Кремний карбиды SiC диффузия процессы трубкасы

Кремний карбиды SiC диффузия процессы трубкасы

Кремний карбиды диффузия миче торбаларыярымүткәргечләрдә, югары температуралы җылылык эшкәртүдә һәм материал әзерләү процессларында кулланыла торган төп компонентлар. Алар, нигездә, диффузия мичләре яки оксидлашу мичләре өчен терәк һәм реакция камерасы буларак кулланыла, югары температуралы, югары коррозияле мохиттә атмосфера реакциясе, оксидлашу, диффузия һәм җылыту кебек процессларны башкара.
VET Energy югары температуралы һәм коррозияле ярымүткәргеч кушымталар өчен кремний карбиды (SiC) торбаларын эшләү һәм җитештерүгә махсуслаша. Алдынгы җитештерү корылмалары һәм патентланган CVD һәм синтезлау технологияләре белән без бик яхшы термик тотрыклылыкка, оксидлашуга чыдамлыкка һәм озак хезмәт итү вакытына ия торбалар тәкъдим итәбез.

VET Energy компаниясенең SiC лампаларының өстенлекләре:

Бик югары сафлык:Махсус блендерлау процессы ярдәмендә җитештерелгәндә, зарарлы металл катнашмалары (мәсәлән, Na, K, Fe һәм Al) ppb дәрәҗәсенә кадәр кими.
Бик аз газ чыгару:Югары температуралы, югары вакуумлы мохиттә газ чыгару кварцка караганда күпкә түбәнрәк, бу процесс камерасының пычрануын нәтиҗәле рәвештә булдырмый, утыртылган юка пленкаларның яки ​​кристалл үсешенең үзенчәлекле сыйфатын тәэмин итә һәм продукт чыгышын сизелерлек яхшырта (бигрәк тә SiC эпитакси, GaN үсеше һәм югары сыйфатлы монокристалл кремний җитештерү өчен мөһим).
Югары температура тотрыклылыгы:Озак вакытлы эш температурасы 1600°C тан артып китәргә мөмкин (кварцның йомшару ноктасыннан шактый югарырак, якынча 1200°C), ә кыска вакытлы температуралар тагын да югарырак температураларга (мәсәлән, 1800°C) түзә ала, өченче буын ярымүткәргечләрнең һәм кристалл үстерү процессларының ультра югары температура таләпләрен канәгатьләндерә.
Химик коррозиягә каршы торучанлык:HCl, Cl₂ һәм HF кебек югары коррозияле газларга, шулай ук ​​эрегән кремний һәм металл парларына югары чыдам, CVD, диффузия, оксидлашу һәм гравюра кебек катлаулы атмосфераларда структураның бөтенлеген һәм өслек бизәлешен саклый, кварц мич торбаларынкыннан күпкә озаграк хезмәт итә.
Бик яхшы җылылык үткәрүчәнлеге:Аның җылылык үткәрүчәнлеге кварцныкына караганда дистәләгән тапкыр югарырак, бу мич температурасын тизрәк һәм тигезрәк бүлүне тәэмин итә, процессның бердәмлеген һәм кабатланучанлыгын яхшырта. Бу, бигрәк тә, зур мәйданлы, күп пластиналы эшкәртү өчен бик мөһим (мәсәлән, фотоэлектрик диффузия мичләре һәм MOCVD реакторлары).
Үлчәм тотрыклылыгы:Аның бик түбән җылылык киңәю коэффициенты мич торбасының кат-кат һәм кискен температура тирбәнешләренә дучар булганда да югары дәрәҗәдә тотрыклы геометриясен саклап калуын тәэмин итә, җылылык киңәюе һәм кысылуы аркасында килеп чыккан тыгызлауның җимерелүен яки көчәнеш концентрациясен булдырмый.
Чыдамлык:Аның югары катылыгы һәм ныклыгы мич торбасына бик яхшы механик үзлекләр бирә, аны деформациягә һәм зыянга чыдам итә.

Гадәти куллану:

Ярымүткәргечләр җитештерү:SiC/GaN эпитаксиаль үсеше (MOCVD, HTCVD), кремний нигезендәге эпитаксия, югары температуралы диффузия/оксидлашу/яхлау (RTP) һәм LPCVD.

Фотоэлектрик сәнәгать:Кристалл кремний кояш элементларын югары температурада диффузияләү (фосфор/бор диффузиясе) һәм җылыту.