Siliciumcarbid SiC diffusionsprocesrør

Siliciumcarbid SiC diffusionsprocesrør

Siliciumcarbid diffusionsovnsrører nøglekomponenter, der anvendes i halvleder-, højtemperaturvarmebehandlings- og materialeforberedelsesprocesser. De anvendes primært som støtte- og reaktionskammer til diffusionsovne eller oxidationsovne, hvor de udfører processer som atmosfærisk reaktion, oxidation, diffusion og udglødning i højtemperatur- og stærkt korrosive miljøer.
VET Energy specialiserer sig i design og fremstilling af siliciumcarbid (SiC) rør til højtemperatur- og korrosive halvlederapplikationer. Med avancerede produktionsfaciliteter og proprietære CVD- og sintringsteknologier leverer vi rør, der har fremragende termisk stabilitet, oxidationsbestandighed og lang levetid.

Fordele ved VET Energys SiC-rør:

Ultrahøj renhed:Fremstillet ved hjælp af en særlig sintringsproces reduceres skadelige metalurenheder (såsom Na, K, Fe og Al) til ppb-niveauet.
Ekstremt lav afgasning:Under miljøer med høj temperatur og højt vakuum er udgasningen langt lavere end for kvarts, hvilket effektivt forhindrer kontaminering af proceskammeret, sikrer den iboende kvalitet af aflejrede tyndfilm eller krystalvækst og forbedrer produktudbyttet betydeligt (især kritisk for SiC-epitaksi, GaN-vækst og avanceret produktion af enkeltkrystalsilicium).
Stabilitet ved høje temperaturer:Langvarige driftstemperaturer på over 1600 °C (et godt stykke over blødgøringspunktet for kvarts, ca. 1200 °C) er mulige, og kortvarige temperaturer kan modstå endnu højere temperaturer (såsom 1800 °C) og opfylder dermed de ultrahøje temperaturkrav, der stilles til tredjegenerations halvledere og krystalvækstprocesser.
Kemisk korrosionsbestandighed:Meget modstandsdygtig over for stærkt korrosive gasser såsom HCl, Cl₂ og HF, samt smeltet silicium og metaldamp, og opretholder strukturel integritet og overfladefinish i komplekse atmosfærer såsom CVD, diffusion, oxidation og ætsning, med en levetid, der langt overstiger kvartsovnsrør.
Fremragende varmeledningsevne:Dens varmeledningsevne er dusinvis gange større end kvarts, hvilket muliggør en hurtigere og mere ensartet ovntemperaturfordeling og forbedrer processens ensartethed og repeterbarhed. Dette er især kritisk til storskalabehandling af flere wafers (f.eks. fotovoltaiske diffusionsovne og MOCVD-reaktorer).
Dimensionsstabilitet:Dens ekstremt lave termiske udvidelseskoefficient sikrer, at ovnrøret opretholder en meget stabil geometri, selv når det udsættes for gentagne og drastiske temperaturudsving, hvilket forhindrer tætningsfejl eller spændingskoncentration forårsaget af termisk udvidelse og sammentrækning.
Holdbarhed:Dens høje hårdhed og styrke giver ovnrøret fremragende mekaniske egenskaber, hvilket gør det modstandsdygtigt over for deformation og beskadigelse.

Typisk anvendelse:

Halvlederproduktion:SiC/GaN epitaksial vækst (MOCVD, HTCVD), siliciumbaseret epitaksi, højtemperaturdiffusion/oxidation/glødning (RTP) og LPCVD.

Fotovoltaisk industri:Højtemperaturdiffusion (fosfor/bor-diffusion) og udglødning af krystallinske siliciumsolceller.