Cöriteleşdirilen SiC örtükli barrel siňdiriji

Barrel duýgurMOCVD, MBE, CVD ýaly ýarymgeçirijiniň epitaksial ösüş proseslerinde esasy komponentdir. Esasan ýokary temperatura reaksiýa kameralarynda wafli götermek we epitaksial gatlaklaryň (GaN, SiC we ş.m.) takyk ýerleşdirilmegini üpjün etmek üçin birmeňzeş we durnukly ýylylyk meýdan gurşawyny üpjün etmek üçin ulanylýar. Esasy wezipesi, takyk termiki meýdan gözegçiligi arkaly wafli ýerüsti temperaturanyň ýokary birmeňzeşligini gazanmak, şeýlelik bilen epitaksial inçe filmleriň galyňlygyny, doping konsentrasiýasyny we kristal gurluşynyň birmeňzeşligini üpjün etmekdir.

Patentlemek tehnologiýamyzy ulanýarysbarrel duýguraşa ýokary arassalygy, oňat örtük birmeňzeşligi we ajaýyp hyzmat ömri, şeýle hem ýokary himiki garşylyk we ýylylyk durnuklylygy aýratynlyklary bilen.

VET Energy himiki durnuklylygy ýokarlandyrmak üçin CVD-SiC örtükli ýokary arassalyk grafitini ulanýar:

1. purokary arassalyk grafit materialy
Termokary ýylylyk geçirijiligi: grafitiň ýylylyk geçirijiligi kremniniňkiden üç esse köpdür, bu ýylylyk çeşmesinden wafli çalt geçirip, ýyladyş wagtyny gysgaldyp biler.
Mehaniki kuwwaty: izostatiki basyş grafit dykyzlygy 85 1,85 g / sm ³, deformasiýa bolmazdan 1200 above-dan ýokary ýokary temperatura çydap bilýär.

2. CVD SiC örtük
A - SiC gatlagy grafitiň üstünde himiki bug çökdürilmegi (CVD) bilen emele gelýär, arassalygy ≥ 99.99995%, örtük galyňlygynyň birmeňzeş ýalňyşlygy ± 5%, üstki çişlik Ra0.5um-dan pes.

3. Netijeleri gowulandyrmak:
Poslama garşylyk: Cl2, HCl we ş.m. ýaly ýokary poslaýjy gazlara çydap bilýär, NH3 gurşawynda GaN epitaksiýasynyň ömrüni üç esse uzaldyp biler.
Malylylyk durnuklylygy: malylylyk giňelme koeffisiýenti (4,5 × 10-6 / ℃), temperaturanyň üýtgemegi sebäpli örtülen ýarylmazlyk üçin grafit bilen gabat gelýär.
Gatylyk we geýim garşylygy: Wikersiň gatylygy 28 GPa ýetýär, bu grafitden 10 esse ýokary we wafli çyzmak howpuny azaldyp biler.