Μέρος Halfmoon με επικάλυψη SiC από γραφίτη για επιταξιακό φούρνο καρβιδίου του πυριτίου

Μέρος Halfmoon με επίστρωση SiC από γραφίτηείναι ένα βασικό συστατικό που χρησιμοποιείται στις διαδικασίες κατασκευής ημιαγωγών, ειδικά για επιταξιακό εξοπλισμό SiC. Χρησιμοποιούμε την κατοχυρωμένη με δίπλωμα ευρεσιτεχνίας τεχνολογία μας για να κατασκευάσουμε το ημιφεγγαρένιο εξάρτημα με εξαιρετικά υψηλή καθαρότητα, καλή ομοιομορφία επίστρωσης και εξαιρετική διάρκεια ζωής, καθώς και υψηλές χημικές ιδιότητες αντοχής και θερμικής σταθερότητας.

Βασικό υλικό: γραφίτης υψηλής καθαρότητας
Απαιτήσεις καθαρότητας:περιεκτικότητα σε άνθρακα ≥99,99%, περιεκτικότητα σε τέφρα ≤5ppm, για να διασφαλιστεί ότι δεν θα καθιζάνουν ακαθαρσίες που θα μολύνουν το επιταξιακό στρώμα σε υψηλές θερμοκρασίες.
Πλεονεκτήματα απόδοσης:
Υψηλή θερμική αγωγιμότητα:Η θερμική αγωγιμότητα σε θερμοκρασία δωματίου φτάνει τα 150W/(m・K), η οποία είναι κοντά στο επίπεδο του χαλκού και μπορεί να μεταφέρει γρήγορα θερμότητα.
Χαμηλός συντελεστής διαστολής:5×10^-6/℃ (25-1000℃), που ταιριάζει με το υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου (4,2×10^-6/℃), μειώνοντας τη ρηγμάτωση της επικάλυψης που προκαλείται από θερμική καταπόνηση.
Ακρίβεια επεξεργασίας:Μέσω κατεργασίας CNC επιτυγχάνεται ανοχή διαστάσεων ±0,05 mm για να εξασφαλιστεί η στεγανοποίηση του θαλάμου.

Διαφοροποιημένες εφαρμογές του CVD SiC και του CVD TaC

Επιθεώρηση ποιότητας

Πάχος επίστρωσης: μετρητής πάχους λέιζερ (ακρίβεια ±1um) ή ανάλυση διατομής SEM.
Αντοχή συγκόλλησης: δοκιμή γρατσουνιάς (κρίσιμο φορτίο > 50N) ή υπερηχητική δοκιμή (ταχύτητα ήχου > 5000m/s).
Αντοχή στη διάβρωση: ρυθμός απώλειας μάζας (<0,1 mg/cm²・h) δοκιμασμένος σε ατμόσφαιρα HCl (5 vol%, 1600℃).