सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) विसरण प्रक्रिया ट्यूब

सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) विसरण प्रक्रिया ट्यूब

सिलिकॉन कार्बाइड डिफ्यूजन फर्नेस ट्यूबये अर्धचालक, उच्च-तापमान ऊष्मा उपचार और सामग्री निर्माण प्रक्रियाओं में उपयोग किए जाने वाले प्रमुख घटक हैं। इनका मुख्य रूप से उपयोग उच्च-तापमान, अत्यधिक संक्षारक वातावरण में वायुमंडलीय प्रतिक्रिया, ऑक्सीकरण, प्रसार और एनीलिंग जैसी प्रक्रियाओं को करने वाले विसरण भट्टियों या ऑक्सीकरण भट्टियों के लिए आधार और प्रतिक्रिया कक्ष के रूप में किया जाता है।
VET Energy उच्च तापमान और संक्षारक अर्धचालक अनुप्रयोगों के लिए सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) ट्यूबों के डिजाइन और निर्माण में विशेषज्ञता रखती है। उन्नत उत्पादन सुविधाओं और हमारी विशेष CVD और सिंटरिंग तकनीकों के साथ, हम उत्कृष्ट तापीय स्थिरता, ऑक्सीकरण प्रतिरोध और लंबी सेवा आयु वाली ट्यूबें प्रदान करते हैं।

VET Energy की SiC ट्यूबों के फायदे:

अति उच्च शुद्धता:एक विशेष सिंटरिंग प्रक्रिया का उपयोग करके उत्पादित किए जाने पर, हानिकारक धातु अशुद्धियों (जैसे Na, K, Fe और Al) को ppb स्तर तक कम कर दिया जाता है।
बेहद कम गैस उत्सर्जन:उच्च तापमान और उच्च निर्वात वाले वातावरण में, गैस उत्सर्जन क्वार्ट्ज की तुलना में काफी कम होता है, जिससे प्रक्रिया कक्ष के संदूषण को प्रभावी ढंग से रोका जा सकता है, जमा की गई पतली फिल्मों या क्रिस्टल वृद्धि की आंतरिक गुणवत्ता सुनिश्चित होती है, और उत्पाद की उपज में काफी सुधार होता है (विशेष रूप से SiC एपिटैक्सी, GaN वृद्धि और उच्च-स्तरीय एकल-क्रिस्टल सिलिकॉन उत्पादन के लिए महत्वपूर्ण)।
उच्च तापमान स्थिरता:1600 डिग्री सेल्सियस से अधिक का दीर्घकालिक परिचालन तापमान (क्वार्ट्ज के नरम होने के बिंदु, लगभग 1200 डिग्री सेल्सियस से काफी ऊपर) संभव है, और अल्पकालिक तापमान इससे भी अधिक तापमान (जैसे 1800 डिग्री सेल्सियस) को सहन कर सकता है, जो तीसरी पीढ़ी के अर्धचालकों और क्रिस्टल विकास प्रक्रियाओं की अति-उच्च तापमान आवश्यकताओं को पूरा करता है।
रासायनिक संक्षारण प्रतिरोध:यह HCl, Cl₂ और HF जैसी अत्यधिक संक्षारक गैसों के साथ-साथ पिघले हुए सिलिकॉन और धातु वाष्प के प्रति अत्यधिक प्रतिरोधी है, और CVD, प्रसार, ऑक्सीकरण और नक़्क़ाशी जैसे जटिल वातावरण में संरचनात्मक अखंडता और सतह की चमक को बनाए रखता है, साथ ही इसका जीवनकाल क्वार्ट्ज भट्टी ट्यूबों की तुलना में कहीं अधिक होता है।
उत्कृष्ट तापीय चालकता:इसकी तापीय चालकता क्वार्ट्ज की तुलना में दर्जनों गुना अधिक है, जिससे भट्टी के तापमान का वितरण अधिक तीव्र और एकसमान होता है और प्रक्रिया की एकरूपता और दोहराव में सुधार होता है। यह विशेष रूप से बड़े क्षेत्रफल वाली, बहु-वेफर प्रसंस्करण प्रक्रियाओं (जैसे, फोटोवोल्टाइक डिफ्यूजन फर्नेस और एमओसीवीडी रिएक्टर) के लिए महत्वपूर्ण है।
आयामी स्थिरता:इसका अत्यंत कम तापीय विस्तार गुणांक यह सुनिश्चित करता है कि भट्टी की नली बार-बार और तीव्र तापमान में उतार-चढ़ाव के अधीन होने पर भी अत्यधिक स्थिर ज्यामिति बनाए रखती है, जिससे तापीय विस्तार और संकुचन के कारण होने वाली सील विफलता या तनाव एकाग्रता को रोका जा सकता है।
स्थायित्व:इसकी उच्च कठोरता और मजबूती भट्टी की नली को उत्कृष्ट यांत्रिक गुण प्रदान करती है, जिससे यह विरूपण और क्षति के प्रति प्रतिरोधी बन जाती है।

विशिष्ट अनुप्रयोग:

सेमीकंडक्टर निर्माण:SiC/GaN एपिटैक्सियल ग्रोथ (MOCVD, HTCVD), सिलिकॉन-आधारित एपिटैक्सी, उच्च-तापमान प्रसार/ऑक्सीकरण/एनीलिंग (RTP), और LPCVD।

फोटोवोल्टाइक उद्योग:क्रिस्टलीय सिलिकॉन सौर कोशिकाओं का उच्च-तापमान प्रसार (फॉस्फोरस/बोरॉन प्रसार) और एनीलिंग।