anello di messa a fuoco con rivestimento CVD

Breve descrizione:

L'anello di focalizzazione con rivestimento CVD per incisione al plasma è progettato per ottimizzare la distribuzione del plasma e migliorare l'uniformità dell'incisione nei sistemi di incisione avanzati. Caratterizzato da un robusto substrato in Si o SiC combinato con un rivestimento in SiC CVD ad alta purezza, offre una resistenza al plasma superiore, una generazione di particelle estremamente bassa e una maggiore durata. Ampiamente utilizzato nei processi di incisione al plasma ICP e CCP, questo anello di focalizzazione minimizza efficacemente gli effetti di bordo, stabilizza il comportamento degli ioni e protegge i componenti della camera da erosione e contaminazione. È un materiale di consumo essenziale per ottenere un'elevata resa e uniformità di processo nella produzione avanzata di semiconduttori.

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L'anello di focalizzazione con rivestimento CVD per incisione al plasma è un componente di consumo fondamentale utilizzato nei sistemi avanzati di incisione dei semiconduttori. Progettato con una struttura composita di substrato e rivestimento CVD, questo prodotto è studiato per ottimizzare la distribuzione del plasma, migliorare l'uniformità dell'incisione e prolungare la durata dei componenti della camera.

Noi di Vet Energy sfruttiamo la nostra profonda esperienza nella tecnologia di deposizione chimica da fase vapore (CVD) e nei materiali ceramici avanzati per realizzare anelli di focalizzazione che soddisfano i rigorosi requisiti dei moderni nodi di semiconduttori, inclusi i processi FinFET e 3D NAND.

Ruolo dell'anello di focalizzazione nell'incisione al plasma

Nei sistemi di incisione al plasma (come i reattori ICP e CCP), l'anello di focalizzazione è posizionato attorno al bordo del wafer e svolge un ruolo fondamentale nella stabilità del processo e nelle prestazioni di resa.

1. Controllo dell'uniformità del plasma

L'anello di focalizzazione funge da confine elettrico e fisico che contribuisce a regolare la distribuzione della densità del plasma sulla superficie del wafer.

Principali vantaggi:

● Migliore uniformità della velocità di incisione
● Riduzione della variazione dal centro al bordo
● Migliore ripetibilità del processo

2. Compensazione dell'effetto bordo

In assenza di un anello di focalizzazione, la distorsione della guaina di plasma sul bordo del wafer può portare a un'incisione non uniforme.

L'anello di messa a fuoco funziona efficacemente come un'“estensione virtuale del wafer”, riducendo al minimo le anomalie legate ai bordi, quali:

● Sovraincisione ai bordi del wafer
● Deviazione della dimensione critica (CD)
● Distorsione del profilo

3. Controllo della traiettoria e dell'energia degli ioni

Influenzando il campo elettrico locale, l'anello di focalizzazione contribuisce a stabilizzare gli angoli di incidenza degli ioni e la distribuzione dell'energia, aspetto cruciale per:

● Incisione ad alto rapporto d'aspetto (HAR)
● Controllo del profilo anisotropico
● Riduzione dei danni alle pareti laterali