ທໍ່ຂະບວນການແຜ່ກະຈາຍ SiC Silicon Carbide

ທໍ່ຂະບວນການແຜ່ກະຈາຍ SiC Silicon Carbide

ທໍ່ເຕົາເຜົາແຜ່ກະຈາຍຊິລິກອນຄາໄບເປັນອົງປະກອບຫຼັກທີ່ໃຊ້ໃນຂະບວນການເຄິ່ງຕົວນຳ, ການປຸງແຕ່ງຄວາມຮ້ອນທີ່ອຸນຫະພູມສູງ, ແລະ ການກະກຽມວັດສະດຸ. ພວກມັນສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນໃຊ້ເປັນຫ້ອງຮອງຮັບ ແລະ ຫ້ອງປະຕິກິລິຍາສຳລັບເຕົາເຜົາແຜ່ກະຈາຍ ຫຼື ເຕົາເຜົາອົກຊີເດຊັນ, ປະຕິບັດຂະບວນການຕ່າງໆເຊັ່ນ: ປະຕິກິລິຍາບັນຍາກາດ, ການຜຸພັງ, ການແຜ່ກະຈາຍ, ແລະ ການອົບແຫ້ງໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ ແລະ ກັດກ່ອນສູງ.
ບໍລິສັດ VET Energy ຊ່ຽວຊານໃນການອອກແບບ ແລະ ຜະລິດທໍ່ຊິລິໂຄນຄາໄບ (SiC) ສຳລັບການນຳໃຊ້ເຄິ່ງຕົວນຳທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ ແລະ ການກັດກ່ອນ. ດ້ວຍສະຖານທີ່ຜະລິດທີ່ກ້າວໜ້າ ແລະ ເຕັກໂນໂລຊີ CVD ແລະ ການເຜົາທີ່ເປັນເຈົ້າຂອງ, ພວກເຮົາສະໜອງທໍ່ທີ່ມີຄວາມໝັ້ນຄົງທາງຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ, ທົນທານຕໍ່ການຜຸພັງ, ແລະ ອາຍຸການໃຊ້ງານທີ່ຍາວນານ.

ຂໍ້ດີຂອງທໍ່ SiC ຂອງ VET Energy:

