Durante il processo di epitassia in fase vapore (VPE), il ruolo del supporto è quello di sostenere il substrato e garantire un riscaldamento uniforme durante il processo di crescita. Diversi tipi di supporti sono adatti a diverse condizioni di crescita e sistemi di materiali. Di seguito sono riportati alcuni dei tipi di supporti comunemente utilizzati nell'epitassia in fase vapore.epitassia:
I supporti cilindrici sono comunemente utilizzati nei sistemi di epitassia in fase vapore orizzontali o inclinati. Servono a sostenere il substrato e a consentire al gas di fluire su di esso, contribuendo a ottenere una crescita epitassiale uniforme.
Piedistallo a forma di disco (piedistallo verticale)
I supporti a forma di disco sono adatti per i sistemi di epitassia in fase vapore verticale, in cui il substrato viene posizionato verticalmente. Questa configurazione contribuisce a ridurre l'area di contatto tra il substrato e il supporto, diminuendo così la dispersione di calore e la potenziale contaminazione.
Suscettore orizzontale
I supporti orizzontali sono meno comuni nell'epitassia in fase vapore, ma possono essere utilizzati in alcuni sistemi di crescita specifici per consentire la crescita epitassiale in direzione orizzontale.
Suscettore monolitico di reazione epitassiale
Il supporto monolitico per reazione epitassiale è progettato per un singolo substrato, il che consente un controllo della temperatura più preciso e un migliore isolamento termico, risultando ideale per la crescita di strati epitassiali di alta qualità.
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Data di pubblicazione: 30 luglio 2024



