Supporto per wafer di grafite PECVD

Breve descrizione:

Progettato per precisione e prestazioni, il supporto per wafer in grafite di VET Energy è il materiale ideale per l'utilizzo nei processi avanzati di lavorazione dei wafer, dove un'elevata stabilità termica e prestazioni costanti sono fondamentali. Che si tratti di wafer di semiconduttori o di altri substrati delicati, questo supporto in grafite di alta qualità migliorerà l'affidabilità del processo e la qualità del prodotto, diventando un componente indispensabile per la produzione moderna.

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Dettagli del prodotto

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Il supporto per wafer in grafite per il processo PECVD di VET Energy è un componente essenziale progettato per il processo PECVD (deposizione chimica in fase vapore assistita da plasma). Questo prodotto è realizzato in grafite ad alta purezza e densità, con eccellente resistenza alle alte temperature, alla corrosione, stabilità dimensionale e altre caratteristiche, e fornisce una piattaforma di supporto stabile per il processo PECVD, garantendo uniformità e planarità della deposizione del film.

Il design del supporto per wafer in grafite di VET Energy non solo supporta efficacemente il wafer, ma garantisce anche stabilità termica nell'ambiente ad alta temperatura e alta pressione del processo PECVD, assicurando così la stabilità dell'intero processo.

Il supporto per wafer di grafite del processo PECVD di VET Energy presenta le seguenti caratteristiche:

▪Elevata purezza:Contenuto di impurità estremamente basso, per evitare la contaminazione della pellicola e garantirne la qualità.

▪Alta densità:Elevata densità, elevata resistenza meccanica, in grado di resistere ad ambienti PECVD ad alta temperatura e alta pressione.

▪Buona stabilità dimensionale:piccole variazioni dimensionali ad alta temperatura per garantire la stabilità del processo.

▪Eccellente conduttività termica:trasferire efficacemente il calore per prevenire il surriscaldamento del wafer.

▪Elevata resistenza alla corrosione:In grado di resistere all'erosione causata da vari gas corrosivi e dal plasma.

▪Servizio personalizzato:È possibile personalizzare i tavoli di supporto in grafite di diverse dimensioni e forme in base alle esigenze del cliente.

Materiale in grafite di SGL:

Parametro tipico: R6510
Indice	Standard di prova	Valore	Unità
Dimensione media dei grani	ISO 13320	10	μm
densità apparente	DIN IEC 60413/204	1,83	g/cm³
Porosità aperta	DIN 66133	10	%
Pori di medie dimensioni	DIN 66133	1.8	μm
Permeabilità	DIN 51935	0,06	cm²/s
Durezza Rockwell HR5/100	DIN IEC60413/303	90	HR
resistività elettrica specifica	DIN IEC 60413/402	13	μΩm
Forza flessionale	DIN IEC 60413/501	60	MPa
resistenza alla compressione	DIN 51910	130	MPa
modulo di Young	DIN 51915	11,5×10³	MPa
Dilatazione termica (20-200℃)	DIN 51909	4,2 x 10^-6	K^-1
Conduttività termica (20℃)	DIN 51908	105	Wm^-1K^-1

È specificamente progettato per la produzione di celle solari ad alta efficienza, supportando la lavorazione di wafer di grandi dimensioni G12. Il design ottimizzato del supporto aumenta significativamente la produttività, consentendo rese più elevate e costi di produzione inferiori.

Articolo	Tipo	Porta wafer numerico
Barca in gres porcellanato PEVCD - Serie 156	156-13 barca di grefite	144
	156-19 barca in grephite	216
	156-21 barca in grephite	240
	Barca in grafite 156-23	308
Barca in gres porcellanato PEVCD - Serie 125	125-15 barca in grephite	196
	125-19 barca in grephite	252
	Barca in grafite 125-21	280