Anillo de enfoque con recubrimiento CVD

Breve descripción:

El anillo de enfoque con recubrimiento CVD para grabado por plasma está diseñado para optimizar la distribución del plasma y mejorar la uniformidad del grabado en sistemas avanzados. Con un sustrato robusto de Si o SiC combinado con un recubrimiento CVD de SiC de alta pureza, ofrece una resistencia superior al plasma, una generación de partículas ultrabaja y una vida útil prolongada. Ampliamente utilizado en procesos de grabado por plasma ICP y CCP, este anillo de enfoque minimiza eficazmente los efectos de borde, estabiliza el comportamiento de los iones y protege los componentes de la cámara contra la erosión y la contaminación. Es un consumible esencial para lograr un alto rendimiento y consistencia en el proceso de fabricación de semiconductores avanzados.


Detalles del producto

Etiquetas de producto

El anillo de enfoque con recubrimiento CVD para grabado por plasma es un componente consumible fundamental en sistemas avanzados de grabado de semiconductores. Diseñado con una estructura compuesta de sustrato y recubrimiento CVD, este producto optimiza la distribución del plasma, mejora la uniformidad del grabado y prolonga la vida útil de los componentes de la cámara.

En Vet Energy, aprovechamos nuestra amplia experiencia en tecnología de deposición química de vapor (CVD) y materiales cerámicos avanzados para ofrecer anillos de enfoque que cumplen con los estrictos requisitos de los nodos de semiconductores modernos, incluidos los procesos FinFET y 3D NAND.

Función del anillo de enfoque en el grabado por plasma

En los sistemas de grabado por plasma (como los reactores ICP y CCP), el anillo de enfoque se sitúa alrededor del borde de la oblea y desempeña un papel vital en la estabilidad del proceso y el rendimiento.

1. Control de uniformidad del plasma

El anillo de enfoque actúa como un límite eléctrico y físico que ayuda a regular la distribución de la densidad del plasma en toda la superficie de la oblea.

Beneficios clave:

● Mayor uniformidad en la velocidad de grabado
● Variación reducida del centro al borde
● Repetibilidad mejorada del proceso

2. Compensación del efecto de borde

Sin un anillo de enfoque, la distorsión de la vaina de plasma en el borde de la oblea puede provocar un grabado no uniforme.

El anillo de enfoque funciona eficazmente como una “extensión virtual de la oblea”, minimizando anomalías relacionadas con los bordes, tales como:

● Sobregrabado en los bordes de la oblea
● Desviación de la dimensión crítica (CD)
● Distorsión del perfil

3. Trayectoria de los iones y control de la energía

Al influir en el campo eléctrico local, el anillo de enfoque ayuda a estabilizar los ángulos de incidencia de los iones y la distribución de energía, lo cual es crucial para:

● Grabado de alta relación de aspecto (HAR)
● Control de perfil anisotrópico
● Reducción de los daños en el flanco

4. Protección de la cámara y reducción de la contaminación

Como componente de sacrificio, el anillo de enfoque absorbe la exposición directa al plasma y los subproductos de la deposición.

Ventajas resultantes:

● Reducción de la erosión de las paredes de la cámara
● Menor contaminación por partículas
● Ciclos de mantenimiento prolongados (intervalos de mantenimiento preventivo)


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