SiC এপিট্যাক্সির জন্য SiC প্রলেপযুক্ত গ্রাফাইট অর্ধচন্দ্রাকার অংশ এবং অ্যাসেম্বলি

SiC প্রলেপযুক্ত গ্রাফাইট অর্ধচন্দ্রাকার অংশএটি সেমিকন্ডাক্টর উৎপাদন প্রক্রিয়ায় ব্যবহৃত একটি মূল উপাদান, বিশেষ করে SiC এপিটেক্সিয়াল যন্ত্রপাতির জন্য। এর কাঠামোগত নকশা এবং উপাদানের বৈশিষ্ট্য সরাসরি এপিটেক্সিয়াল ওয়েফারের গুণমান ও উৎপাদন দক্ষতা নির্ধারণ করে।

প্রতিক্রিয়া চেম্বারের নির্মাণ:
অর্ধচন্দ্রাকার অংশটি উপরের এবং নিচের—এই দুটি ভাগে বিভক্ত, যেগুলোকে একসাথে জুড়ে দিয়ে একটি বদ্ধ গ্রোথ চেম্বার তৈরি করা হয়। এই চেম্বারের ভেতরে সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট (সাধারণত 4H-SiC বা 6H-SiC) রাখা হয় এবং গ্যাস প্রবাহ ক্ষেত্রকে (যেমন SiH₄, C₃H₈, ও H₂-এর মিশ্রণ) নিখুঁতভাবে নিয়ন্ত্রণ করে এপিটেক্সিয়াল স্তরের বৃদ্ধি ঘটানো হয়।
তাপমাত্রা ক্ষেত্র নিয়ন্ত্রণ:
উচ্চ-বিশুদ্ধ গ্রাফাইট বেস এবং ইন্ডাকশন হিটিং কয়েলের সমন্বয়ে ১৫০০-১৭০০°C উচ্চ তাপমাত্রায়ও চেম্বারের তাপমাত্রার সমরূপতা (±৫°C এর মধ্যে) বজায় রাখা যায়, যা এপিটেক্সিয়াল স্তরের পুরুত্বের সামঞ্জস্য নিশ্চিত করে।
বায়ুপ্রবাহ নির্দেশিকা:
বায়ু প্রবেশ ও নির্গমন পথের অবস্থান (যেমন হরাইজন্টাল ফার্নেস বডির পাশের বায়ু প্রবেশপথ এবং উপরের বায়ু নির্গমন পথ) ডিজাইন করার মাধ্যমে, বিক্রিয়া গ্যাসের ল্যামিনার প্রবাহকে সাবস্ট্রেট পৃষ্ঠের মধ্য দিয়ে পরিচালিত করা হয়, যা টার্বুলেন্সের কারণে সৃষ্ট গ্রোথ ডিফেক্ট হ্রাস করে।

মূল উপাদান: উচ্চ-বিশুদ্ধ গ্রাফাইট
বিশুদ্ধতার প্রয়োজনীয়তা:কার্বনের পরিমাণ ≥৯৯.৯৯%, ছাইয়ের পরিমাণ ≤৫ পিপিএম, যাতে উচ্চ তাপমাত্রায় কোনো অশুদ্ধি অধঃক্ষিপ্ত হয়ে এপিথেক্সিয়াল স্তরকে দূষিত করতে না পারে।
কর্মক্ষমতার সুবিধা:
উচ্চ তাপ পরিবাহিতা:কক্ষ তাপমাত্রায় এর তাপ পরিবাহিতা 150W/(m・K) পর্যন্ত পৌঁছায়, যা তামার মাত্রার কাছাকাছি এবং দ্রুত তাপ স্থানান্তর করতে পারে।
নিম্ন প্রসারণ সহগ:৫×১০^-6/℃ (২৫-১০০০℃), সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেটের (৪.২×১০) সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ^-6/℃), যা তাপীয় পীড়নের কারণে আবরণের ফাটল হ্রাস করে।
প্রক্রিয়াকরণের নির্ভুলতা:চেম্বারের সিলিং নিশ্চিত করার জন্য সিএনসি মেশিনিংয়ের মাধ্যমে ±০.০৫ মিমি-এর একটি মাত্রিক সহনশীলতা অর্জন করা হয়।

CVD SiC এবং CVD TaC এর পৃথক প্রয়োগ