Peça em forma de meia-lua de grafite revestida com SiCÉ um componente fundamental utilizado nos processos de fabricação de semicondutores, especialmente em equipamentos de epitaxia de SiC. Seu projeto estrutural e propriedades do material determinam diretamente a qualidade e a eficiência de produção dos wafers epitaxiais.
Construção da câmara de reação:
A parte em forma de meia-lua é composta por duas partes, a superior e a inferior, que são unidas para formar uma câmara de crescimento fechada, a qual acomoda o substrato de carbeto de silício (geralmente 4H-SiC ou 6H-SiC) e permite o crescimento epitaxial da camada através do controle preciso do fluxo de gás (como uma mistura de SiH₄, C₃H₈ e H₂).
Regulação do campo de temperatura:
A base de grafite de alta pureza, combinada com a bobina de aquecimento por indução, permite manter a uniformidade da temperatura da câmara (dentro de ±5°C) a uma temperatura elevada de 1500-1700°C, garantindo a consistência da espessura da camada epitaxial.
Orientação do fluxo de ar:
Ao projetar a posição da entrada e da saída de ar (como a entrada de ar lateral e a saída de ar superior do corpo do forno horizontal), o fluxo laminar do gás de reação é guiado através da superfície do substrato para reduzir os defeitos de crescimento causados pela turbulência.
Material base: grafite de alta pureza
Requisitos de pureza:Teor de carbono ≥99,99%, teor de cinzas ≤5 ppm, para garantir que nenhuma impureza se precipite e contamine a camada epitaxial em altas temperaturas.
Vantagens de desempenho:
Alta condutividade térmica:A condutividade térmica à temperatura ambiente atinge 150 W/(m・K), valor próximo ao do cobre, permitindo uma rápida transferência de calor.
Baixo coeficiente de expansão:5×10-6/℃ (25-1000℃), compatível com o substrato de carbeto de silício (4,2×10-6/℃), reduzindo o rachamento do revestimento causado pelo estresse térmico.
Precisão do processamento:Uma tolerância dimensional de ±0,05 mm é alcançada por meio de usinagem CNC para garantir a vedação da câmara.
Aplicações diferenciadas de CVD SiC e CVD TaC
| Revestimento | Processo | Comparação | Aplicação típica |
| CVD-SiC | Temperatura: 1000-1200℃ Pressão: 10-100 Torr | Dureza HV2500, espessura de 50 a 100 µm, excelente resistência à oxidação (estável abaixo de 1600 °C). | Fornos epitaxiais universais, adequados para atmosferas convencionais como hidrogênio e silano. |
| CVD-TaC | Temperatura: 1600-1800℃ Pressão: 1-10 Torr | Dureza HV3000, espessura de 20 a 50 µm, extremamente resistente à corrosão (suporta gases corrosivos como HCl, NH₃, etc.). | Ambientes altamente corrosivos (como equipamentos de epitaxia e corrosão de GaN) ou processos especiais que exigem temperaturas ultra-altas de 2600 °C. |
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