Piikarbidi-SiC-diffuusioprosessiputki

Piikarbidi-SiC-diffuusioprosessiputki

Piikarbididiffuusiouunin putketovat keskeisiä komponentteja puolijohde-, korkean lämpötilan lämpökäsittely- ja materiaalien valmistusprosesseissa. Niitä käytetään pääasiassa diffuusio- tai hapetusuunien tuki- ja reaktiokammioina, ja ne suorittavat prosesseja, kuten ilmakehän reaktion, hapetuksen, diffuusion ja hehkuttamisen korkean lämpötilan ja erittäin syövyttävissä ympäristöissä.
VET Energy on erikoistunut piikarbidiputkien (SiC) suunnitteluun ja valmistukseen korkean lämpötilan ja korroosiota aiheuttaviin puolijohdesovelluksiin. Edistyksellisten tuotantolaitosten ja patentoitujen CVD- ja sintraustekniikoiden avulla toimitamme putkia, joilla on erinomainen lämmönkestävyys, hapettumisenkestävyys ja pitkä käyttöikä.

VET Energyn piikarbidiputkien edut:

Erittäin korkea puhtaus:Erityisellä sintrausprosessilla valmistettuna haitalliset metalliepäpuhtaudet (kuten Na, K, Fe ja Al) vähennetään ppb-tasolle.
Erittäin alhainen kaasunmuodostus:Korkeissa lämpötiloissa ja korkeassa tyhjiössä kaasunmuodostus on huomattavasti vähäisempää kuin kvartsilla, mikä estää tehokkaasti prosessikammion kontaminaation, varmistaa kerrostettujen ohutkalvojen tai kiteiden kasvun luonnollisen laadun ja parantaa merkittävästi tuotteen saantoa (erityisen tärkeää piikarbidin epitaksian, GaN-kasvun ja huippuluokan yksikiteisen piin tuotannon kannalta).
Korkean lämpötilan stabiilius:Pitkäaikaiset käyttölämpötilat, jotka ylittävät 1600 °C:n (selvästi kvartsin pehmenemispisteen, noin 1200 °C:n, yläpuolella), ovat mahdollisia, ja lyhytaikaiset lämpötilat kestävät jopa korkeampia lämpötiloja (kuten 1800 °C), mikä täyttää kolmannen sukupolven puolijohteiden ja kiteenkasvatusprosessien erittäin korkeat lämpötilavaatimukset.
Kemiallinen korroosionkestävyys:Kestää erittäin hyvin syövyttäviä kaasuja, kuten HCl:a, Cl₂:a ja HF:ää, sekä sulaa piitä ja metallihöyryä. Säilyttää rakenteellisen eheyden ja pinnanlaadun monimutkaisissa ympäristöissä, kuten CVD-, diffuusio-, hapettumis- ja etsausolosuhteissa. Niiden käyttöikä ylittää huomattavasti kvartsiuuniputkien käyttöiän.
Erinomainen lämmönjohtavuus:Sen lämmönjohtavuus on kymmeniä kertoja suurempi kuin kvartsilla, mikä mahdollistaa nopeamman ja tasaisemman uunin lämpötilan jakautumisen ja parantaa prosessin tasaisuutta ja toistettavuutta. Tämä on erityisen tärkeää laaja-alaisessa, usean kiekon käsittelyssä (esim. aurinkosähködiffuusiouunit ja MOCVD-reaktorit).
Mittapysyvyys:Sen erittäin alhainen lämpölaajenemiskerroin varmistaa, että uunin putki säilyttää erittäin vakaan geometrian myös toistuvissa ja rajuissa lämpötilanvaihteluissa, estäen tiivisteiden pettämisen tai lämpölaajenemisen ja supistumisen aiheuttaman jännityksen keskittymisen.
Kestävyys:Sen korkea kovuus ja lujuus antavat uuniputkelle erinomaiset mekaaniset ominaisuudet, mikä tekee siitä kestävän muodonmuutoksia ja vaurioita vastaan.

Tyypillinen sovellus:

Puolijohteiden valmistus:SiC/GaN-epitaksiaalinen kasvatus (MOCVD, HTCCVD), piipohjainen epitaksi, korkean lämpötilan diffuusio/hapetus/hehkutus (RTP) ja LPCVD.

Aurinkosähköteollisuus:Kiteisten piiaurinkokennojen korkean lämpötilan diffuusio (fosfori/booridiffuusio) ja hehkutus.