Tubu di prucessu di diffusione SiC in carburo di siliciu

Tubu di prucessu di diffusione SiC in carburo di siliciu

Tubi di Fornu di Diffusione di Carburu di Siliciusò cumpunenti chjave utilizati in i semiconduttori, u trattamentu termicu à alta temperatura è i prucessi di preparazione di i materiali. Sò principalmente utilizati cum'è supportu è camera di reazione per i forni di diffusione o i forni di ossidazione, eseguendu prucessi cum'è a reazione atmosferica, l'ossidazione, a diffusione è a ricottura in ambienti à alta temperatura è assai corrosivi.
VET Energy hè specializata in a cuncepzione è a fabricazione di tubi di carburo di siliciu (SiC) per applicazioni di semiconduttori à alta temperatura è corrosivi. Cù impianti di pruduzzione avanzati è tecnulugie CVD è di sinterizazione pruprietarie, furnimu tubi chì presentanu una eccellente stabilità termica, resistenza à l'ossidazione è una longa durata di serviziu.

Vantaghji di i tubi SiC di VET Energy:

Ultra-Alta Purezza:Produttu cù un prucessu di sinterizazione speciale, l'impurità metalliche dannose (cum'è Na, K, Fe è Al) sò ridutte à u livellu ppb.
Degassamentu estremamente bassu:In ambienti à alta temperatura è à altu vuotu, a degassificazione hè assai più bassa chè quella di u quarzu, impediscendu efficacemente a contaminazione di a camera di prucessu, assicurendu a qualità intrinseca di i film sottili depositati o di a crescita di cristalli, è migliurendu significativamente u rendimentu di u produttu (in particulare criticu per l'epitassia di SiC, a crescita di GaN è a pruduzzione di siliciu monocristallinu di alta gamma).
Stabilità à alta temperatura:E temperature di funziunamentu à longu andà chì superanu i 1600 °C (ben sopra u puntu di rammollimentu di u quarzu, circa 1200 °C) sò pussibuli, è e temperature à cortu andà ponu suppurtà temperature ancu più alte (cum'è 1800 °C), rispundendu à i requisiti di temperatura ultra-altissima di i semiconduttori di terza generazione è di i prucessi di crescita di cristalli.
Resistenza à a corrosione chimica:Altamente resistente à i gasi altamente corrosivi cum'è HCl, Cl₂ è HF, è ancu à u siliciu fusu è à u vapore metallicu, mantenendu l'integrità strutturale è a finitura superficiale in atmosfere cumplesse cum'è CVD, diffusione, ossidazione è incisione, cù una durata di vita chì supera di gran lunga quella di i tubi di fornu à quarzu.
Eccellente conducibilità termica:A so cunduttività termica hè decine di volte più grande di quella di u quarzu, ciò chì permette una distribuzione di a temperatura di u fornu più rapida è più uniforme è migliora l'uniformità è a ripetibilità di u prucessu. Questu hè particularmente criticu per a trasfurmazione di grandi superfici è multi-wafer (per esempiu, forni di diffusione fotovoltaica è reattori MOCVD).
Stabilità dimensionale:U so coefficientu di dilatazione termica estremamente bassu assicura chì u tubu di u fornu mantene una geometria assai stabile ancu quandu hè sottumessu à fluttuazioni di temperatura ripetute è drastiche, impediscendu a rottura di a tenuta o a cuncentrazione di stress causata da l'espansione è a cuntrazione termica.
Durabilità:A so alta durezza è resistenza dà à u tubu di u fornu eccellenti proprietà meccaniche, rendendulu resistente à a deformazione è à i danni.

Applicazione tipica:

Fabbricazione di semiconduttori:Crescita epitassiale SiC/GaN (MOCVD, HTCVD), epitaxia à basa di siliciu, diffusione/ossidazione/ricottura à alta temperatura (RTP) è LPCVD.

Industria fotovoltaica:Diffusione à alta temperatura (diffusione di fosforu/boru) è ricottura di cellule solari in siliciu cristallinu.