Μέρος και συναρμολόγηση ημισελήνου με επίστρωση γραφίτη SiC για επιταξία SiC

Μέρος Halfmoon με επίστρωση SiC από γραφίτηείναι ένα βασικό συστατικό που χρησιμοποιείται στις διαδικασίες κατασκευής ημιαγωγών, ειδικά για τον επιταξιακό εξοπλισμό SiC. Ο δομικός σχεδιασμός και οι ιδιότητες των υλικών του καθορίζουν άμεσα την ποιότητα και την αποδοτικότητα παραγωγής των επιταξιακών πλακιδίων.

Κατασκευή θαλάμου αντίδρασης:
Το ημισεληνοειδές τμήμα αποτελείται από δύο μέρη, το άνω και το κάτω μέρος, τα οποία είναι ενωμένα μεταξύ τους για να σχηματίσουν έναν κλειστό θάλαμο ανάπτυξης, ο οποίος φιλοξενεί το υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου (συνήθως 4H-SiC ή 6H-SiC) και επιτυγχάνει επιταξιακή ανάπτυξη στρωμάτων ελέγχοντας με ακρίβεια το πεδίο ροής αερίου (όπως ένα μείγμα SiH₄, C₃H₈ και H₂).
Ρύθμιση πεδίου θερμοκρασίας:
Η βάση γραφίτη υψηλής καθαρότητας σε συνδυασμό με το επαγωγικό θερμαντικό πηνίο μπορεί να διατηρήσει την ομοιομορφία της θερμοκρασίας του θαλάμου (εντός ±5°C) σε υψηλή θερμοκρασία 1500-1700°C για να εξασφαλίσει τη συνοχή του πάχους της επιταξιακής στρώσης.
Οδηγίες ροής αέρα:
Σχεδιάζοντας τη θέση της εισόδου και της εξόδου αέρα (όπως η πλευρική είσοδος αέρα και η άνω έξοδος αέρα του οριζόντιου σώματος του κλιβάνου), η στρωματική ροή του αερίου αντίδρασης καθοδηγείται μέσω της επιφάνειας του υποστρώματος για τη μείωση των ελαττωμάτων ανάπτυξης που προκαλούνται από την αναταραχή.

Βασικό υλικό: γραφίτης υψηλής καθαρότητας
Απαιτήσεις καθαρότητας:περιεκτικότητα σε άνθρακα ≥99,99%, περιεκτικότητα σε τέφρα ≤5ppm, για να διασφαλιστεί ότι δεν θα καθιζάνουν ακαθαρσίες που θα μολύνουν το επιταξιακό στρώμα σε υψηλές θερμοκρασίες.
Πλεονεκτήματα απόδοσης:
Υψηλή θερμική αγωγιμότητα:Η θερμική αγωγιμότητα σε θερμοκρασία δωματίου φτάνει τα 150W/(m・K), η οποία είναι κοντά στο επίπεδο του χαλκού και μπορεί να μεταφέρει γρήγορα θερμότητα.
Χαμηλός συντελεστής διαστολής:5×10^-6/℃ (25-1000℃), που ταιριάζει με το υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου (4,2×10^-6/℃), μειώνοντας τη ρηγμάτωση της επικάλυψης που προκαλείται από θερμική καταπόνηση.
Ακρίβεια επεξεργασίας:Μέσω κατεργασίας CNC επιτυγχάνεται ανοχή διαστάσεων ±0,05 mm για να εξασφαλιστεί η στεγανοποίηση του θαλάμου.

Διαφοροποιημένες εφαρμογές του CVD SiC και του CVD TaC