Durante o processo de epitaxia em fase de vapor (VPE), a função do pedestal é sustentar o substrato e garantir aquecimento uniforme durante o processo de crescimento. Diferentes tipos de pedestais são adequados para diferentes condições de crescimento e sistemas de materiais. A seguir, alguns dos tipos de pedestal mais utilizados na fase de vapor:epitaxia:
Pedestal de barril
Pedestais de barril são comumente usados em sistemas de epitaxia de fase de vapor horizontais ou inclinados. Eles podem segurar o substrato e permitir que o gás flua sobre ele, o que ajuda a alcançar um crescimento epitaxial uniforme.
Pedestal em forma de disco (pedestal vertical)
Pedestais em formato de disco são adequados para sistemas de epitaxia em fase de vapor vertical, nos quais o substrato é posicionado verticalmente. Este design ajuda a reduzir a área de contato entre o substrato e o susceptor, reduzindo assim a perda de calor e a potencial contaminação.
Susceptor horizontal
Susceptores horizontais são menos comuns na epitaxia em fase de vapor, mas podem ser usados em alguns sistemas de crescimento específicos para permitir o crescimento epitaxial na direção horizontal.
Susceptor de reação epitaxial monolítica
O susceptor de reação epitaxial monolítico foi projetado para um único substrato, o que pode fornecer controle de temperatura mais preciso e melhor isolamento térmico, adequado para o crescimento de camadas epitaxiais de alta qualidade.
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Data de publicação: 30 de julho de 2024