탄화규소(SiC) 확산 공정 튜브

탄화규소(SiC) 확산 공정 튜브

탄화규소 확산로 튜브반도체, 고온 열처리 및 재료 준비 공정에 사용되는 핵심 구성 요소입니다. 주로 확산로 또는 산화로의 지지대 및 반응 챔버로 사용되며, 고온의 부식성 환경에서 대기 반응, 산화, 확산 및 어닐링과 같은 공정을 수행합니다.
VET Energy는 고온 및 부식성 반도체 응용 분야에 사용되는 탄화규소(SiC) 튜브의 설계 및 제조를 전문으로 합니다. 첨단 생산 설비와 독자적인 CVD 및 소결 기술을 통해 탁월한 열 안정성, 산화 저항성 및 긴 수명을 자랑하는 튜브를 제공합니다.

VET Energy의 SiC 튜브의 장점:

초고순도:특수 소결 공정을 사용하여 생산되었으며, 유해한 금속 불순물(Na, K, Fe, Al 등)은 ppb 수준으로 감소되었습니다.
극히 낮은 가스 방출량:고온·고진공 환경에서 가스 방출량은 석영보다 훨씬 적어 공정 챔버 오염을 효과적으로 방지하고 증착된 박막 또는 결정 성장의 고유 품질을 보장하며 제품 수율을 크게 향상시킵니다(특히 SiC 에피택시, GaN 성장 및 고급 단결정 실리콘 생산에 중요).
고온 안정성:1600°C를 초과하는 장기 작동 온도(석영의 연화점인 약 1200°C를 훨씬 상회)가 가능하며, 단기적으로는 1800°C와 같은 훨씬 더 높은 온도도 견딜 수 있어 3세대 반도체 및 결정 성장 공정의 초고온 요구 사항을 충족합니다.
화학적 부식 저항성:염산(HCl), 염소(Cl₂), 불산(HF)과 같은 부식성이 강한 가스는 물론 용융 실리콘 및 금속 증기에 대한 내성이 매우 뛰어나며, CVD, 확산, 산화 및 에칭과 같은 복잡한 환경에서도 구조적 무결성과 표면 마감을 유지하고, 수명이 석영로 튜브보다 훨씬 깁니다.
뛰어난 열전도율:이 소재의 열전도율은 석영보다 수십 배 높아 더욱 빠르고 균일한 용광로 온도 분포를 가능하게 하고 공정 균일성과 반복성을 향상시킵니다. 이는 특히 대면적 다중 웨이퍼 공정(예: 태양광 확산로 및 MOCVD 반응기)에 매우 중요합니다.
치수 안정성:극히 낮은 열팽창 계수 덕분에 용광로 튜브는 반복적이고 급격한 온도 변화에 노출되더라도 매우 안정적인 형상을 유지하며, 열팽창 및 수축으로 인한 밀봉 불량이나 응력 집중을 방지합니다.
내구성:높은 경도와 강도 덕분에 용광로 튜브는 뛰어난 기계적 특성을 지니며, 변형 및 손상에 강합니다.

일반적인 적용 사례:

반도체 제조:SiC/GaN 에피택셜 성장(MOCVD, HTCVD), 실리콘 기반 에피택시, 고온 확산/산화/어닐링(RTP) 및 LPCVD.

태양광 산업:결정질 실리콘 태양전지의 고온 확산(인/붕소 확산) 및 어닐링.