Silisyum Karbür SiC Difüzyon Prosesi Tüpü

Silisyum Karbür SiC Difüzyon Prosesi Tüpü

Silisyum Karbür Difüzyon Fırın TüpleriYarı iletken, yüksek sıcaklıkta ısıl işlem ve malzeme hazırlama süreçlerinde kullanılan temel bileşenlerdir. Başlıca kullanım alanları, yüksek sıcaklıkta ve yüksek derecede aşındırıcı ortamlarda atmosferik reaksiyon, oksidasyon, difüzyon ve tavlama gibi işlemleri gerçekleştiren difüzyon fırınları veya oksidasyon fırınları için destek ve reaksiyon odasıdır.
VET Energy, yüksek sıcaklık ve aşındırıcı yarı iletken uygulamaları için silisyum karbür (SiC) tüplerin tasarımı ve üretiminde uzmanlaşmıştır. Gelişmiş üretim tesisleri ve tescilli CVD ve sinterleme teknolojileriyle, mükemmel termal kararlılık, oksidasyon direnci ve uzun hizmet ömrüne sahip tüpler sunuyoruz.

VET Energy'nin SiC tüplerinin avantajları:

Ultra Yüksek Saflık:Özel bir sinterleme işlemi kullanılarak üretilen bu üründe, zararlı metal safsızlıkları (Na, K, Fe ve Al gibi) ppb seviyesine kadar azaltılmıştır.
Son derece düşük gaz salınımı:Yüksek sıcaklık ve yüksek vakum ortamlarında, gaz çıkışı kuvarsa göre çok daha düşüktür; bu da işlem odasının kirlenmesini etkili bir şekilde önler, biriktirilen ince filmlerin veya kristal büyümesinin içsel kalitesini sağlar ve ürün verimini önemli ölçüde artırır (özellikle SiC epitaksi, GaN büyümesi ve yüksek kaliteli tek kristal silikon üretimi için kritik öneme sahiptir).
Yüksek Sıcaklık Kararlılığı:1600°C'nin üzerinde (kuvarsın yumuşama noktasının, yaklaşık 1200°C'nin oldukça üzerinde) uzun süreli çalışma sıcaklıkları mümkündür ve kısa süreli sıcaklıklar daha da yüksek sıcaklıklara (örneğin 1800°C) dayanabilir; bu da üçüncü nesil yarı iletkenlerin ve kristal büyüme süreçlerinin ultra yüksek sıcaklık gereksinimlerini karşılar.
Kimyasal Korozyona Dayanıklılık:HCl, Cl₂ ve HF gibi son derece aşındırıcı gazlara, ayrıca erimiş silikon ve metal buharına karşı yüksek direnç gösterir; CVD, difüzyon, oksidasyon ve aşındırma gibi karmaşık ortamlarda yapısal bütünlüğünü ve yüzey kalitesini korur ve kullanım ömrü kuvars fırın tüplerininkinden çok daha uzundur.
Mükemmel Isı İletkenliği:Isı iletkenliği kuvarsınkinden onlarca kat daha yüksek olduğundan, fırın sıcaklığının daha hızlı ve daha homojen bir şekilde dağılmasını sağlar ve işlem homojenliğini ve tekrarlanabilirliğini artırır. Bu, özellikle geniş alanlı, çoklu wafer işleme (örneğin, fotovoltaik difüzyon fırınları ve MOCVD reaktörleri) için kritik öneme sahiptir.
Boyutsal Kararlılık:Son derece düşük termal genleşme katsayısı, fırın tüpünün tekrarlanan ve şiddetli sıcaklık değişimlerine maruz kaldığında bile son derece kararlı bir geometriyi korumasını sağlayarak, termal genleşme ve büzülmeden kaynaklanan sızdırmazlık arızasını veya gerilim yoğunlaşmasını önler.
Dayanıklılık:Yüksek sertliği ve mukavemeti, fırın tüpüne mükemmel mekanik özellikler kazandırarak deformasyona ve hasara karşı dirençli hale getirir.

Tipik Uygulama:

Yarı İletken Üretimi:SiC/GaN epitaksiyel büyüme (MOCVD, HTCVD), silikon bazlı epitaksi, yüksek sıcaklıkta difüzyon/oksidasyon/tavlama (RTP) ve LPCVD.

Fotovoltaik Endüstrisi:Kristal silikon güneş pillerinin yüksek sıcaklıkta difüzyonu (fosfor/bor difüzyonu) ve tavlanması.