Durante il processo di epitassia in fase vapore (VPE), il ruolo del piedistallo è quello di supportare il substrato e garantire un riscaldamento uniforme durante il processo di crescita. Diversi tipi di piedistalli sono adatti a diverse condizioni di crescita e sistemi di materiali. Di seguito sono riportati alcuni dei tipi di piedistalli più comunemente utilizzati nella fase vapore.epitassia:
Piedistallo a botte
I piedistalli a barile sono comunemente utilizzati nei sistemi epitassiferi in fase vapore orizzontali o inclinati. Possono sostenere il substrato e consentire al gas di fluire su di esso, contribuendo a ottenere una crescita epitassiale uniforme.
Piedistallo a forma di disco (piedistallo verticale)
I piedistalli a forma di disco sono adatti per sistemi di epitassia verticale in fase vapore, in cui il substrato è posizionato verticalmente. Questa configurazione contribuisce a ridurre l'area di contatto tra il substrato e il suscettore, riducendo così la perdita di calore e la potenziale contaminazione.
Suscettore orizzontale
I suscettori orizzontali sono meno comuni nell'epitassia in fase di vapore, ma possono essere utilizzati in alcuni sistemi di crescita specifici per consentire la crescita epitassiale in direzione orizzontale.
Suscettore di reazione epitassiale monolitico
Il suscettore di reazione epitassiale monolitico è progettato per un singolo substrato, in grado di fornire un controllo della temperatura più preciso e un migliore isolamento termico, adatto alla crescita di strati epitassiali di alta qualità.
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Data di pubblicazione: 30/07/2024