CVD-belegg fokusring

Kort beskrivelse:

CVD-beleggsfokusringen for plasmaetsing er utviklet for å optimalisere plasmafordeling og forbedre etsningsuniformiteten i avanserte etsesystemer. Med et robust Si- eller SiC-substrat kombinert med CVD SiC-belegg med høy renhet, gir den overlegen plasmamotstand, ultralav partikkelgenerering og forlenget levetid. Denne fokusringen er mye brukt i ICP- og CCP-plasmaetsingsprosesser, og minimerer effektivt kanteffekter, stabiliserer ionenes oppførsel og beskytter kammerkomponenter mot erosjon og forurensning. Det er et viktig forbruksmateriale for å oppnå høyt utbytte og prosesskonsistens i avansert halvlederproduksjon.


Produktdetaljer

Produktetiketter

CVD-beleggets fokusring for plasmaetsing er en kritisk forbrukskomponent som brukes i avanserte halvlederetsingssystemer. Dette produktet er konstruert med en komposittstruktur av substrat + CVD-belegg, og er designet for å optimalisere plasmafordeling, forbedre etsningsjevnheten og forlenge kammerkomponentenes levetid.

Hos Vet Energy utnytter vi dyp ekspertise innen kjemisk dampavsetningsteknologi (CVD) og avanserte keramiske materialer for å levere fokusringer som oppfyller de strenge kravene til moderne halvledernoder, inkludert FinFET og 3D NAND-prosesser.

Fokusringens rolle i plasmaetsing

I plasmaetsningssystemer (som ICP- og CCP-reaktorer) er fokusringen plassert rundt waferkanten og spiller en viktig rolle i prosessstabilitet og utbytte.

1. Kontroll av plasmauniformitet

Fokusringen fungerer som en elektrisk og fysisk grense som bidrar til å regulere plasmatetthetsfordelingen over waferoverflaten.

Viktige fordeler:

● Forbedret etsehastighetens ensartethet
● Redusert variasjon fra sentrum til kant
● Forbedret prosessrepeterbarhet

2. Kanteffektkompensasjon

Uten fokusring kan plasmakappeforvrengning ved waferkanten føre til ujevn etsning.

Fokusringen fungerer effektivt som en «virtuell waferforlengelse», som minimerer kantrelaterte avvik som:

● Overetsing på waferkantene
● Avvik fra kritisk dimensjon (CD)
● Profilforvrengning

3. Ionebane og energikontroll

Ved å påvirke det lokale elektriske feltet, bidrar fokusringen til å stabilisere ionenes innfallsvinkler og energifordeling, noe som er avgjørende for:

● Etsing med høyt sideforhold (HAR)
● Anisotropisk profilkontroll
● Redusert sideveggskade

4. Kammerbeskyttelse og forurensningsreduksjon

Som en offerkomponent absorberer fokusringen direkte plasmaeksponering og avsetningsbiprodukter.

Resulterende fordeler:

● Redusert erosjon av kammerveggen
● Lavere partikkelforurensning
● Utvidede vedlikeholdssykluser (PM-intervaller)


  • Tidligere:
  • Neste:

  • WhatsApp online chat!