Bộ phận và cụm linh kiện hình bán nguyệt bằng than chì phủ SiC dùng cho quá trình lắng đọng màng mỏng SiC.

Phần hình bán nguyệt bằng than chì phủ SiCĐây là một thành phần quan trọng được sử dụng trong các quy trình sản xuất chất bán dẫn, đặc biệt là đối với thiết bị tạo màng mỏng SiC. Thiết kế cấu trúc và tính chất vật liệu của nó quyết định trực tiếp chất lượng và hiệu quả sản xuất của các tấm wafer tạo màng mỏng.

Cấu tạo buồng phản ứng:
Phần hình bán nguyệt bao gồm hai phần, phần trên và phần dưới, được ghép lại với nhau để tạo thành một buồng tăng trưởng kín, chứa chất nền silicon carbide (thường là 4H-SiC hoặc 6H-SiC) và đạt được sự phát triển lớp màng mỏng bằng cách kiểm soát chính xác trường dòng khí (chẳng hạn như hỗn hợp SiH₄, C₃H₈ và H₂).
Điều chỉnh trường nhiệt độ:
Đế than chì có độ tinh khiết cao kết hợp với cuộn dây gia nhiệt cảm ứng có thể duy trì độ đồng đều nhiệt độ trong buồng (trong phạm vi ±5°C) ở nhiệt độ cao 1500-1700°C để đảm bảo tính nhất quán về độ dày lớp màng mỏng.
Hướng dẫn luồng không khí:
Bằng cách thiết kế vị trí của cửa hút và cửa thoát khí (chẳng hạn như cửa hút khí bên hông và cửa thoát khí phía trên của thân lò nung nằm ngang), luồng khí phản ứng được dẫn hướng theo dạng tầng qua bề mặt chất nền để giảm thiểu các khuyết tật phát triển do nhiễu loạn gây ra.

Vật liệu cơ bản: than chì có độ tinh khiết cao
Yêu cầu về độ tinh khiết:Hàm lượng carbon ≥99,99%, hàm lượng tro ≤5ppm, để đảm bảo không có tạp chất kết tủa làm ô nhiễm lớp màng mỏng ở nhiệt độ cao.
Ưu điểm về hiệu suất:
Độ dẫn nhiệt cao:Độ dẫn nhiệt ở nhiệt độ phòng đạt 150W/(m・K), gần bằng mức của đồng và có thể truyền nhiệt nhanh chóng.
Hệ số giãn nở thấp:5×10^-6/℃ (25-1000℃), phù hợp với chất nền silicon carbide (4,2×10^-6/℃), giúp giảm hiện tượng nứt vỡ lớp phủ do ứng suất nhiệt gây ra.
Độ chính xác xử lý:Độ dung sai kích thước ±0,05mm được đạt được thông qua gia công CNC để đảm bảo độ kín của buồng.

Ứng dụng khác biệt của SiC CVD và TaC CVD