Procesna cijev od silicijum karbida SiC

Procesna cijev od silicijum karbida SiC

Cijevi za difuzijsku peć od silicijum karbidasu ključne komponente koje se koriste u poluprovodnicima, termičkoj obradi na visokim temperaturama i procesima pripreme materijala. Primarno se koriste kao nosač i reakcijska komora za difuzijske peći ili oksidacijske peći, izvodeći procese kao što su atmosferska reakcija, oksidacija, difuzija i žarenje u okruženjima visoke temperature i visoke korozivnosti.
VET Energy je specijaliziran za dizajn i proizvodnju silicijum-karbidnih (SiC) cijevi za visokotemperaturne i korozivne poluprovodničke primjene. Zahvaljujući naprednim proizvodnim pogonima i vlasničkim CVD i sinterskim tehnologijama, isporučujemo cijevi koje se odlikuju odličnom termičkom stabilnošću, otpornošću na oksidaciju i dugim vijekom trajanja.

Prednosti SiC cijevi kompanije VET Energy:

Ultra visoka čistoća:Proizvedeno posebnim postupkom sinterovanja, štetne metalne nečistoće (kao što su Na, K, Fe i Al) smanjene su na nivo ppb.
Izuzetno nisko ispuštanje gasova:U okruženjima visoke temperature i visokog vakuuma, ispuštanje gasova je daleko niže nego kod kvarca, što efikasno sprečava kontaminaciju procesne komore, osigurava suštinski kvalitet deponovanih tankih filmova ili rasta kristala i značajno poboljšava prinos proizvoda (posebno kritično za SiC epitaksiju, rast GaN i proizvodnju visokokvalitetnih monokristalnih silicija).
Stabilnost na visokim temperaturama:Dugotrajne radne temperature koje prelaze 1600°C (znatno iznad tačke omekšavanja kvarca, približno 1200°C) su moguće, a kratkotrajne temperature mogu izdržati čak i više temperature (kao što je 1800°C), ispunjavajući zahtjeve ultra-visokih temperatura poluprovodnika treće generacije i procesa rasta kristala.
Otpornost na hemijsku koroziju:Visoko otporan na visoko korozivne gasove poput HCl, Cl₂ i HF, kao i na rastopljeni silicijum i metalne pare, održavajući strukturni integritet i površinsku obradu u složenim atmosferama kao što su CVD, difuzija, oksidacija i nagrizanje, sa vijekom trajanja koji daleko premašuje vijek trajanja kvarcnih cijevi peći.
Odlična toplotna provodljivost:Njegova toplotna provodljivost je desetine puta veća od one kvarca, što omogućava bržu i ravnomjerniju raspodjelu temperature peći i poboljšava ujednačenost i ponovljivost procesa. Ovo je posebno važno za obradu višestrukih pločica velikih površina (npr. fotonaponske difuzijske peći i MOCVD reaktori).
Dimenzionalna stabilnost:Njegov izuzetno nizak koeficijent termičkog širenja osigurava da cijev peći održava vrlo stabilnu geometriju čak i kada je izložena ponovljenim i drastičnim temperaturnim fluktuacijama, sprječavajući oštećenje zaptivača ili koncentraciju napona uzrokovanu termičkim širenjem i skupljanjem.
Trajnost:Visoka tvrdoća i čvrstoća daju cijevi peći odlična mehanička svojstva, čineći je otpornom na deformacije i oštećenja.

Tipična primjena:

Proizvodnja poluprovodnika:SiC/GaN epitaksijalni rast (MOCVD, HTCBD), epitaksija na bazi silicija, difuzija/oksidacija/žarenje na visokim temperaturama (RTP) i LPCVD.

Fotonaponska industrija:Visokotemperaturna difuzija (difuzija fosfora/bora) i žarenje kristalnih silicijumskih solarnih ćelija.