो^-6/℃), थर्मल तनावको कारणले हुने कोटिंगको क्र्याकिंग कम गर्दै।
प्रशोधन शुद्धता:चेम्बरको सिलिङ सुनिश्चित गर्न CNC मेसिनिङ मार्फत ±०.०५ मिमीको आयामी सहिष्णुता प्राप्त गरिन्छ।

CVD SiC र CVD TaC का भिन्न अनुप्रयोगहरू