SiC Coated Graphite Halfmoon Ib Feemyog ib qho tseem ceeb uas siv rau hauv cov txheej txheem tsim khoom semiconductor, tshwj xeeb tshaj yog rau cov khoom siv SiC epitaxial. Nws cov qauv tsim thiab cov khoom siv ncaj qha txiav txim siab qhov zoo thiab kev ua haujlwm ntawm epitaxial wafers.
Kev tsim kho chamber tshuaj tiv thaiv:
Ib nrab ntawm lub hli yog tsim los ntawm ob ntu, qhov sab saud thiab hauv qab, uas tau sib txuas ua ke los ua ib lub chamber kaw loj hlob, uas haum rau lub silicon carbide substrate (feem ntau yog 4H-SiC lossis 6H-SiC) thiab ua tiav epitaxial txheej loj hlob los ntawm kev tswj hwm qhov chaw ntws roj (xws li kev sib xyaw ntawm SiH₄, C₃H₈, thiab H₂).
Kev tswj qhov kub thiab txias:
Lub hauv paus graphite siab-purity ua ke nrog lub kauj cua sov induction tuaj yeem tswj tau qhov kub thiab txias sib xws (hauv ± 5 ° C) ntawm qhov kub siab ntawm 1500-1700 ° C kom ntseeg tau tias qhov sib xws ntawm cov txheej epitaxial tuab.
Kev taw qhia txog huab cua:
Los ntawm kev tsim qhov chaw ntawm qhov nkag thiab qhov tawm ntawm huab cua (xws li qhov nkag thiab qhov tawm ntawm huab cua sab nraud ntawm lub cev cua sov kab rov tav), cov roj laminar ntws yog coj los ntawm qhov chaw ntawm lub substrate kom txo cov teeb meem kev loj hlob los ntawm kev kub ntxhov.
Cov khoom siv hauv paus: graphite purity siab
Cov kev cai ntawm kev huv huv:Cov ntsiab lus carbon ≥99.99%, cov ntsiab lus tshauv ≤5ppm, kom ntseeg tau tias tsis muaj cov khoom tsis huv uas tau ua kom cov txheej epitaxial tsis huv ntawm qhov kub siab.
Cov txiaj ntsig ntawm kev ua tau zoo:
Kev ua tau zoo ntawm cov cua sov:Qhov thermal conductivity ntawm chav tsev kub ncav cuag 150W / (m ・ K), uas ze rau qib tooj liab thiab tuaj yeem hloov pauv cua sov sai.
Cov coefficient nthuav dav qis:5 × 10-6/℃ (25-1000℃), phim lub silicon carbide substrate (4.2 × 10-6/℃), txo qhov tawg ntawm lub txheej uas tshwm sim los ntawm kev ntxhov siab thermal.
Kev ua tiav qhov tseeb:Kev kam rau siab ntawm ± 0.05 hli yog ua tiav los ntawm CNC machining kom ntseeg tau tias lub chamber sealing.
Cov ntawv thov sib txawv ntawm CVD SiC thiab CVD TaC
| Txheej | Txheej Txheem | Kev sib piv | Daim ntawv thov ib txwm muaj |
| CVD-SiC | Kub: 1000-1200 ℃ Siab: 10-100 Torr | Hardness HV2500, tuab 50-100um, tiv taus oxidation zoo heev (ruaj khov hauv qab 1600 ℃) | Universal epitaxial furnaces, tsim rau cov huab cua ib txwm muaj xws li hydrogen thiab silane |
| CVD-TaC | Kub: 1600-1800 ℃ Siab: 1-10 Torr | Hardness HV3000, tuab 20-50um, tiv taus corrosion heev (tuaj yeem tiv taus cov pa roj corrosive xws li HCl, NH₃, thiab lwm yam) | Cov chaw muaj corrosive heev (xws li GaN epitaxy thiab etching khoom siv), lossis cov txheej txheem tshwj xeeb uas xav tau qhov kub siab heev ntawm 2600 ° C |
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