ʻĀpana a me ka ʻAhaʻōlelo ʻo SiC Coated Graphite Half Moon no SiC Epitaxy

ʻĀpana Halfmoon Graphite i uhi ʻia ʻo SiChe ʻāpana koʻikoʻi i hoʻohana ʻia i nā kaʻina hana semiconductor, ʻoi aku hoʻi no nā lako epitaxial SiC. ʻO kona hoʻolālā kūkulu a me nā waiwai mea e hoʻoholo pololei i ka maikaʻi a me ka pono hana o nā wafers epitaxial.

Ke kūkulu ʻana o ke keʻena pane:
ʻO ka ʻāpana mahina hapa ua haku ʻia me ʻelua ʻāpana, nā ʻāpana o luna a me lalo, i hoʻopaʻa ʻia e hana i kahi keʻena ulu pani, kahi e hoʻokipa ai i ka substrate silicon carbide (ʻo 4H-SiC a i ʻole 6H-SiC maʻamau) a hoʻokō i ka ulu ʻana o ka papa epitaxial ma o ka kaohi pololei ʻana i ke kahua kahe kinoea (e like me ka hui ʻana o SiH₄, C₃H₈, a me H₂).
Ka hoʻoponopono ʻana i ke kahua mahana:
ʻO ke kumu graphite maʻemaʻe kiʻekiʻe i hui pū ʻia me ka coil hoʻomehana induction hiki ke mālama i ke ʻano like o ka mahana o ke keʻena (i loko o ± 5 ° C) ma kahi mahana kiʻekiʻe o 1500-1700 ° C e hōʻoia i ke kūlike o ka mānoanoa o ka papa epitaxial.
Alakaʻi kahe ea:
Ma ka hoʻolālā ʻana i ke kūlana o ka puka komo a me ka puka ʻana o ka ea (e like me ka puka komo ʻaoʻao a me ka puka ea luna o ke kino umu ākea), alakaʻi ʻia ke kahe laminar kinoea hopena ma o ka ʻili substrate e hōʻemi i nā hemahema ulu i hoʻokumu ʻia e ka haunaele.

Mea kumu: graphite maʻemaʻe kiʻekiʻe
Nā koi maʻemaʻe:ʻO ka nui o ke kalapona ≥99.99%, ka nui o ka lehu ≤5ppm, e hōʻoia i ʻole e hoʻoheheʻe ʻia nā mea haumia e haumia ai ka papa epitaxial i nā mahana kiʻekiʻe.
Nā pono hana:
Ka hoʻokele wela kiʻekiʻe:ʻO ka conductivity thermal ma ka mahana o ka lumi a hiki i 150W/(m・K), kokoke i ka pae o ke keleawe a hiki ke hoʻoili koke i ka wela.
Ka helu hoʻonui haʻahaʻa:5×10^-6/℃ (25-1000℃), e hoʻohālikelike ana i ka substrate silicon carbide (4.2 × 10^-6/℃), e hōʻemi ana i ka nahā ʻana o ka uhi i hoʻokumu ʻia e ke kaumaha wela.
Ka pololei o ka hana ʻana:Hoʻokō ʻia ka hoʻomanawanui ana o ±0.05mm ma o ka mīkini CNC e hōʻoia i ka sila ʻana o ke keʻena.

Nā noi ʻokoʻa o CVD SiC a me CVD TaC