Silikon karbid SiC diffuziýa prosesi turbasy

Silikon karbid SiC diffuziýa prosesi turbasy

Kremniý karbidiniň diffuziýa peç turbalaryýarymgeçirijilerde, ýokary temperaturaly ýylylyk bilen işläp bejermekde we materiallary taýýarlamak proseslerinde ulanylýan esasy böleklerdir. Olar, esasan, diffuziýa peçleri ýa-da oksidlenme peçleri üçin goldaw we reaksiýa kamerasy hökmünde ulanylýar we ýokary temperaturaly, ýokary derejede korroziýa döredýän gurşawlarda atmosfera reaksiýasy, oksidlenme, diffuziýa we ýumşatma ýaly prosesleri ýerine ýetirýär.
“VET Energy” ýokary temperatura we poslama ýarymgeçiriji ulgamlary üçin kremniý karbidi (SiC) turbalarynyň dizaýnynda we önümçiliginde ýöriteleşýär. Ösen önümçilik desgalary we hususy CVD we sinterleme tehnologiýalary bilen biz ajaýyp termal durnuklylyk, oksidlenme garşylygy we uzak ömürli hyzmat ediş ukybyna eýe bolan turbalary hödürleýäris.

VET Energy-niň SiC turbalarynyň artykmaçlyklary:

Ultra-Ýokary Arassalyk:Ýörite sinterleme prosesi arkaly öndürilen zyýanly metal garyndylary (meselem, Na, K, Fe we Al) ppb derejesine çenli azaldylýar.
Gaz çykarylyşy örän pes:Ýokary temperaturaly, ýokary wakuumly gurşawlarda gaz çykaryş kwarsdan has pes bolýar, bu bolsa proses kamerasynyň hapalanmagynyň öňüni alýar, çökündileriň inçe plýonkalarynyň ýa-da kristallaryň ösüşiniň özboluşly hilini üpjün edýär we önümiň önümçiligini ep-esli ýokarlandyrýar (esasanam SiC epitaksiýasy, GaN ösüşi we ýokary derejeli monokristal kremniý önümçiligi üçin möhümdir).
Ýokary temperatura durnuklylygy:1600°C-den ýokary uzak möhletli iş temperaturasy (kwarsyň ýumşama nokadyndan has ýokary, takmynan 1200°C) mümkin we gysga möhletli temperaturalar hatda has ýokary temperaturalara (meselem, 1800°C) çydap, üçünji nesil ýarymgeçirijileriň we kristal ösüş prosesleriniň örän ýokary temperatura talaplaryny kanagatlandyryp bilýär.
Himiki korroziýa garşylygy:HCl, Cl₂ we HF ýaly ýokary derejede poslaýan gazlara, şeýle hem ereýän kremniý we metal buguna ýokary derejede çydamly, CVD, diffuziýa, oksidlenme we aşındyrma ýaly çylşyrymly atmosferalarda gurluş bitewüligini we ýüzleý örtügini saklaýar, ömrü kwars peç turbalaryndan has uzak.
Ajaýyp ýylylyk geçirijiligi:Onuň ýylylyk geçirijiligi kwarsyňkydan onlarça esse ýokarydyr, bu bolsa peçleriň temperaturasynyň has çalt we deň paýlanyşyny üpjün edýär we prosesiň deňligini we gaýtalanmagyny gowulandyrýar. Bu, esasanam, uly meýdanly, köp waferli gaýtadan işlemek üçin örän möhümdir (meselem, fotowoltaik diffuziýa peçleri we MOCVD reaktorlary).
Ölçegli Durnuklylyk:Onuň örän pes termal giňelme koeffisiýenti, temperatura üýtgemelerine we gaýta-gaýta sezewar bolanda-da, peç turbasynyň ýokary derejede durnukly geometriýasyny saklamagyny üpjün edýär, şeýlelik bilen termal giňelme we daralma sebäpli möhüriň bozulmagynyň ýa-da stres konsentrasiýasynyň öňüni alýar.
Çydamlylyk:Onuň ýokary gatylygy we berkligi peç turbasyna ajaýyp mehaniki häsiýetleri berýär, bu bolsa ony deformasiýa we zaýalanma garşy durnukly edýär.

Adaty ulanylyş:

Ýarymgeçirijileriň önümçiligi:SiC/GaN epitaksial ösüşi (MOCVD, HTCVD), kremniý esasly epitaksiýa, ýokary temperatura diffuziýa/oksidlenme/taýlandyrma (RTP) we LPCVD.

Fotowoltaik Senagaty:Kristal kremniýli gün batareýalarynyň ýokary temperatura diffuziýasy (fosfor/bor diffuziýasy) we ýumşadylmagy.