Linh kiện và cụm lắp ráp hình bán nguyệt bằng than chì phủ SiC cho SiC Epitaxy

Phần Halfmoon phủ than chì SiClà một thành phần chính được sử dụng trong quy trình sản xuất chất bán dẫn, đặc biệt là đối với thiết bị epitaxial SiC. Thiết kế cấu trúc và tính chất vật liệu của nó quyết định trực tiếp chất lượng và hiệu quả sản xuất của wafer epitaxial.

Cấu trúc buồng phản ứng:
Phần hình bán nguyệt bao gồm hai phần, phần trên và phần dưới, được uốn cong lại với nhau để tạo thành một khoang tăng trưởng kín, chứa chất nền silicon carbide (thường là 4H-SiC hoặc 6H-SiC) và đạt được sự tăng trưởng lớp epitaxial bằng cách kiểm soát chính xác trường dòng khí (chẳng hạn như hỗn hợp SiH₄, C₃H₈ và H₂).
Điều chỉnh trường nhiệt độ:
Đế than chì có độ tinh khiết cao kết hợp với cuộn dây gia nhiệt cảm ứng có thể duy trì sự đồng đều nhiệt độ của buồng (trong phạm vi ±5°C) ở nhiệt độ cao 1500-1700°C để đảm bảo độ dày lớp epitaxial đồng nhất.
Hướng dẫn luồng không khí:
Bằng cách thiết kế vị trí của cửa vào và cửa ra của luồng khí (chẳng hạn như cửa vào luồng khí bên và cửa ra luồng khí trên của thân lò nằm ngang), luồng khí phản ứng dạng tầng được dẫn qua bề mặt nền để giảm các khuyết tật phát triển do nhiễu loạn gây ra.

Vật liệu cơ bản: than chì có độ tinh khiết cao
Yêu cầu về độ tinh khiết:hàm lượng cacbon ≥99,99%, hàm lượng tro ≤5ppm, đảm bảo không có tạp chất kết tủa gây ô nhiễm lớp epitaxial ở nhiệt độ cao.
Ưu điểm về hiệu suất:
Độ dẫn nhiệt cao:Độ dẫn nhiệt ở nhiệt độ phòng đạt 150W/(m・K), gần bằng đồng và có khả năng truyền nhiệt nhanh chóng.
Hệ số giãn nở thấp:5×10^-6/℃ (25-1000℃), phù hợp với chất nền silicon carbide (4.2×10^-6/℃), làm giảm hiện tượng nứt lớp phủ do ứng suất nhiệt.
Độ chính xác xử lý:Dung sai kích thước ±0,05mm đạt được thông qua gia công CNC để đảm bảo độ kín của buồng.

Các ứng dụng khác nhau của CVD SiC và CVD TaC