ຄວາມບໍລິສຸດສູງສຸດ:ຜະລິດໂດຍໃຊ້ຂະບວນການເຜົາພິເສດ, ສິ່ງເຈືອປົນໂລຫະທີ່ເປັນອັນຕະລາຍ (ເຊັ່ນ Na, K, Fe, ແລະ Al) ຈະຖືກຫຼຸດລົງເຖິງລະດັບ ppb.
ການປ່ອຍອາຍພິດຕໍ່າສຸດ:ພາຍໃຕ້ສະພາບແວດລ້ອມທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ ແລະ ສູນຍາກາດສູງ, ການປ່ອຍອາຍພິດອອກຕໍ່າກວ່າຂອງຫີນຄວດສ໌ຫຼາຍ, ເຊິ່ງສາມາດປ້ອງກັນການປົນເປື້ອນຂອງຫ້ອງຂະບວນການໄດ້ຢ່າງມີປະສິດທິພາບ, ຮັບປະກັນຄຸນນະພາບພາຍໃນຂອງຟິມບາງໆທີ່ສະສົມໄວ້ ຫຼື ການເຕີບໂຕຂອງຜລຶກ, ແລະ ປັບປຸງຜົນຜະລິດຜະລິດຕະພັນຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ (ໂດຍສະເພາະແມ່ນສຳຄັນຕໍ່ການຜລຶກ SiC, ການເຕີບໂຕຂອງ GaN, ແລະ ການຜະລິດຊິລິກອນຜລຶກດ່ຽວລະດັບສູງ).
ຄວາມໝັ້ນຄົງໃນອຸນຫະພູມສູງ:ອຸນຫະພູມປະຕິບັດການໄລຍະຍາວເກີນ 1600°C (ສູງກວ່າຈຸດອ່ອນຂອງ quartz, ປະມານ 1200°C) ເປັນໄປໄດ້, ແລະອຸນຫະພູມໄລຍະສັ້ນສາມາດທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມທີ່ສູງກວ່າ (ເຊັ່ນ 1800°C), ຕອບສະໜອງຄວາມຕ້ອງການອຸນຫະພູມສູງພິເສດຂອງເຄິ່ງຕົວນຳລຸ້ນທີສາມ ແລະ ຂະບວນການເຕີບໂຕຂອງຜລຶກ.
ຄວາມຕ້ານທານການກັດກ່ອນທາງເຄມີ:ທົນທານຕໍ່ອາຍແກັສທີ່ມີສານກັດກ່ອນສູງເຊັ່ນ: HCl, Cl₂, ແລະ HF, ເຊັ່ນດຽວກັນກັບຊິລິໂຄນທີ່ລະລາຍ ແລະ ໄອໂລຫະ, ຮັກສາຄວາມສົມບູນຂອງໂຄງສ້າງ ແລະ ຜິວໜ້າໃນບັນຍາກາດທີ່ສັບສົນເຊັ່ນ: CVD, ການແຜ່ກະຈາຍ, ການຜຸພັງ, ແລະ ການແກະສະຫຼັກ, ໂດຍມີອາຍຸການໃຊ້ງານທີ່ສູງກວ່າທໍ່ເຕົາ quartz ຫຼາຍ.
ການນຳຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ:ຄວາມນຳຄວາມຮ້ອນຂອງມັນສູງກວ່າ quartz ຫຼາຍສິບເທົ່າ, ເຊິ່ງເຮັດໃຫ້ການແຈກຢາຍອຸນຫະພູມຂອງເຕົາອົບໄດ້ໄວຂຶ້ນ ແລະ ເປັນເອກະພາບຫຼາຍຂຶ້ນ ແລະ ປັບປຸງຄວາມສະເໝີພາບ ແລະ ຄວາມສາມາດໃນການເຮັດຊ້ຳໄດ້ຂອງຂະບວນການ. ນີ້ແມ່ນສິ່ງສຳຄັນໂດຍສະເພາະສຳລັບການປຸງແຕ່ງພື້ນທີ່ຂະໜາດໃຫຍ່, ຫຼາຍແຜ່ນ (ເຊັ່ນ: ເຕົາເຜົາແຜ່ກະຈາຍແສງອາທິດ ແລະ ເຄື່ອງປະຕິກອນ MOCVD).
ສະຖຽນລະພາບດ້ານມິຕິ:ຄ່າສຳປະສິດການຂະຫຍາຍຕົວທາງຄວາມຮ້ອນທີ່ຕໍ່າຫຼາຍຮັບປະກັນວ່າທໍ່ເຕົາໄຟຮັກສາຮູບຮ່າງທີ່ໝັ້ນຄົງສູງເຖິງແມ່ນວ່າຈະມີການປ່ຽນແປງຂອງອຸນຫະພູມຊ້ຳໆ ແລະ ຮຸນແຮງ, ປ້ອງກັນການລົ້ມເຫຼວຂອງປະທັບຕາ ຫຼື ຄວາມເຂັ້ມຂຸ້ນຂອງຄວາມກົດດັນທີ່ເກີດຈາກການຂະຫຍາຍຕົວ ແລະ ການຫົດຕົວທາງຄວາມຮ້ອນ.
ຄວາມທົນທານ:ຄວາມແຂງ ແລະ ຄວາມເຂັ້ມແຂງສູງຂອງມັນເຮັດໃຫ້ທໍ່ເຕົາໄຟມີຄຸນສົມບັດທາງກົນຈັກທີ່ດີເລີດ, ເຮັດໃຫ້ມັນທົນທານຕໍ່ການຜິດຮູບ ແລະ ຄວາມເສຍຫາຍ.

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທົ່ວໄປ:

ການຜະລິດເຄິ່ງຕົວນຳ:ການເຕີບໃຫຍ່ຂອງ SiC/GaN epitaxial (MOCVD, HTCVD), epitaxy ທີ່ອີງໃສ່ຊິລິກອນ, ການແຜ່ກະຈາຍ/ການຜຸພັງ/ການເຮັດໃຫ້ອ່ອນນຸ້ມໃນອຸນຫະພູມສູງ (RTP), ແລະ LPCVD.

ອຸດສາຫະກຳໄຟຟ້າແສງຕາເວັນ:ການແຜ່ກະຈາຍໃນອຸນຫະພູມສູງ (ການແຜ່ກະຈາຍຟອສຟໍຣັດ/ໂບຣອນ) ແລະ ການອົບແຫ້ງຂອງແຜງແສງຕາເວັນຊິລິກອນທີ່ເປັນຜລຶກ.