Peça e conjunto de meia-lua de grafite revestidos de SiC para epitaxia de SiC

Peça de meia-lua de grafite revestida com SiCé um componente-chave utilizado em processos de fabricação de semicondutores, especialmente para equipamentos epitaxiais de SiC. Seu projeto estrutural e propriedades do material determinam diretamente a qualidade e a eficiência da produção de wafers epitaxiais.

Construção da câmara de reação:
A parte da meia-lua é composta de duas partes, a superior e a inferior, que são unidas para formar uma câmara de crescimento fechada, que acomoda o substrato de carboneto de silício (geralmente 4H-SiC ou 6H-SiC) e atinge o crescimento da camada epitaxial controlando precisamente o campo de fluxo de gás (como uma mistura de SiH₄, C₃H₈ e H₂).
Regulação do campo de temperatura:
A base de grafite de alta pureza combinada com a bobina de aquecimento por indução pode manter a uniformidade da temperatura da câmara (dentro de ±5°C) em uma alta temperatura de 1500-1700°C para garantir a consistência da espessura da camada epitaxial.
Orientação do fluxo de ar:
Ao projetar a posição da entrada e saída de ar (como a entrada de ar lateral e a saída de ar superior do corpo do forno horizontal), o fluxo laminar do gás de reação é guiado através da superfície do substrato para reduzir defeitos de crescimento causados ​​pela turbulência.

Material base: grafite de alta pureza
Requisitos de pureza:teor de carbono ≥99,99%, teor de cinzas ≤5ppm, para garantir que nenhuma impureza seja precipitada para contaminar a camada epitaxial em altas temperaturas.
Vantagens de desempenho:
Alta condutividade térmica:A condutividade térmica em temperatura ambiente atinge 150 W/(m²·K), o que é próximo ao nível do cobre e pode transferir calor rapidamente.
Baixo coeficiente de expansão:5×10^-6/℃ (25-1000℃), combinando com o substrato de carboneto de silício (4,2×10^-6/℃), reduzindo a fissuração do revestimento causada pelo estresse térmico.
Precisão de processamento:Uma tolerância dimensional de ±0,05 mm é obtida por meio de usinagem CNC para garantir a vedação da câmara.

Aplicações diferenciadas de CVD SiC e CVD TaC